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公开(公告)号：CN112908860B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202110062927.8
申请日：2021-01-18
申请人： 上海先方半导体有限公司 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/367 , H01L23/473
摘要： 本发明提供了一种高带宽内存结构及其制作方法，包括：形成基板，在基板上附连芯片；形成散热盖体于芯片之上；制备水冷散热系统，所述水冷散热系统具有三维蜂窝状的微槽道；将水冷散热系统附连于所述散热盖体之上，在微槽道内灌入制冷液；使导热管依次穿过水冷散热系统及散热盖体，直至到达芯片的表面。
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公开(公告)号：CN114335206B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202111638595.X
申请日：2021-12-29
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海先方半导体有限公司
IPC分类号： H01L31/024 , H01L31/101 , H01L31/18 , G01B11/00
摘要： 本发明提供一种位置探测器及其制备方法，所述位置探测器包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层中的顶部区域的光敏层和环绕所述光敏层的边框掺杂层，所述边框掺杂层和所述光敏层的导电类型相同，所述边框掺杂层的掺杂浓度大于所述光敏层的掺杂浓度；位于所述边框掺杂层外侧的半导体衬底层上的加热件，所述加热件适于对所述边框掺杂层进行加热。本发明的位置探测器在探测面积较大的情况下兼顾实现可调整的高分辨率。
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公开(公告)号：CN112908946B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202110063190.1
申请日：2021-01-18
申请人： 上海先方半导体有限公司 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L21/60
摘要： 本发明公开一种降低塑封晶圆翘曲的封装结构，包括转接板，贴装于转接板上的芯片，以及包覆芯片的第一塑封层，转接板上设置有硅通孔，其第一表面及第二表面分别设置有与硅通孔电连接的外接焊球和/或外接焊盘。该封装结构的制作过程包括：在转接板第一表面工艺完成后，在其第一表面键合第一载片，然后切割所述第一载片，露出贴片区域，然后进行贴片等后续工艺，最后将第一载片切割去除，完成封装。
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公开(公告)号：CN114245583B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202111548477.X
申请日：2021-12-17
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海先方半导体有限公司
IPC分类号： H05K3/00 , H05K1/02 , H01L23/473
摘要： 本发明提供了一种用于芯片冷却的流道结构及其制作方法，包括：至少一个第一肋片，布置于流道第一侧壁面，所述第一肋片沿第一方向延伸以用于沿第一方向引导流道中的冷却液；以及至少一个第二肋片，布置于流道第二侧壁面，所述第二肋片沿第二方向延伸以用于沿第二方向引导流道中的冷却液，其中所述第一肋片与第二肋片彼此相交并在相交处彼此连通。
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公开(公告)号：CN111834235B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202010736473.3
申请日：2020-07-28
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/498
摘要： 本发明提供了一种通孔填充方法及结构，方法包括：利用光刻胶填充通孔，形成填料体；去除所述基底表面上的光刻胶，其中所述通孔内的填料体向内凹陷；在所述填料体上进行曝光打孔，形成标准孔，所述标准孔的孔径小于所述通孔的孔径；将所述填料体进行固化；进行金属沉积，形成过渡结构，所述过渡结构包覆标准孔侧壁、基底表面以及固化胶体的外表面；通过金属电镀工艺形成电镀金属层，填充所述标准孔；以及去除基底上下表面上的过渡结构和电镀金属层，上述方法形成的结构避免了大孔径高深宽比孔出现空洞及表面镀层过厚等问题，良率高，成本低且可实现性好。
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公开(公告)号：CN115050730A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210740051.2
申请日：2022-06-28
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L25/07 , H01L21/56 , H01L23/367 , H01L23/473 , H01L23/48
摘要： 本发明公开一种具有双面散热结构的封装结构，其包括双面散热结构及N个芯片组。其中双面散热结构包括N个芯片腔，且每个芯片腔的上下两侧均设置有散热模块，N个芯片组分别设置于N个芯片腔中，且可通过所述双面散热结构进行电连接。
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公开(公告)号：CN114792632A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210194575.6
申请日：2022-03-01
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/482 , H01L23/485 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/60
摘要： 本发明提供一种封装方法，包括如下步骤：提供转接板；在转接板的一侧设置第一临时键合基板；在转接板的另一侧表面形成第一重布线结构；在转接板的一侧设置第一临时键合基板之后，在部分第一重布线结构背向转接板的一侧形成焊球，焊球与第一重布线结构电学连接；在焊球背向转接板的一侧设置第二临时键合基板；设置第二临时键合基板之后，去除第一临时键合基板；去除第一临时键合基板之后，将芯片设置在转接板背向第一重布线结构的一侧；在转接板背向第一重布线结构的一侧形成包围芯片的塑封层。因塑封层产生的翘曲对封装结构的影响较小，降低了封装过程中对封装工艺设备的要求，提高了封装工艺对设备的选择性。
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公开(公告)号：CN113284867B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110499384.6
申请日：2021-05-07
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海先方半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/473 , H01L23/42 , H01L21/50
摘要： 本发明提供一种三维堆叠封装结构及其制备方法，三维堆叠封装结构包括：相对设置的下基板和上基板；位于下基板和上基板之间的第一芯片，第一芯片与下基板电学连接；第一微流道液冷板，位于上基板和下基板之间且设置于第一芯片背离下基板的一侧；第二芯片，设置于上基板背向第一微流道液冷板的一侧，第二芯片与上基板电学连接。第一芯片产生的热量能够以较短的路径传输至第一微流道液冷板以对第一芯片进行散热，提高了第一芯片的散热效果，避免由于结温过高导致第一芯片失效。第二芯片产生的热量也能够通过第一微流道液冷板进行散热，提高了第二芯片的散热效果。综上，第一微流道液冷板的设置提高了三维堆叠封装结构的散热效果。
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公开(公告)号：CN113130316B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110379707.8
申请日：2021-04-08
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海先方半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/308
摘要： 本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括：提供晶圆组，晶圆组包括第一晶圆至第N晶圆，N为大于等于3的整数；在第k晶圆的正面的部分区域嵌入第k阻挡层，k为大于等于3且小于等于N的整数；在第一晶圆的背面的部分区域嵌入第一阻挡层；形成第k2阻挡层之后，键合第k2晶圆的正面和第k1晶圆的背面,k2‑k1＝1，k2为大于等于3且小于等于N的整数；形成第一阻挡层之后，键合第一晶圆的背面和第二晶圆的正面；以第一阻挡层、以及第三阻挡层至第N阻挡层为掩膜，从第一晶圆的正面刻蚀第一晶圆至第N晶圆，以在第一晶圆至第N晶圆中形成多台阶凹槽。多台阶凹槽的底部平整，形貌良好，精度较高。
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