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公开(公告)号：CN110993476A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201910860702.X
申请日：2019-09-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/24 , H01J37/20 , H01J37/305 , H01L21/683
Abstract: 本公开提供一种抑制由于上部电极的消耗引起上部电极与冷却板之间的密合性下降的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置具有：冷却板，其具有用于固定上部电极的固定面，在固定面设置有通过与施加电压相应的吸附力来吸附上部电极的静电卡盘；电源部，其对静电卡盘施加电压；以及电源控制部，其控制电源部以使施加于静电卡盘的电压的绝对值与上部电极的消耗程度相应地增大。
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公开(公告)号：CN110993476B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201910860702.X
申请日：2019-09-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/24 , H01J37/20 , H01J37/305 , H01L21/683
Abstract: 本公开提供一种抑制由于上部电极的消耗引起上部电极与冷却板之间的密合性下降的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置具有：冷却板，其具有用于固定上部电极的固定面，在固定面设置有通过与施加电压相应的吸附力来吸附上部电极的静电卡盘；电源部，其对静电卡盘施加电压；以及电源控制部，其控制电源部以使施加于静电卡盘的电压的绝对值与上部电极的消耗程度相应地增大。
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公开(公告)号：CN113345787A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110202244.8
申请日：2021-02-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置。所述方法用于在等离子体处理装置中通过等离子体对基板进行处理，所述等离子体处理装置具备：腔室；上部电极构造，其构成腔室的上部，该上部电极构造具有被进行温度控制的板、配置于板的下方的电极板以及夹设于电极板与板之间的静电吸附部，静电吸附部包括与板的下表面接触的接触面、吸附电极板的上表面的吸附面、第一电极以及第二电极；电源，其向第一电极和第二电极施加电压；以及温度获取部，其获取电极板的温度分布，所述方法包括：或获取工序，获取电极板的温度分布；施加工序，根据温度分布向第一电极施加第一电压并向第二电极施加第二电压；以及处理工序，通过等离子体对基板进行处理。
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公开(公告)号：CN116646230A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310163586.2
申请日：2023-02-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够提高气体流路的设计的自由度的基片处理装置。基片处理装置包括：处理腔室；设置在所述处理腔室内的、用于保持基片的基片支承部；和与所述基片支承部相对的喷淋头，所述喷淋头具有：形成有用于排出气体的气体流路的喷淋板；和用于保持所述喷淋板并对其进行冷却的冷却板，所述冷却板具有：第一板，其具有用于对气体进行分配的气体分配层；第二板，其具有能够被供给制冷剂的制冷剂流路和能够被供给由所述气体分配层分配后的气体的气体扩散空间；和用于将所述第一板和所述第二板紧固的紧固部件。
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