公开(公告)号：CN108428795A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810126979.5

申请日：2018-02-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 咸硕圭 ,  朴正一 ,  尹英俊 ,  金周永 ,  李容旭

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L21/28158 ,  H01L27/3274 ,  H01L29/41733 ,  H01L51/0533 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/055 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/102 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明构思涉及薄膜晶体管、其制造方法和包括其的电子设备。一种薄膜晶体管包括在半导体层上的栅电极、在半导体层与栅电极之间的第一绝缘层、在栅电极上的第二绝缘层、以及在半导体层上的源电极和漏电极。栅电极包括第一部分和邻近于第一部分的第二部分。第二部分的宽度大于第一部分的宽度。源电极和漏电极在半导体层上并布置为使得栅电极的第一部分位于源电极与漏电极之间。源电极和漏电极分别穿过第一绝缘层和第二绝缘层电连接到半导体层。源电极与漏电极之间的空间大于第一部分的宽度。

公开(公告)号：CN106684251B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201611129977.9

申请日：2016-12-09

Applicant: 武汉华星光电技术有限公司

Inventor： 卜呈浩 ,  胡国仁

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/3274 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/7827 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/057 ,  H01L51/102 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种柔性垂直沟道有机薄膜晶体管及其制作方法，改变了传统的平面沟道有机薄膜晶体管的构型，使用垂直沟道构型极大的缩短了沟道长度，使得薄膜晶体管可以在较低的驱动电压下获得较大的源漏电流；使用无缺陷、具有高导电性及高透明度的石墨烯材料制备栅极，使得薄膜晶体管的电学性能更好；使用六方氮化硼材料制备栅极绝缘层，与石墨烯材料制备的栅极共同作用，提高了薄膜晶体管的电学性能，并且由于石墨烯材料与六方氮化硼材料均为弯折性能较好的二维原子层结构材料，同时沟道层采用具有柔性的有机半导体材料，使得整个有机薄膜晶体管的弯折性能得到大幅度提高，有利于有机薄膜晶体管在柔性OLED显示屏中的应用。

公开(公告)号：CN107887397A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710889328.7

申请日：2017-09-27

Applicant: 乐金显示有限公司

Inventor： 金昌垠 ,  白贞恩 ,  张勇均 ,  金成真

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/105 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3274 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/227 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/0562 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/3262

Abstract: 公开了用于薄膜晶体管的阵列基板及其显示装置。薄膜晶体管阵列基板包括：基板；位于所述基板上的栅极；包括第一有源层和第二有源层的有源层，所述第一有源层与所述栅极相对并且与所述栅极相邻并包括半导体材料和多个碳的同素异形体，所述第二有源层与所述第一有源层接触并包括半导体材料；位于所述栅极和所述有源层之间的栅极绝缘膜；以及分别与所述有源层接触的源极和漏极。

公开(公告)号：CN104377303B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201410505119.4

申请日：2014-09-26

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 黄维

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/0012 ,  C09K19/582 ,  C09K2219/03 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0006 ,  H01L51/0076 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管制备技术领域，公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置。所述有机薄膜晶体管的有机半导体层形成在各向异性的绝缘层上，保证了有机半导体层具有高有序度的晶化方向，并使得有机半导体层具有特定的取向，能够提高载流子迁移率，提升有机薄膜晶体管的性能。而且制备所述绝缘层的工艺具备工艺简单、可大面积化、成本低廉等优势，制得的各向异性绝缘层厚度较薄，由于没有机械摩擦，也不存在摩擦产生的颗粒导致的不良。

公开(公告)号：CN104332476B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201410478300.0

申请日：2014-09-18

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 姜春生 ,  方婧斐 ,  张宝江

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/49 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/3274 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种用于显示装置的阵列基板的像素单元，一种实施方式是包括栅线、源漏电极线和TFT，栅线为叠层结构，包括第一MoW层、Cu层和第二MoW层，TFT的栅极由第一MoW层形成。另一实施方式是，源漏电极线为同样的叠层结构，TFT的源漏极采用第一MoW层。本发明可采用半曝光技术实现前一方式，采用剥离技术实现第二方式。本发明能防止栅极或源漏层中的Cu的扩散对氧化物有源层的影响。

公开(公告)号：CN106684251A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201611129977.9

申请日：2016-12-09

Applicant: 武汉华星光电技术有限公司

Inventor： 卜呈浩 ,  胡国仁

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/3274 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/7827 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/057 ,  H01L51/102 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种柔性垂直沟道有机薄膜晶体管及其制作方法，改变了传统的平面沟道有机薄膜晶体管的构型，使用垂直沟道构型极大的缩短了沟道长度，使得薄膜晶体管可以在较低的驱动电压下获得较大的源漏电流；使用无缺陷、具有高导电性及高透明度的石墨烯材料制备栅极，使得薄膜晶体管的电学性能更好；使用六方氮化硼材料制备栅极绝缘层，与石墨烯材料制备的栅极共同作用，提高了薄膜晶体管的电学性能，并且由于石墨烯材料与六方氮化硼材料均为弯折性能较好的二维原子层结构材料，同时沟道层采用具有柔性的有机半导体材料，使得整个有机薄膜晶体管的弯折性能得到大幅度提高，有利于有机薄膜晶体管在柔性OLED显示屏中的应用。

公开(公告)号：CN106661057A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580043491.0

申请日：2015-08-10

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 时任静士 ,  熊木大介 ,  尽田正史 ,  本间贵志 ,  田中康裕 ,  町田利一 ,  垣田一成 ,  山田奈津子

IPC: C07D519/00 ,  C09D11/03 ,  C09K11/06 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0071 ,  C07D519/00 ,  C09B57/00 ,  C09D11/03 ,  C09K11/06 ,  H01L27/3274 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/424 ,  H01L51/50 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072

Abstract: 本发明的课题在于，提供电子迁移率(电场效应迁移率)优异、在大气中的稳定性也优异的苯并双(噻二唑)衍生物等。本发明涉及下述通式(1)或(2)所示的、在分子内具有缩环成芳香环的环状酰亚胺结构的苯并双(噻二唑)衍生物等(式中，R、A和Z表示特定的基团。)。

公开(公告)号：CN106229332A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201610840322.6

申请日：2016-09-21

Applicant: 上海天马微电子有限公司 ,  天马微电子股份有限公司

Inventor： 姜文鑫 ,  周星耀

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L27/323 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供了显示面板及其制造方法，其中，显示面板包括有机发光显示屏和触控层组；有机发光显示屏包括依次叠置的阵列基板、有机发光器件层以及薄膜封装层；触控层组包括依次位于有机发光显示屏出光侧的水氧阻隔层以及触控电极层，触控电极层具有多个触控电极和多个导通焊盘，触控电极电连接导通焊盘；阵列基板具有多个用于显示的第一焊盘以及多个用于触控的第二焊盘，触控层组的导通焊盘电连接至第二焊盘。

公开(公告)号：CN105977396A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610329896.7

申请日：2016-05-18

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

Inventor： 杨凡 ,  郭坤 ,  杨玉清 ,  李子华 ,  彭利满 ,  杨津

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/0096 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/5203

Abstract: 本发明提供了一种OLED背板及其制作方法、显示装置，该OLED背板包括：基底以及形成在基底上的多个有机发光二极管；有机发光二极管包括底电极、顶电极和位于底电极和顶电极之间的有机发光材料；其中，底电极在有机发光二极管的第一边缘区域的厚度大于在有机发光二极管的中央区域的厚度，从而可以增强底电极的第一边缘区域的导电能力，提高第一边缘区域的有机发光材料的亮度，使有机发光二极管在第一边缘区域和中央区域的发光亮度均匀，避免OLED混色情况的发生，有效提高OLED显示装置在大视角情况下的显示质量。

公开(公告)号：CN103503153B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201180070581.0

申请日：2011-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥本有子 ,  宫本明人 ,  受田高明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/3274 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3248 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置。在TFT基板中，在基板（1011）上形成栅电极（1012a、1012b），其上被绝缘层（1013）覆盖。在绝缘层（1013）上，以在Y轴方向上互相隔开的状态形成有源电极（1014a、1014b）、漏电极（1014c、1014d）以及连接布线（1015）。连接布线（1015）与漏电极（1012c）连接。在绝缘层（1013）上形成有规定开口部（1016a～1016c）的隔壁（1016），以使得电极（1014a～1014d、1015）的各一部分露出。在开口部（1016）的内部，源电极（1014a）和漏电极（1014c）的表面积之和的X轴方向的中心（L3）与开口部（1016b）的底部的中心（L1）相比向X轴方向右侧离开距离x1。拨液性按隔壁（1016）、绝缘层（1013）、电极（1014a、1014c）的顺序由高变低。