形成集成电路的方法及所得结构

Invention Grant

Patent Title: 形成集成电路的方法及所得结构
Patent Title (English): Methods of forming integrated circuits and resulting structures
Application No.: CN201080009005.0

Application Date: 2010-02-22
Publication No.: CN102326230B

Publication Date: 2014-07-16
Inventor: 古尔特杰·S·桑胡 , 克里希纳·K·帕拉
Applicant: 美光科技公司
Applicant Address: 美国爱达荷州
Assignee: 美光科技公司
Current Assignee: 美光科技公司
Current Assignee Address: 美国爱达荷州
Agency: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
Agent 宋献涛
Priority: 12/392,742 2009.02.25 US
International Application: PCT/US2010/024956 2010.02.22
International Announcement: WO2010/099072 EN 2010.09.02
Date entered country: 2011-08-23
Main IPC: H01L21/20
IPC: H01L21/20

Abstract:

本发明揭示用于在不具有电路的受主衬底上制造集成电路装置的方法。通过在受主衬底上顺序地安置一个或一个以上半导体材料层级且在安置下一较高层级之前在每一半导体材料层级上制造电路来形成集成电路装置。在囊封所述电路之后，移除所述受主衬底且单分半导体裸片。本发明还揭示通过所述方法形成的集成电路装置。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20	....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长