公开(公告)号：CN104751760B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201410354284.4

申请日：2014-07-23

申请人： 乐金显示有限公司

发明人： 朴清勳 ,  尹淳逸 ,  郑一基 ,  李庆寿

IPC分类号： G02F1/1362

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/136259 ,  G02F2001/136268 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/7869

摘要： 提供一种显示装置，包括：包括多条数据线和栅极线的显示面板，多条数据线和栅极线被形成为界定多个像素；数据驱动单元；以及栅极驱动单元，其中显示面板具有晶体管，该晶体管包括：被配置为接收第一电压且包括两个第一电极的第一电极单元；被配置为接收第二电压且包括两个第二电极的第二电极单元；被配置为接收第三电压且包括公共的第三电极的第三电极单元，第三电极单元被形成为包括位于第一电极单元与第二电极单元之间的弯曲部分；以及被形成为互相间隔开且与第三电极单元的相对端相邻的两个沟道，且两个沟道被配置为分别对应地连接两个第一电极和两个第二电极。

公开(公告)号：CN104035218B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201410217057.7

申请日：2014-05-21

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

发明人： 郭会斌 ,  王守坤 ,  李梁梁 ,  冯玉春 ,  郭总杰

IPC分类号： G02F1/13 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1259 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78663

摘要： 本发明涉及一种阵列基板及数据线断线的修复方法。该数据线断线的修复方法用于对制备于阵列基板上的数据线的缺口进行修复；其包括下述步骤：将预设元素的离子掺杂进入半导体层上对应于所述缺口下方，以及对应于数据线位于缺口两侧的端部的下方的区域，使半导体层上掺杂有预设元素的离子的区域变为导电层，以使数据线位于所述缺口两侧的端部通过所述导电层电连接。本发明提供的上述数据线断线的修复方法不受数据线的线宽的影响，从而其可以在数据线的线宽较窄的情况下，将数据线的断线修复。

公开(公告)号：CN104062821B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410246489.0

申请日：2014-06-05

申请人： 厦门天马微电子有限公司 ,  天马微电子股份有限公司

发明人： 李伟平

IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板、显示面板和显示装置，主要内容包括：基板；设置于所述基板上的多条彼此交叉且绝缘的栅极线和数据线；设置于所述栅极线和所述数据线定义的区域内的多个像素单元，任一所述像素单元包括：开关元件；位于所述开关元件上的绝缘层，所述绝缘层设置有通孔；位于所述绝缘层上的像素电极，所述像素电极通过所述通孔与所述开关元件电连接，其中，沿栅极线延伸方向相邻的两个像素单元共用一个所述通孔；使得横向相邻的两个通孔之间的距离足够大，用以很好的放置隔离柱，避免了隔离柱站立不稳、易于滑落的问题，保证了面板盒厚的均匀性、以及较好的面压能力。

公开(公告)号：CN104952880A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510226863.5

申请日：2015-05-06

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 李文辉

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/7869 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1259

摘要： 本发明提供一种双栅极TFT基板的制作方法及其结构。该双栅极TFT基板的制作方法，先在基板(1)上依次制作底栅极(2)、第一绝缘层(3)、岛状半导体层(4)、第二绝缘层(5)；然后沉积第二金属层，通过一道光罩对第二金属层进行图案化处理，同时形成源极(61)、漏极(62)、及顶栅极(63)；再依次制作第三绝缘层(7)、及像素电极(8)，能够提高TFT的稳定性，减少光罩数量，缩短工序流程，简化制程，降低生产成本。本发明的双栅极TFT基板结构，其结构简单，TFT稳定性较好，易于制作。

公开(公告)号：CN104851894A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510300781.0

申请日：2015-06-03

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 宁策 ,  张方振

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/127 ,  H01L21/28 ,  H01L21/30 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78684 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214

摘要： 本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，该阵列基板的制备方法至少包括以下步骤：形成第一电极层、栅金属层和第一非氧化物绝缘材料层，所述第一非氧化物绝缘材料层形成于所述栅金属层的上表面上；采用一次构图工艺形成包括所述第一电极和所述栅极的图形，在该构图工艺完成后，在所述栅极上还形成有第一非氧化物绝缘层以及在所述栅极下方还形成有属于所述第一电极层的第一子电极。该阵列基板的制备方法简单，有利于阵列基板和显示装置量产化。

公开(公告)号：CN104538401A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410814177.5

申请日：2014-12-23

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 张合静 ,  曾志远 ,  苏智昱 ,  李文辉 ,  石龙强 ,  吕晓文

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供一种TFT基板结构，包括一开关TFT与一驱动TFT，所述开关TFT具有第一有源层，所述驱动TFT具有第二有源层，所述第一与第二有源层采用相同或不同的材料制备，所述开关TFT与驱动TFT的电性能不同。本发明根据不同TFT所实现功能的不同，将开关TFT与驱动TFT采用不同的工作结构分别进行沉积和光刻，并对开关TFT与驱动TFT的有源层采用不同的材料，实现TFT基板中不同TFT的电性能差异化，从而以最低的成本实现OLED的精确控制。

公开(公告)号：CN103227208A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310123609.3

申请日：2013-04-10

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 袁广才

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/4908 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明涉及薄膜晶体管显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置，所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层和源/漏电极，以及位于所述栅电极和有源层之间的栅绝缘层，其中：所述栅电极包括栅电极金属层和第一组保护层，所述第一组保护层位于栅电极金属层和栅绝缘层之间，将有源层和栅电极金属层隔离；所述栅电极金属层的材质为铜或铜合金。采用本发明技术方案，由于第一组保护层对栅电极金属层和有源层隔离开，因此，避免了铜扩散污染有源层，大大提高了产品的良率。

公开(公告)号：CN103022150A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210570545.7

申请日：2012-12-25

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 袁广才

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78642 ,  H01L27/1222 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置，将TFT器件中的源电极和漏电极之间形成的水平沟道结构变更为垂直沟道结构，并将栅极与垂直沟道结构设置在同一水平面上，这样，当栅极加载栅扫描信号时，在有源层与栅极相邻的一侧形成垂直于衬底基板的电流通道，电流通道将与有源层连接的第一电极和第二电极导通，使TFT器件处于开启状态。由于可以通过控制栅极在垂直方向的厚度的方式，实现增加垂直沟道结构的长度，以提升TFT器件的导通电流量，从而提高TFT器件的性能。并且，将TFT结构中的水平沟道结构变更为垂直沟道结构，也能减小TFT器件在基板上占用的面积，有助于提高像素单元的开口率。

公开(公告)号：CN100409401C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN02149562.9

申请日：2002-08-22

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 高山彻 ,  丸山纯矢 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/1266 ,  B32B7/06 ,  B32B43/006 ,  B32B2310/0843 ,  B32B2457/08 ,  B32B2457/14 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13613 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78663 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/529 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  Y10S438/977 ,  Y10T156/1137 ,  Y10T156/1939

摘要： 本发明提供了一种能够避免损坏待剥离层的剥离方法。因此，不仅具有小面积的待剥离层而且具有大面积的待剥离层都能够以很高的生产量实现整个表面地剥离。在剥离之前执行用于部分地减小第一材料层(11)和第二材料层(12)之间接触性质的处理过程(激光辐照，施加压力等)，而后利用物理手段执行剥离。因此，能够容易地在第二材料层(12)的内部部分或其界面处实现充分分离。

公开(公告)号：CN106328716A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610742811.8

申请日：2016-08-26

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

发明人： 张斌 ,  王光兴 ,  陈鹏名 ,  解宇 ,  张衎

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  G06F3/041

CPC分类号： H01L29/84 ,  G06F3/041 ,  G06F3/0414 ,  G06F2203/04102 ,  H01L27/124 ,  H01L27/20 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/7869 ,  H01L41/193 ,  H01L29/78606 ,  G06F3/0412 ,  G06F2203/04105 ,  H01L29/42384

摘要： 一种薄膜晶体管和利用其检测压力的方法、以及触控装置，该薄膜晶体管包括：有源层；源极和漏极，其彼此间隔开并且都与所述有源层连接；第一绝缘层，其与所述有源层层叠设置；以及压电层，其与所述源极和所述漏极间隔开并且通过所述第一绝缘层与所述有源层间隔开。