公开(公告)号：CN103779324B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201210552430.5

申请日：2012-12-18

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 林柏均

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/486 ,  H01L23/481 ,  H01L25/043 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/074 ,  H01L25/0756 ,  H01L25/117 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种由多个基底叠合而成的穿硅孔堆叠结构，其中每个基底都包含多个渐缩式的穿硅孔，每个渐缩式穿硅孔较粗的一端会具有一凹部，较细的一端则从基底中凸出，基底会以其每个渐缩式穿硅孔的较细端装入另一渐缩式穿硅孔式的较粗端对应凹部中并与其接合的方式来逐一堆叠。

公开(公告)号：CN106471621A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201580035044.0

申请日：2015-10-28

Applicant: 谷歌公司

Inventor： 温宗晋

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14652 ,  G01S17/08 ,  G06T7/50 ,  H01L25/043 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14649 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002 ,  H04N5/332 ,  H04N5/37455 ,  H04N5/378 ,  H04N9/045

Abstract: 本发明描述了一种装置，其包括具有第一像素阵列的第一半导体芯片。第一像素阵列具有可见光敏感像素。该装置包括具有第二像素阵列的第二半导体芯片。第一半导体芯片堆叠在第二半导体芯片上，使得第二像素阵列位于第一像素阵列下方。第二像素阵列具有用于基于飞行时间的深度检测的IR光敏像素。

公开(公告)号：CN103890976B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201280050852.0

申请日：2012-10-17

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 水野英范 ,  牧田纪久夫

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/043

CPC classification number: H01L25/045 ,  C09J5/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2453/00 ,  H01L24/29 ,  H01L25/043 ,  H01L25/50 ,  H01L31/043 ,  H01L31/076 ,  H01L31/18 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/15788 ,  Y02E10/548 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供在界面确保优良的导电性及透明性并将半导体元件接合的方法以及基于该接合方法的接合结构。提供在界面确保优良的导电性并且能够进行有利于元件特性的光学特性的设计的半导体元件的接合方法以及基于该接合方法的接合结构。将未被有机分子覆盖的导电性纳米粒子无光学损失地配置于半导体元件的表面，使另一个半导体元件压接于该导电性纳米粒子上。

公开(公告)号：CN104646837A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410848774.X

申请日：2014-11-19

Applicant: 罗芬-新纳技术公司

Inventor： S·A·侯赛尼

IPC: B23K26/53 ,  B23K26/382 ,  B23K26/046

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/0626 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/356 ,  B23K26/382 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50 ,  B81C1/00634 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/038 ,  C03B33/0222 ,  C03B33/04 ,  H01L25/043 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/0756 ,  H01L25/117 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 电/机械微芯片以及使用超快激光脉冲群的制造方法。一种使用多个透明基板制造电机械芯片的方法，包括步骤：使用光声压缩在多个基板中的至少一个中加工完整或部分空隙。按照特定的顺序层叠和布置多个透明基板。将透明基板固定和密封在一起。可通过激光焊接或粘合剂来密封芯片。

公开(公告)号：CN102326230B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201080009005.0

申请日：2010-02-22

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 古尔特杰·S·桑胡 ,  克里希纳·K·帕拉

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L23/538 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/78 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/3185 ,  H01L25/043 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/074 ,  H01L27/0688 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示用于在不具有电路的受主衬底上制造集成电路装置的方法。通过在受主衬底上顺序地安置一个或一个以上半导体材料层级且在安置下一较高层级之前在每一半导体材料层级上制造电路来形成集成电路装置。在囊封所述电路之后，移除所述受主衬底且单分半导体裸片。本发明还揭示通过所述方法形成的集成电路装置。

公开(公告)号：CN103681534A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310058953.9

申请日：2013-02-25

Applicant: 南茂科技股份有限公司

Inventor： 廖宗仁

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/043 ,  H01L25/065 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49174 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73277 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1076 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明揭露一半导体封装结构，该结构包含一晶粒、复数条焊线、一封胶体以及复数个第一外部连接端子。晶粒包含一有源表面及一背表面；各焊线的一第一端连接晶粒的背表面，相对于第一端的一第二端与有源表面电连接；封胶体覆盖晶粒的背表面及焊线，其中各焊线的局部未被覆盖。第一外部连接端子设置于封胶体之上，并分别包覆未被封胶体覆盖的焊线且电连接焊线。

公开(公告)号：CN103582946A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201280021639.7

申请日：2012-03-12

Applicant: 泰塞拉公司

Inventor： 佐藤弘明 ,  康泽圭 ,  贝尔加桑·哈巴 ,  菲利普·R·奥斯本 ,  王纬舜 ,  埃利斯·周 ,  伊利亚斯·穆罕默德 ,  增田纪仁 ,  佐久间和夫 ,  桥本清彰 ,  黑泽太郎 ,  菊池智行

IPC: H01L25/10 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L24/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/043 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14625 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/1713 ,  H01L2224/17179 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45101 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/49105 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种微电子组件(210)，包括具有第一表面(214)和远离第一表面(214)的第二表面(216)的衬底(212)。微电子元件(222)覆盖第一表面(214)，第一导电元件(228)暴露在第一表面(214)和第二表面(222)的一个处。第一导电元件(228)的一些与微电子元件(222)电连接。线键合(232)具有与导电元件(228)接合的基区(234)以及远离衬底(212)和基区(234)的端表面(238)，每个线键合(232)限定在基区(234)和端表面(238)之间延伸的边缘表面(237)。封装层(242)从第一表面(214)延伸并填充线键合(232)之间的空间，以便通过封装层(242)分离线键合(232)。通过未被封装层(242)覆盖的线键合的端表面(238)的至少部分限定线键合(232)的未封装部分。

公开(公告)号：CN108695284A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201710224640.4

申请日：2017-04-07

Applicant: 晟碟信息科技(上海)有限公司

Inventor： 刘扬名 ,  邱进添 ,  姬忠礼 ,  董少鹏 ,  周增钰

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/566 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/043 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/071 ,  H01L25/074 ,  H01L25/0756 ,  H01L25/105 ,  H01L25/117 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1435 ,  H01L2924/14361 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/488

Abstract: 公开了一种半导体设备，所述半导体设备至少包括第一组和第二组纵向堆叠且互连的半导体封装体。所述第一组和第二组半导体封装体可以在封装体数量以及功能上彼此不同。

公开(公告)号：CN107180802A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710140025.5

申请日：2017-03-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建勋 ,  沈武 ,  吴俊毅 ,  李建勋

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/52 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/043 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/071 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/81 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法，其中该半导体装置包含：第一裸片，其包含信号垫区和电源垫区；重布线层RDL，其在所述第一裸片上方；多个第一连接件，其在所述RDL上方且在与所述第一裸片相对的所述RDL的一侧；多个第二连接件，其在所述RDL上方且在与所述第一裸片相对的所述侧；第二裸片，其包含信号垫区和电源垫区；其中所述第二裸片与所述第一裸片面对面且通过所述第一连接件和所述RDL电连接到所述第一裸片，其中所述第二裸片的中心相对于所述第一裸片的中心侧向偏移，以便将所述第一裸片的所述信号垫区对应于所述第二裸片的所述信号垫区。本发明还揭示一种用于制造所述半导体装置的相关联方法。

公开(公告)号：CN106098637A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201510830657.5

申请日：2015-11-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宗澍 ,  陈宪伟 ,  谢政杰 ,  黄昶嘉

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/52 ,  H01L23/36 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L25/0652 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3738 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/043 ,  H01L25/074 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06589 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L23/36 ,  H01L23/52

Abstract: 一种示例性封装件包括第一扇出层、位于第一扇出层上方的扇出再分布层(RDL)以及位于扇出RDL上方的第二扇出层。第一扇出层包括一个或多个第一器件管芯以及沿着一个或多个第一器件管芯的侧壁延伸的第一模塑料。第二扇出层包括接合至扇出RDL的一个或多个第二器件管芯、接合至扇出RDL的伪管芯以及沿着一个或多个第二器件管芯和伪管芯的侧壁延伸的第二模塑料。扇出RDL将一个或多个第一器件管芯电连接至一个或多个第二器件管芯，并且伪管芯基本上没有任何有源器件。本发明的实施例还涉及具有伪管芯的扇出堆叠系统级封装(SIP)及其制造方法。