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公开(公告)号：CN114815386A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210306627.4
申请日：2022-03-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/13357
摘要： 本发明提供了一种背光模组、显示模组、显示装置及显示模组的制备方法，应用于显示技术领域，在实现对背光模组更为精密的局部控制的同时，还减薄了显示模组的整体厚度，且降低了其生产成本。背光模组，包括发光背板、膜材组、边框。其中，发光背板包括相对的第一表面和第二表面，以及连接所述第一表面和所述第二表面的多个侧面。膜材组设置在发光背板的第一表面一侧。边框位于发光背板的第一表面一侧；边框包围膜材组，且与发光背板的边缘位置固定连接。
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公开(公告)号：CN114156395A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202010927603.1
申请日：2020-09-07
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本公开提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和背光模组，属于显示技术领域。该阵列基板的制备方法包括提供一衬底基板；在衬底基板的一侧形成金属布线层；在金属布线层远离衬底基板的一侧形成第一平坦化层；在第一平坦化层远离衬底基板的一侧形成电极层，电极层包括依次层叠于衬底基板一侧的铜电极层、第一缓冲金属层和第一铜镍合金层；第一缓冲金属层的材料为钼、钼铌合金、钼钨合金、钼镍钛合金、钼镁铝合金中的一种或者多种的混合；在电极层远离衬底基板的一侧形成第二平坦化层；设置功能器件层；功能器件层设于第二平坦化层远离衬底基板的一侧，且包括多个与电极层电连接的功能器件。该阵列基板的制备方法能够提高阵列基板的品质。
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公开(公告)号：CN107316815B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201710527573.3
申请日：2017-06-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/423
摘要： 本发明提供了薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管包括：基板；设置在基板一个表面上的栅极；设置在基板的一个表面上、且覆盖栅极的栅绝缘层；设置在栅绝缘层远离基板表面上的有源层；设置在栅绝缘层和有源层远离基板表面上的源极和漏极；其中，栅极、源极和漏极均包括金属层和金属配合物层，且金属层靠近基板设置。设置金属配合物层，增大了金属与PR胶之间的粘附力，金属层不会和光刻胶脱落分离，可以制备宽度细化(可以小于2微米)的栅极、源极和漏极，有利于缩小该薄膜晶体管的体积，提高含有该薄膜晶体管的显示器件的开口率、对比度及分辨率。
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公开(公告)号：CN107204320B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201710379101.8
申请日：2017-05-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L23/49 , H01L29/786 , H01L27/12 , H01B1/02
摘要： 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种金属导线、薄膜晶体管及制作方法、阵列基板和显示装置。所述一种金属导线，应用于薄膜晶体管，其包括含有铬、锆元素的铜合金。本发明通过采用铜合金形成导电层，经过一定处理工艺后再上表面形成析出物层，采用钼合金形成底层，不仅可在一定程度上实现高导电性、高韧性，更有效地降低功耗提高显示面板的响应时间，确保显示效果与显示稳定性，同时简化金属膜结构、降低相应装置或系统整体制造的复杂性及有效地节约成本。
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公开(公告)号：CN106940493B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201710337761.X
申请日：2017-05-15
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/13357
摘要： 本发明提供了一种背光源、显示基板及制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，背光源，包括多个相互独立的发光单元，所述多个发光单元划分为多组发光单元，每组发光单元包括至少一个发光单元，所述背光源还包括控制每组发光单元的发光状态的发光状态控制信号线。通过本发明的技术方案，能够降低背光源的功耗，提高显示装置的对比度。
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公开(公告)号：CN109524303A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811406097.0
申请日：2018-11-23
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L23/49 , H01L29/423
摘要： 本发明提供了一种导电图形及其制作方法、显示基板、显示装置，属于显示技术领域。其中，导电图形的制作方法包括：步骤1、在衬底基板上形成金属层；步骤2、在所述金属层上形成导电缓冲层；步骤3、对所述金属层和所述导电缓冲层进行构图，形成子导电图形；重复上述步骤1-3，形成层叠设置的多个子导电图形，所述多个子导电图形组成所述导电图形，后形成的子导电图形在所述衬底基板上的正投影落入先形成的子导电图形在所述衬底基板上的正投影内。本发明的技术方案能够在实现低电阻导电图形的同时，提升显示基板的产品良率。
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公开(公告)号：CN104391428B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201410669245.3
申请日：2014-11-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
发明人： 汪建国
IPC分类号： G03F7/016 , G03F7/039 , C07C245/14
摘要： 本发明公开了一种含重氮基团的感光剂及重氮正性LCD用光刻胶组合物与其制备方法。本发明的含有重氮基团的姜黄素感光剂，是结构式如式I所示的化合物：本发明的光刻胶组合物，包括成膜树脂、所述含有重氮基团的姜黄素感光剂和有机溶剂。本发明的重氮姜黄素感光剂分子量为394，与现有由酯化母体与重氮萘醌磺酰氯酯化形成的重氮萘醌感光剂相比，可以得到更高的分辨率，而且分子量小可以让去胶过程容易，不易发生残留。并且，其制备产率高，热稳定性好。其与传统的成膜树脂组合成保存稳定性好、分辨率高的LCDTFT用正性光刻胶，从而解决目前重氮萘醌体系LCD光刻胶难于精制、保存稳定性差和分辨率偏低的问题。
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公开(公告)号：CN107316815A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710527573.3
申请日：2017-06-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/12 , H01L29/417 , H01L29/423
摘要： 本发明提供了薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管包括：基板；设置在基板一个表面上的栅极；设置在基板的一个表面上、且覆盖栅极的栅绝缘层；设置在栅绝缘层远离基板表面上的有源层；设置在栅绝缘层和有源层远离基板表面上的源极和漏极；其中，栅极、源极和漏极均包括金属层和金属配合物层，且金属层靠近基板设置。设置金属配合物层，增大了金属与PR胶之间的粘附力，金属层不会和光刻胶脱落分离，可以制备宽度细化(可以小于2微米)的栅极、源极和漏极，有利于缩小该薄膜晶体管的体积，提高含有该薄膜晶体管的显示器件的开口率、对比度及分辨率。
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公开(公告)号：CN106887424A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710161607.1
申请日：2017-03-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
发明人： 汪建国
IPC分类号： H01L23/532 , H01L21/768
摘要： 本公开提供一种导电图案结构，该导电图案结构包括：依次层叠设置的第一金属层和第二金属层，其中，所述第二金属层覆盖所述第一金属层的上表面和全部侧表面；所述第一金属层的材料的金属活性比所述第二金属层的材料的金属活性强。本公开根据金属活动顺序表中金属还原性强弱的顺序，采用常规的置换反应，在第一金属层上形成包覆于其上表面和全部侧表面的第二金属层，从而降低了导电图案结构制作工艺的复杂性，且避免了低电阻金属中的金属离子扩散至有源层中破坏显示器件稳定性的问题，进而避免了产品良率下降的问题，除此之外，由于置换反应对设备和外界环境的要求较低，从而可以降低生产成本。
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公开(公告)号：CN106158588A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610581647.7
申请日：2016-07-21
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
发明人： 汪建国
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L29/7869
摘要： 本发明公开了一种氧化物薄膜及其制备方法、薄膜晶体管及其制备方法。根据本发明氧化物薄膜的制备方法包括：涂布前烘成膜步骤：将含有化学活性组分的有机溶液进行涂布和前烘形成薄膜，其中，化学活性组分中包括重氮萘醌感光树脂；掩膜曝光步骤：在薄膜上进行掩膜，未掩膜的薄膜在曝光后用碱性溶液除去；氧化物薄膜形成步骤：将掩膜部分经高能紫外线照射和臭氧处理后，经烧结固化形成氧化物薄膜。根据本发明制备方法得到的氧化物薄膜。根据本发明薄膜晶体管的制备方法包括根据本发明的氧化物薄膜的制备步骤。本发明的薄膜晶体管包括根据本发明制备方法得到的氧化物薄膜。
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