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公开(公告)号:CN107507819B
公开(公告)日:2019-12-20
申请号:CN201710687026.1
申请日:2017-08-11
申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号: H01L23/522 , H01L21/768
摘要: 本发明公开了一种基于电容芯板的无源器件集成结构,包括:电容材料层;位于电容材料层第一面的第一电路;位于电容材料层与第一面相对的第二面的第二电路;覆盖第一电路及部分电容材料层第一面的第一介质层;覆盖第二电路及部分电容材料层第二面的第二介质层;贯穿第一介质层且与第一电路电连接的若干第一导电通孔;贯穿第二介质层且与第二电路电连接的若干第二导电通孔;位于第一介质层外表面的第三电路及第一保护层,所述第三电路与所述第一导电通孔电连接,以及位于第二介质层外表面的第四电路及第二保护层,所述第四电路与所述第二导电通孔电连接。
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公开(公告)号:CN107123626B
公开(公告)日:2019-10-18
申请号:CN201710389595.8
申请日:2017-05-27
申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/60
摘要: 本发明的一个实施例提供一种封装结构的制造方法,包括:在基板上形成贯通基板的芯片槽;将芯片埋置在所述芯片槽中;在所述芯片的背面和所述基板的第一面上形成第一散热结构;以及在所述基板的第二面上形成第二散热结构,其中将芯片埋置在所述芯片槽中是通过在所述芯片与所述芯片槽之间填充光敏型树脂来完成的。
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公开(公告)号:CN105934110B
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201610403486.2
申请日:2016-06-08
申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
摘要: 本发明提供一种多层板制作的方法,先将两张双面覆铜板通过第二半固化片、第三半固化片低温压合在一张承载板上下两面上,形成超薄多层板加工用的三明治结构;然后在超薄多层板加工用的三明治结构上下表面通过激光钻孔形成上下双面覆铜板上的盲孔;接着在步骤S5的结构上通过金属化形成两张双面覆铜板上的另一面线路;然后在超薄多层板加工用的三明治结构上下表面将两张外层铜箔通过第四半固化片、第五半固化片高温压合,形成固化后三明治结构;承载板的离型膜外侧形成两个四层电路板结构;最后将承载板的离型膜外侧的两个四层电路板结构揭下来。本发明可降低工艺难度,一次制造两张电路板,提高了效率;解决制作基板产生的翘曲问题。
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公开(公告)号:CN105047630B
公开(公告)日:2018-05-22
申请号:CN201510397775.1
申请日:2015-07-08
申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号: H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/367
CPC分类号: H01L2224/16225
摘要: 本发明涉及一种芯片后组装有源埋入封装结构及其生产工艺,包括:提供用于承载芯片的载板;在载板上通过筑坝介质层临时键合基板坝体,基板坝体上开设槽体;槽体中贴装芯片,芯片正面的凸点与载板上表面的铜凸点连接,芯片背面裸露;经层压将芯片与载板键合,筑坝介质层填充在芯片的底部以及芯片与基板坝体之间的间隙;在载板下表面焊盘进行植BGA球。本发明采用芯片后埋置的工艺,结合高温层压工艺直接完成芯片凸点与载板凸点之间键合,筑坝介质层填充在芯片与载板之间,工艺简单与基板工艺兼容性较好,能够很大程度上降低其工艺成本提高芯片封装性能;并且芯片采用后组装的方式使芯片背面裸露,解决芯片内埋置不易散热的问题。
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公开(公告)号:CN105161466B
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201510398907.2
申请日:2015-07-08
申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC分类号: H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244
摘要: 本发明涉及一种高功率器件扇出型封装结构及生产工艺,其特征是包括芯板,芯板上的槽体中设置芯片;所述芯板、芯片、下层介质材料和上层介质材料压合在一起;所述上层介质材料位于芯板背面的正上方,上层介质材料的表面设有金属层,在上层介质材料上设有开口,开口位于芯片背面的正上方,在开口中填充热沉;在所述下层介质材料的下表面设有阻焊层,在阻焊层中布置RDL线路层,RDL线路层的焊盘上设有BGA球;在所述下层介质材料上设有激光盲孔,激光盲孔中填充电镀金属,RDL线路层通过激光盲孔中的电镀金属与芯片正面的焊盘互连。在所述芯片的表面包覆树脂层。本发明解决了高功率器件进行扇出型封装的散热问题;并且工艺简单与多数芯片相兼容。
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公开(公告)号:CN107507819A
公开(公告)日:2017-12-22
申请号:CN201710687026.1
申请日:2017-08-11
申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号: H01L23/522 , H01L21/768
摘要: 本发明公开了一种基于电容芯板的无源器件集成结构,包括:电容材料层;位于电容材料层第一面的第一电路;位于电容材料层与第一面相对的第二面的第二电路;覆盖第一电路及部分电容材料层第一面的第一介质层;覆盖第二电路及部分电容材料层第二面的第二介质层;贯穿第一介质层且与第一电路电连接的若干第一导电通孔;贯穿第二介质层且与第二电路电连接的若干第二导电通孔;位于第一介质层外表面的第三电路及第一保护层,所述第三电路与所述第一导电通孔电连接,以及位于第二介质层外表面的第四电路及第二保护层,所述第四电路与所述第二导电通孔电连接。
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公开(公告)号:CN104576406B
公开(公告)日:2017-12-22
申请号:CN201410834745.8
申请日:2014-12-29
申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号: H01L21/48 , H01L23/498
CPC分类号: H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要: 本发明公开了一种封装基板的制作方法及所对应的封装基板。通过制作用于承载芯片的承载板,封装基板包括金属板材和位于金属板材双面的多层金属层,在金属板材的第一表面上的多层金属层形成互连线路,包括互连电极和互连电路,互连电极上形成有铜柱,在互连电路和铜柱上形成第一塑封结构,第一塑封结构将铜柱裸露出来,图案化承载板上没有互连线路的另一面形成窗口从而将互连线路裸露出来,在窗口中将至少一个芯片与裸露出来的互连电极焊装贴合后进行塑封处理形成第二塑封结构,对第二塑封结构进行切割后形成封装芯片,本发明使得封装基板的制作和塑封在同一个流程中形成,无需制作高精度的模具,降低了芯片封装成本,缩短了芯片封装周期。
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公开(公告)号:CN106920784A
公开(公告)日:2017-07-04
申请号:CN201710208788.9
申请日:2017-03-31
申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/528 , H01L21/56
CPC分类号: H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/24137 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/528
摘要: 本发明实施例公开了一种电力电子器件的扇出型封装结构及封装方法,其中所述电力电子器件的扇出型封装结构包括:芯片载体和芯片,所述芯片的背面与所述芯片载体的表面键合,所述芯片的正面具有至少两个电极和位于所述电极上的导电柱;所述芯片通过塑封工艺形成有塑封层,所述塑封层的表面与所述导电柱的表面平齐;所述塑封层的表面上依次形成有介质层和再布线层,所述介质层和所述再布线层的表面平齐,所述再布线层与所述导电柱直接接触。本发明使得大功率电力电子器件在高开关频率下的损耗降低,散热性能更好。
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公开(公告)号:CN104174622B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201410343242.0
申请日:2014-07-17
申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
摘要: 本发明公开一种通用放置架,包括具有容纳空间的支架,所述支架的底部可调节设置有若干用于固定玻璃基板的下部支撑滑块,所述支架的腰部位置设置有至少一组水平支撑杆,所述水平支撑杆之间可调节设置有若干用于固定所述玻璃基板的上部支撑滑块。提供一种能够放置并清洗多种不同尺寸的玻璃基板的通用放置架,既满足厂家用于清洗大尺寸的方形玻璃基板的要求,又满足厂家用于清洗小尺寸的圆形玻璃基板的要求,较好地减少了放置架的种类和数量,有效地节约了厂家的放置空间和研发成本。
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公开(公告)号:CN104241153B
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201410473259.8
申请日:2014-09-16
申请人: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人: 郭学平
摘要: 本发明涉及电子封装技术领域,特别涉及一种板级扇出型结构的封装方法,包括:压合铜箔、贴装芯片、压合介质层、制作盲孔、线路制作、压合组焊层、植球和剥离等步骤。本发明提供的板级扇出型结构的封装方法,在芯板的上、下侧对称设计两个扇出型封装结构,在制造的过程中由于芯板的上、下端受力对称均匀;在剥离第一双层铜箔结构和第二双层铜箔结构之前,采用高温退火的方式消除内部应力,因此不会产生翘曲等机械形变问题,保证了扇出型结构的质量及性能。此外,本发明提供的板级扇出型结构的封装方法可同时制造两个扇出型结构,提高了生产效率。
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