公开(公告)号：CN102956588A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210327420.1

申请日：2012-08-09

申请人： 马克西姆综合产品公司

发明人： A·V·萨莫伊洛夫 ,  T·帕伦特 ,  X·郢

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/544 ,  H01L24/00 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明涉及一种具有在其中形成的穿衬底通孔的半导体器件。在一个或多个实施方式中，所述半导体器件包括利用构图的粘结材料接合在一起的顶部晶片和底部晶片。所述顶部晶片和所述底部晶片包括在其中形成的一个或多个集成电路。所述集成电路连接至配置在所述顶部和所述底部晶片的表面上的一个或多个导电层。形成贯穿所述顶部晶片和所述构图的粘结材料的过孔，使得可以在形成在所述顶部晶片中的所述集成电路与形成在所述底部晶片中的所述集成电路之间形成电互连。所述过孔包括在所述顶部与所述底部晶片之间提供电互连的导电材料。

公开(公告)号：CN102956588B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210327420.1

申请日：2012-08-09

申请人： 马克西姆综合产品公司

发明人： A·V·萨莫伊洛夫 ,  T·帕伦特 ,  X·郢

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/544 ,  H01L24/00 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明涉及一种具有在其中形成的穿衬底通孔的半导体器件。在一个或多个实施方式中，所述半导体器件包括利用构图的粘结材料接合在一起的顶部晶片和底部晶片。所述顶部晶片和所述底部晶片包括在其中形成的一个或多个集成电路。所述集成电路连接至配置在所述顶部和所述底部晶片的表面上的一个或多个导电层。形成贯穿所述顶部晶片和所述构图的粘结材料的过孔，使得可以在形成在所述顶部晶片中的所述集成电路与形成在所述底部晶片中的所述集成电路之间形成电互连。所述过孔包括在所述顶部与所述底部晶片之间提供电互连的导电材料。