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公开(公告)号：CN118974649A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380027548.2
申请日：2023-03-03
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: G03F1/64
Abstract: 本发明的目的在于提供可抑制由防护膜的张力引起的应变并且能够抑制由防护膜组件框的变形引起的原版的应变的防护膜组件框、防护膜组件以及防护膜组件的制造方法。防护膜组件框具备用于支撑防护膜的硬质框构件(12A)和用于与具有图案的原版连接的软质框构件(11X)。软质框构件(11X)与前述硬质框构件(12A)连接。前述软质框构件(11X)是由基材层(112)和粘着层(111)在与前述防护膜的面方向正交的厚度方向上以前述粘着层(111)配置于两端的方式交替层叠而成的。前述硬质框构件(12A)的杨氏模量高于前述软质框构件(11X)的表观杨氏模量。前述硬质框构件(12A)的杨氏模量为25GPa以上。
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公开(公告)号：CN117070147A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311043410.X
申请日：2016-11-16
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C09D183/08 , H01L21/027 , C09D7/63
Abstract: 一种用于生成半导体装置用膜的组合物，其包含：化合物(A)，具有Si‑O键以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；添加剂(C)，所述添加剂(C)选自由具有羧基且重均分子量46以上195以下的酸(C‑1)和具有氮原子且重均分子量17以上120以下的碱(C‑2)组成的组中的至少一种以及极性溶剂(D)，所述交联剂(B)在分子内具有环结构，所述交联剂(B)中的羧基数相对于所述化合物(A)中的全部氮原子数的比率，即COOH/N为0.1以上3.0以下。
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公开(公告)号：CN106537564B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201580038048.4
申请日：2015-08-05
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本发明涉及一种密封组合物，其含有：具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物，所述聚合物(A)的含量相对于密封组合物100质量份为0.05质量份～0.20质量份，所述密封组合物中的所述苯并三唑化合物的含量为3质量ppm～200质量ppm，所述密封组合物的pH为3.0～6.5。
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公开(公告)号：CN105051872B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201480017656.2
申请日：2014-03-11
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , C08G73/02 , C08K5/09 , C08L79/02 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/293 , C08G73/0206 , C08K5/0091 , C08L79/02 , C09J179/04 , H01L21/0206 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/56 , H01L23/528 , H01L23/53209 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种复合体的制造方法，所述方法具有：组合物准备工序，准备含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物的、pH为2.0～11.0的组合物；复合构件准备工序，准备具有构件A和构件B且满足上述构件B的表面的等电点＜上述组合物的pH＜上述构件A的表面的等电点的关系的复合构件，上述构件B的表面的等电点比上述构件A的表面的等电点低2.0以上且上述构件B的表面的等电点为1.0～7.5；以及赋予工序，对上述复合构件的上述构件A的上述表面和上述构件B的上述表面赋予上述组合物。
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公开(公告)号：CN101983223B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200980112061.4
申请日：2009-03-30
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C08L83/04 , C08J9/28 , C09D5/25 , C09D7/12 , C09D183/04 , H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/5329 , C08K3/08 , C09D7/61 , C09D183/04 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , H01L2924/0002 , C08L83/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种组合物，含有烷氧基硅烷化合物的水解产物、下述通式(1)表示的硅氧烷化合物的水解产物、表面活性剂和电负性为2.5以下的元素。通式(1)中，RA及RB分别独立地表示氢原子、苯基、-CaH2a+1基、-(CH2)b(CF2)cCF3基或-CdH2d-1基。其中，RA及RB不同时为氢原子。RC及RD表示将硅原子和氧原子相互连接形成环状硅氧烷结构的单键，或者分别独立地表示氢原子、苯基、-CaH2a+1基、-(CH2)b(CF2)cCF3基或者-CdH2d-1基。a表示1～6的整数，b表示0～4的整数，c表示0～10的整数，d表示2～4的整数，n表示3以上的整数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112805813B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201980066019.7
申请日：2019-11-19
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/40
Abstract: 一种半导体元件中间体的制造方法，其包括下述工序：准备表面具有凹部的基板的准备工序；将上述基板的温度设为250℃以上，通过原子层沉积法，使用包含下述通式(1)所示的化合物的氧化锡前体，向上述凹部填充氧化锡的填充工序。通式(1)中，R1～R4各自独立地表示碳原子数1～6的烷基。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117916662A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280061304.1
申请日：2022-09-12
Applicant: 三井化学株式会社
Abstract: 一种防护膜组件，其具备防护膜组件框、防护膜以及粘着层。粘着层的内壁面和外壁面的至少一者满足下述式(1)。式(1)：([A2s]/[A50s])≤0.97。式(1)中，A2s表示通过飞行时间型二次离子质谱法对粘着层的距表面的深度为第一深度的第一深部进行分析而得的粘着层的主剂成分所含的部分结构的归一化强度。第一深度是通过用氩气团簇离子束即溅射离子枪对表面的600μm见方的区域进行累计2秒照射而形成的。A50s表示通过飞行时间型二次离子质谱法对深度为第二深度的第二深部进行分析而得的粘着层的主剂成分所含的部分结构的归一化强度。第二深度是通过用上述溅射离子枪对上述区域进行累计50秒照射而形成的。
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公开(公告)号：CN108292604A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680066750.6
申请日：2016-11-16
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , C08K5/092 , C08L101/02
CPC classification number: C08K5/092 , C08L101/02
Abstract: 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团、且重均分子量为1万以上40万以下；交联剂(B)，在分子内具有3个以上-C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上-C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为-C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及水(D)，所述化合物(A)为脂肪族胺。
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公开(公告)号：CN107431016A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680018934.5
申请日：2016-03-24
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/76
Abstract: 本发明是一种填埋平坦化膜的制造方法，其具有下述工序：第1涂布工序，在具有凹部的构件的包含上述凹部的区域，涂布包含多元胺和第1溶剂的第1涂布液而在上述凹部填埋第1涂布液；以及第2涂布工序，在包含填埋有第1涂布液的上述凹部的区域，涂布包含具有2个以上羧基的有机物和沸点为200℃以下且SP值为30(MPa)1/2以下的第2溶剂的第2涂布液。
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公开(公告)号：CN104412376A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380036029.9
申请日：2013-07-12
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/312
CPC classification number: H01L23/293 , C08G73/0206 , C09D179/02 , C09K13/00 , H01L21/02063 , H01L21/02093 , H01L21/02118 , H01L21/02164 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/02334 , H01L21/02343 , H01L21/02362 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/31133 , H01L21/56 , H01L21/76831 , H01L23/3185 , H01L23/53228 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明中提供一种半导体装置的制造方法，其包括：于具备具有凹部的层间绝缘层、以及其至少一部分在凹部的底面的至少一部分上露出的包含铜的配线的半导体基板上赋予半导体用密封组合物，至少在凹部的底面及侧面形成密封层的工序，上述半导体用密封组合物含有具有阳离子性官能基且重均分子量为2000～1000000的聚合物，Na及K的含量以元素基准计为10质量ppb以下；以及于温度200℃以上425℃以下的条件下对半导体基板的形成有密封层之侧的面进行热处理，将形成于配线的露出面上的密封层的至少一部分去除的工序。
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