公开(公告)号：CN110993476A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201910860702.X

申请日：2019-09-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 内田阳平 ,  佐藤徹治 ,  矢幡将二郎 ,  高瀬均

IPC: H01J37/24 ,  H01J37/20 ,  H01J37/305 ,  H01L21/683

Abstract: 本公开提供一种抑制由于上部电极的消耗引起上部电极与冷却板之间的密合性下降的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置具有：冷却板，其具有用于固定上部电极的固定面，在固定面设置有通过与施加电压相应的吸附力来吸附上部电极的静电卡盘；电源部，其对静电卡盘施加电压；以及电源控制部，其控制电源部以使施加于静电卡盘的电压的绝对值与上部电极的消耗程度相应地增大。

公开(公告)号：CN110993476B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN201910860702.X

申请日：2019-09-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 内田阳平 ,  佐藤徹治 ,  矢幡将二郎 ,  高瀬均

IPC: H01J37/24 ,  H01J37/20 ,  H01J37/305 ,  H01L21/683

Abstract: 本公开提供一种抑制由于上部电极的消耗引起上部电极与冷却板之间的密合性下降的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置具有：冷却板，其具有用于固定上部电极的固定面，在固定面设置有通过与施加电压相应的吸附力来吸附上部电极的静电卡盘；电源部，其对静电卡盘施加电压；以及电源控制部，其控制电源部以使施加于静电卡盘的电压的绝对值与上部电极的消耗程度相应地增大。