公开(公告)号：CN116598180A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310067277.5

申请日：2023-02-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杉山秀树 ,  猪狩浩 ,  长山将之

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种防止异常放电的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基片支承部，其设置于上述等离子体处理腔室内，用于保持基片；和与上述基片支承部相对的喷淋头，上述喷淋头具有喷淋板，上述喷淋板形成有释放气体的气体流路，并包括：具有凹部的基材；和插入并被接合于上述凹部的埋入部件，上述气体流路包括：形成于上述基材并与上述凹部连通的第一流路；形成于上述埋入部件的第二流路；以及连通路，其形成于上述基材和上述埋入部件中的至少一者，将上述第一流路与上述第二流路连通。

公开(公告)号：CN101165855A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710181968.9

申请日：2007-10-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杉山秀树 ,  冈山信幸 ,  长山将之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32559 ,  H01J2237/2007 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68757

Abstract: 一种能减少等离子处理装置的运行成本并提高装置的运行速度的基板平台。下部电极作为基板平台而设置在该装置的腔室内，静电卡盘被结合在下部电极中。在静电卡盘的侧壁上形成作为喷敷层，膜厚度在从1000至2000μm的范围内，元素周期表第IIIB族元素的氧化膜，如氧化钇膜。

公开(公告)号：CN116646230A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310163586.2

申请日：2023-02-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杉山秀树 ,  矢幡将二郎 ,  山中进矢

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够提高气体流路的设计的自由度的基片处理装置。基片处理装置包括：处理腔室；设置在所述处理腔室内的、用于保持基片的基片支承部；和与所述基片支承部相对的喷淋头，所述喷淋头具有：形成有用于排出气体的气体流路的喷淋板；和用于保持所述喷淋板并对其进行冷却的冷却板，所述冷却板具有：第一板，其具有用于对气体进行分配的气体分配层；第二板，其具有能够被供给制冷剂的制冷剂流路和能够被供给由所述气体分配层分配后的气体的气体扩散空间；和用于将所述第一板和所述第二板紧固的紧固部件。

公开(公告)号：CN101165855B

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN200710181968.9

申请日：2007-10-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杉山秀树 ,  冈山信幸 ,  长山将之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32559 ,  H01J2237/2007 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68757

Abstract: 一种能减少等离子处理装置的运行成本并提高装置的运行速度的基板平台。下部电极作为基板平台而设置在该装置的腔室内，静电卡盘被结合在下部电极中。在静电卡盘的侧壁上形成作为喷敷层，膜厚度在从1000至2000μm的范围内，元素周期表第IIIB族元素的氧化膜，如氧化钇膜。