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公开(公告)号：CN116646230A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310163586.2
申请日：2023-02-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够提高气体流路的设计的自由度的基片处理装置。基片处理装置包括：处理腔室；设置在所述处理腔室内的、用于保持基片的基片支承部；和与所述基片支承部相对的喷淋头，所述喷淋头具有：形成有用于排出气体的气体流路的喷淋板；和用于保持所述喷淋板并对其进行冷却的冷却板，所述冷却板具有：第一板，其具有用于对气体进行分配的气体分配层；第二板，其具有能够被供给制冷剂的制冷剂流路和能够被供给由所述气体分配层分配后的气体的气体扩散空间；和用于将所述第一板和所述第二板紧固的紧固部件。
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公开(公告)号：CN116895505A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310254236.7
申请日：2023-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置，其包括具有喷淋板和冷却板的喷淋头，在该基片处理装置中，抑制冷却板的翘曲，防止或减轻喷淋板的破损。基片处理装置包括：等离子体处理腔室；基片支承部，其设置在上述等离子体处理腔室内，能够支承基片；和与上述基片支承部相对的喷淋头，上述喷淋头具有：喷淋板，其形成有释放气体的气体释放口；冷却板，其保持上述喷淋板，形成有供给致冷剂的致冷剂流路和气体供给流路；以及多个气体扩散室，其形成在上述喷淋板与上述冷却板之间，分别与上述气体释放口和气体供给流路连通，上述致冷剂流路在俯视时至少一部分与上述喷淋板和上述冷却板之间的传热面重叠地配置。
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公开(公告)号：CN116779406A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310217330.5
申请日：2023-03-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够抑制上部电极的异常放电的上部电极和等离子体处理装置。本发明的上部电极在电容耦合型的等离子体处理装置中构成喷淋头。上部电极包括第一部件、第二部件和第三部件。第一部件由导电体形成。在第一部件形成有第一气孔。第一气孔贯穿第一部件。第二部件由导电体形成。第二部件设置在第一部件之上。在第二部件形成有第二气孔。第三部件由电介质形成。第三部件设置在第一部件与第二部件之间。第三部件形成气体扩散室。第一气孔和第二气孔与气体扩散室连接。
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