公开(公告)号：CN112908860B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202110062927.8

申请日：2021-01-18

申请人： 上海先方半导体有限公司 ,  华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 樊嘉祺 ,  曹立强

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/367 ,  H01L23/473

摘要： 本发明提供了一种高带宽内存结构及其制作方法，包括：形成基板，在基板上附连芯片；形成散热盖体于芯片之上；制备水冷散热系统，所述水冷散热系统具有三维蜂窝状的微槽道；将水冷散热系统附连于所述散热盖体之上，在微槽道内灌入制冷液；使导热管依次穿过水冷散热系统及散热盖体，直至到达芯片的表面。

公开(公告)号：CN114335206B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202111638595.X

申请日：2021-12-29

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 ,  上海先方半导体有限公司

发明人： 孙思维 ,  盛宇 ,  刘丰满 ,  曹立强 ,  肖克来提

IPC分类号： H01L31/024 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  G01B11/00

摘要： 本发明提供一种位置探测器及其制备方法，所述位置探测器包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层中的顶部区域的光敏层和环绕所述光敏层的边框掺杂层，所述边框掺杂层和所述光敏层的导电类型相同，所述边框掺杂层的掺杂浓度大于所述光敏层的掺杂浓度；位于所述边框掺杂层外侧的半导体衬底层上的加热件，所述加热件适于对所述边框掺杂层进行加热。本发明的位置探测器在探测面积较大的情况下兼顾实现可调整的高分辨率。

公开(公告)号：CN112908946B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202110063190.1

申请日：2021-01-18

申请人： 上海先方半导体有限公司 ,  华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 徐成 ,  曹立强 ,  孙鹏 ,  耿菲

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

摘要： 本发明公开一种降低塑封晶圆翘曲的封装结构，包括转接板，贴装于转接板上的芯片，以及包覆芯片的第一塑封层，转接板上设置有硅通孔，其第一表面及第二表面分别设置有与硅通孔电连接的外接焊球和/或外接焊盘。该封装结构的制作过程包括：在转接板第一表面工艺完成后，在其第一表面键合第一载片，然后切割所述第一载片，露出贴片区域，然后进行贴片等后续工艺，最后将第一载片切割去除，完成封装。

公开(公告)号：CN114245583B

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202111548477.X

申请日：2021-12-17

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 ,  上海先方半导体有限公司

发明人： 陈钏 ,  周云燕 ,  陈海英 ,  曹立强

IPC分类号： H05K3/00 ,  H05K1/02 ,  H01L23/473

摘要： 本发明提供了一种用于芯片冷却的流道结构及其制作方法，包括：至少一个第一肋片，布置于流道第一侧壁面，所述第一肋片沿第一方向延伸以用于沿第一方向引导流道中的冷却液；以及至少一个第二肋片，布置于流道第二侧壁面，所述第二肋片沿第二方向延伸以用于沿第二方向引导流道中的冷却液，其中所述第一肋片与第二肋片彼此相交并在相交处彼此连通。

公开(公告)号：CN113284867B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202110499384.6

申请日：2021-05-07

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 ,  上海先方半导体有限公司

发明人： 张文雯 ,  曹立强 ,  周云燕 ,  苏梅英 ,  陈钏 ,  侯峰泽

IPC分类号： H01L23/473 ,  H01L23/42 ,  H01L21/50

摘要： 本发明提供一种三维堆叠封装结构及其制备方法，三维堆叠封装结构包括：相对设置的下基板和上基板；位于下基板和上基板之间的第一芯片，第一芯片与下基板电学连接；第一微流道液冷板，位于上基板和下基板之间且设置于第一芯片背离下基板的一侧；第二芯片，设置于上基板背向第一微流道液冷板的一侧，第二芯片与上基板电学连接。第一芯片产生的热量能够以较短的路径传输至第一微流道液冷板以对第一芯片进行散热，提高了第一芯片的散热效果，避免由于结温过高导致第一芯片失效。第二芯片产生的热量也能够通过第一微流道液冷板进行散热，提高了第二芯片的散热效果。综上，第一微流道液冷板的设置提高了三维堆叠封装结构的散热效果。

公开(公告)号：CN113130316B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202110379707.8

申请日：2021-04-08

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 ,  上海先方半导体有限公司

发明人： 范俊 ,  曹立强

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/308

摘要： 本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括：提供晶圆组，晶圆组包括第一晶圆至第N晶圆，N为大于等于3的整数；在第k晶圆的正面的部分区域嵌入第k阻挡层，k为大于等于3且小于等于N的整数；在第一晶圆的背面的部分区域嵌入第一阻挡层；形成第k2阻挡层之后，键合第k2晶圆的正面和第k1晶圆的背面,k2‑k1＝1，k2为大于等于3且小于等于N的整数；形成第一阻挡层之后，键合第一晶圆的背面和第二晶圆的正面；以第一阻挡层、以及第三阻挡层至第N阻挡层为掩膜，从第一晶圆的正面刻蚀第一晶圆至第N晶圆，以在第一晶圆至第N晶圆中形成多台阶凹槽。多台阶凹槽的底部平整，形貌良好，精度较高。

公开(公告)号：CN110649001B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201910930837.9

申请日：2019-09-29

申请人： 上海先方半导体有限公司 ,  华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 戴风伟 ,  曹立强

IPC分类号： H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/48 ,  H01L23/552 ,  H01L25/18 ,  H01L21/98 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/50 ,  H01Q1/52 ,  H01Q21/00

摘要： 本发明公开了一种集成天线结构的2.5D多芯片封装结构，包括：衬底；多芯片塑封层，所述多芯片塑封层设置在所述衬底的上面；反射互连层，所述反射互连层设置在所述多芯片塑封层的上面；天线隔离层，所述天线隔离层设置在所述反射互连层的上面；天线阵列，所述天线阵列设置在所述天线隔离层的上表面；衬底背面重新布局布线层，所述衬底背面重新布局布线层设置在所述衬底的下面；外接焊球，所述外接焊球设置成与所述衬底背面重新布局布线层的外接焊盘电连接；以及钝化层，所述钝化层覆盖所述衬底背面重新布局布线层。

公开(公告)号：CN113517263A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110784789.4

申请日：2021-07-12

申请人： 上海先方半导体有限公司 ,  华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 张春艳 ,  曹立强 ,  曾淑文

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L21/768 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

摘要： 本发明提供一种堆叠结构及堆叠方法，堆叠结构包括依次垂直层叠且电学连接的第一封装模块至第N封装模块，N为大于等于2的整数，第n封装模块包括第n半导体单元，n为大于等于1小于等于N的整数；第j封装模块还包括：覆盖第j半导体单元的第一表面的第一介质层，j为大于等于1小于等于N‑1的整数；贯穿第一介质层的第一焊料件；第j+1封装模块还包括：覆盖第j+1半导体单元的第二表面的第二介质层；贯穿第二介质层的第二焊料件；其中，第j封装模块的第一介质层与第j+1封装模块的第二介质层相互键合；第j封装模块的第一焊料件与第j+1半导体模块的第二焊料件焊接在一起。堆叠结构具有较高的结构稳定性，保证了堆叠结构的正常工作。

公开(公告)号：CN113421868A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202110689610.7

申请日：2021-06-21

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 ,  上海先方半导体有限公司

发明人： 陈钏 ,  李君 ,  王启东 ,  曹立强

IPC分类号： H01L23/473 ,  H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L21/48

摘要： 本发明涉及芯片热管理技术领域，提出一种芯片冷却装置及其装配方法。所述冷却装置包括多个金属热界面材料层；进液管；出液管；以及多个热沉粒。本发明通过采用热沉粒与金属化整为零的布置方式，并且通过热沉粒与输送冷却液的管道之间的柔性连接，可以在热沉粒、金属热界面材料层以及大尺寸芯片之间形成较小的应力，有效解决了大尺寸高功耗芯片的散热问题。

公开(公告)号：CN113299562A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110574088.8

申请日：2021-05-25

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 ,  上海先方半导体有限公司

发明人： 戴风伟 ,  曹立强

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/498

摘要： 本发明提供一种转接板制造方法和转接板。转接板制造方法包括以下步骤：提供制作基底，制作基底为硅基底；形成第一重布线层，在制作基底一侧形成第一重布线层；形成多个金属柱，在第一重布线层背向制作基底一侧形成多个金属柱，多个金属柱分别与第一重布线层中的第一金属互联结构电性接触；形成塑封层，在第一重布线层背向制作基底一侧形成塑封层，塑封层包覆多个金属柱，并暴露多个金属柱背向第一重布线层一侧的端面；形成第二重布线层，在塑封层背向第一重布线层一侧形成第二重布线层，多个金属柱分别与第二重布线层中的第二金属互联结构电性接触；去除制作基底。本发明的制造方法可制造具有高互联密度的重布线层的转接板。