有源矩阵基板的制造方法和薄膜元件的制造方法

    公开(公告)号:CN101369579B

    公开(公告)日:2011-05-04

    申请号:CN200810213232.X

    申请日:1996-10-02

    Inventor: 佐藤尚

    Abstract: 一种有源矩阵基板,该基板的构成包含薄膜晶体管(TFT)和连接到其薄膜晶体管一端的象素电极的象素部分,其特征在于:具备设备在上述扫描线及信号线中至少一条线或与其线电等效的部位和共用电位线之间的、使用了薄膜晶体管的防止静电破坏用装置;上述防止静电破坏用装置构成为包含在将栅极电极层、栅极绝缘膜、沟道层、源、漏极电极层、保护层重叠而成的薄膜晶体管中连接栅极电极层和源、漏电极层而构成的二极管;在同一制造工序中形成用于电连接上述栅极电极层和源、漏极电极层的、选择性地除去上述栅极电极层上的上述栅极绝缘膜和上述保护膜构成的第1开口,和选择性地除去上述源、漏极电极层上的上述保护膜构成的第2开口。

    画素布局结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN101566766A

    公开(公告)日:2009-10-28

    申请号:CN200810027628.5

    申请日:2008-04-23

    Inventor: 林威全 张龙泉

    Abstract: 本发明公开了一种画素布局结构及其制造方法,在每一画素资料线之一侧或二侧设有虚设非晶矽层(A-Si dummy layer)之结构;本发明即利用此虚设非晶矽层的设计,使其在现有的测试条件下(利用现有之阵列自动测试机台进行测试),若画素存在有非晶矽残留时,藉以提高其电容耦合效应及电子传导效应,进而检出形成画素缺陷;因此,本发明确实可有效提高阵列自动测试机检出发生非晶矽残留之画素缺陷的能力。

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