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公开(公告)号：CN115874152B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202211101105.7
申请日：2022-09-09
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其减低成膜材料附着于腔室内而维护性得到提高。实施方式的成膜装置(D)包括：腔室(1)，能够使内部为真空；成膜部(4a～4d、4f、4g)，具有包含成膜材料的靶材(61)，在所述腔室内，通过溅射而使成膜材料堆积于工件(W)上来进行成膜；隔断构件(9)，与靶材(61)空开间隔地配置，形成用于利用成膜部(4a～4d、4f、4g)进行成膜的成膜室(S)，并将腔室(1)内的成膜室(S)与外部隔断；以及抑制部(104)，设置于靶材(61)与隔断构件(9)之间，并抑制成膜材料附着于腔室(1)的内表面。
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公开(公告)号：CN108220882B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201711281075.1
申请日：2017-12-06
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种可以简单的构成抑制电子零件的加热的成膜装置。本发明包括：搬送部，在腔室内循环搬送电子零件；成膜处理部，成膜于电子零件；托盘，由搬送部搬送，具有载置面；及载置部，载置于载置面，用来搭载电子零件，载置部包括：保持片，一面具备具有粘着性的粘着面，另一面具备不具有粘着性的非粘着面；及密接片，一面具备密接于非粘着面的具有粘着性的第1密接面，另一面具备密接于托盘的载置面的具有粘着性的第2密接面，粘着面具有用来贴附电子零件的贴附区域，第1密接面至少跨及与贴附区域对应的非粘着面的区域的整体而密接。
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公开(公告)号：CN116057669A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180055657.6
申请日：2021-09-15
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
IPC: H01L21/203
Abstract: 本发明提供一种能够以高生产率形成GaN膜的成膜装置及成膜方法。实施方式的成膜装置1包括：腔室20，能够使内部为真空；旋转台31，设置于腔室20内，保持工件10，以圆周的轨迹循环搬送工件10；GaN成膜处理部40A，具有包含含有GaN的成膜材料的靶、及将导入至所述靶与所述旋转台之间的溅射气体G1等离子体化的等离子体产生器，通过溅射使含有GaN及Ga的成膜材料的粒子堆积于由旋转台31循环搬送的工件10；以及氮化处理部50，使在GaN成膜处理部40A中堆积的成膜材料的粒子在由旋转台31循环搬送的工件10氮化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116057669B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202180055657.6
申请日：2021-09-15
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
IPC: C23C14/06 , H01L21/203
Abstract: 本发明提供一种能够以高生产率形成GaN膜的成膜装置及成膜方法。实施方式的成膜装置(1)包括：腔室(20)，能够使内部为真空；旋转台(31)，设置于腔室(20)内，保持工件(10)，以圆周的轨迹循环搬送工件(10)；GaN成膜处理部(40A)，具有包含含有GaN的成膜材料的靶、及将导入至所述靶与所述旋转台之间的溅射气体(G1)等离子体化的等离子体产生器，通过溅射使含有GaN及Ga的成膜材料的粒子堆积于由旋转台(31)循环搬送的工件(10)；以及氮化处理部(50)，使在GaN成膜处理部(40A)中堆积的成膜材料的粒子在由旋转台(31)循环搬送的工件(10)氮化。
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公开(公告)号：CN107946286B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201710893463.9
申请日：2017-09-27
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L21/67 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种形成于封装体上的磁性体的电磁波屏蔽膜可获得良好的屏蔽特性的电子零件、电子零件的制造装置及电子零件的制造方法。一种电子零件(10)，其在将元件(11)密封的封装体(12)的顶面形成有电磁波屏蔽膜(13)，且封装体(12)的顶面中的电磁波屏蔽膜(13)的膜厚为0.5μm～9μm，封装体(12)的顶面的粗糙度曲线要素的平均高度(Rc)与电磁波屏蔽膜(13)的膜厚(Te)的关系为Rc≤2Te。
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公开(公告)号：CN115874152A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211101105.7
申请日：2022-09-09
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其减低成膜材料附着于腔室内而维护性得到提高。实施方式的成膜装置(D)包括：腔室(1)，能够使内部为真空；成膜部(4a～4d、4f、4g)，具有包含成膜材料的靶材(61)，在所述腔室内，通过溅射而使成膜材料堆积于工件(W)上来进行成膜；隔断构件(9)，与靶材(61)空开间隔地配置，形成用于利用成膜部(4a～4d、4f、4g)进行成膜的成膜室(S)，并将腔室(1)内的成膜室(S)与外部隔断；以及抑制部(104)，设置于靶材(61)与隔断构件(9)之间，并抑制成膜材料附着于腔室(1)的内表面。
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公开(公告)号：CN108220882A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711281075.1
申请日：2017-12-06
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种可以简单的构成抑制电子零件的加热的成膜装置。本发明包括：搬送部，在腔室内循环搬送电子零件；成膜处理部，成膜于电子零件；托盘，由搬送部搬送，具有载置面；及载置部，载置于载置面，用来搭载电子零件，载置部包括：保持片，一面具备具有粘着性的粘着面，另一面具备不具有粘着性的非粘着面；及密接片，一面具备密接于非粘着面的具有粘着性的第1密接面，另一面具备密接于托盘的载置面的具有粘着性的第2密接面，粘着面具有用来贴附电子零件的贴附区域，第1密接面至少跨及与贴附区域对应的非粘着面的区域的整体而密接。
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公开(公告)号：CN107946286A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201710893463.9
申请日：2017-09-27
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L21/67 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种形成于封装体上的磁性体的电磁波屏蔽膜可获得良好的屏蔽特性的电子零件、电子零件的制造装置及电子零件的制造方法。一种电子零件(10)，其在将元件(11)密封的封装体(12)的顶面形成有电磁波屏蔽膜(13)，且封装体(12)的顶面中的电磁波屏蔽膜(13)的膜厚为0.5μm～9μm，封装体(12)的顶面的粗糙度曲线要素的平均高度(Rc)与电磁波屏蔽膜(13)的膜厚(Te)的关系为Rc≤2Te。
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