发明授权
- 专利标题： 一种位置探测器及其制备方法
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申请号： CN202111638595.X申请日： 2021-12-29
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公开(公告)号： CN114335206B公开(公告)日： 2024-05-03
- 发明人: 孙思维 , 盛宇 , 刘丰满 , 曹立强 , 肖克来提
- 申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海先方半导体有限公司
- 申请人地址： 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号传感网国际创新园D1栋;
- 专利权人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,上海先方半导体有限公司
- 当前专利权人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,上海先方半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号传感网国际创新园D1栋;
- 代理机构： 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- 代理商 董越
- 主分类号： H01L31/024
- IPC分类号： H01L31/024 ; H01L31/101 ; H01L31/18 ; G01B11/00
摘要：
本发明提供一种位置探测器及其制备方法，所述位置探测器包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层中的顶部区域的光敏层和环绕所述光敏层的边框掺杂层，所述边框掺杂层和所述光敏层的导电类型相同，所述边框掺杂层的掺杂浓度大于所述光敏层的掺杂浓度；位于所述边框掺杂层外侧的半导体衬底层上的加热件，所述加热件适于对所述边框掺杂层进行加热。本发明的位置探测器在探测面积较大的情况下兼顾实现可调整的高分辨率。
公开/授权文献
- CN114335206A 一种位置探测器及其制备方法 公开/授权日：2022-04-12
IPC分类:
