-
公开(公告)号：CN113284867A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110499384.6
申请日：2021-05-07
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海先方半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/473 , H01L23/42 , H01L21/50
摘要： 本发明提供一种三维堆叠封装结构及其制备方法，三维堆叠封装结构包括：相对设置的下基板和上基板；位于下基板和上基板之间的第一芯片，第一芯片与下基板电学连接；第一微流道液冷板，位于上基板和下基板之间且设置于第一芯片背离下基板的一侧；第二芯片，设置于上基板背向第一微流道液冷板的一侧，第二芯片与上基板电学连接。第一芯片产生的热量能够以较短的路径传输至第一微流道液冷板以对第一芯片进行散热，提高了第一芯片的散热效果，避免由于结温过高导致第一芯片失效。第二芯片产生的热量也能够通过第一微流道液冷板进行散热，提高了第二芯片的散热效果。综上，第一微流道液冷板的设置提高了三维堆叠封装结构的散热效果。
-
公开(公告)号：CN113284867B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110499384.6
申请日：2021-05-07
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海先方半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/473 , H01L23/42 , H01L21/50
摘要： 本发明提供一种三维堆叠封装结构及其制备方法，三维堆叠封装结构包括：相对设置的下基板和上基板；位于下基板和上基板之间的第一芯片，第一芯片与下基板电学连接；第一微流道液冷板，位于上基板和下基板之间且设置于第一芯片背离下基板的一侧；第二芯片，设置于上基板背向第一微流道液冷板的一侧，第二芯片与上基板电学连接。第一芯片产生的热量能够以较短的路径传输至第一微流道液冷板以对第一芯片进行散热，提高了第一芯片的散热效果，避免由于结温过高导致第一芯片失效。第二芯片产生的热量也能够通过第一微流道液冷板进行散热，提高了第二芯片的散热效果。综上，第一微流道液冷板的设置提高了三维堆叠封装结构的散热效果。
-
公开(公告)号：CN114171468A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111495587.4
申请日：2021-12-08
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海先方半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/552
摘要： 本发明涉及系统级封装技术领域，提出一种基于电磁超材料的射频微系统。该系统包括：腔室；电磁辐射源，其布置于所述腔室中，其中所述电磁辐射源被配置为产生电磁辐射；热辐射源，其布置于所述腔室中，其中所述热辐射源被配置为产生热辐射；以及电磁超材料层，其被配置为吸收电磁辐射以及热辐射。
-
公开(公告)号：CN114142243A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111502236.1
申请日：2021-12-08
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海先方半导体有限公司
摘要： 本发明涉及电磁超材料技术领域，提出一种三维电磁超材料及其构造方法。所述三维电磁超材料包括：基板；以及电磁超材料单元，其包括：第一和第二平面单元，所述第一和第二平面单元分别布置于所述基板的第一面和第二面上；以及纵向单元，其布置于所述基板内，其中所述纵向单元将所述第一平面单元与所述第二平面单元连接。
-
公开(公告)号：CN114171502A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111494768.5
申请日：2021-12-08
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海先方半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/552
摘要： 本发明涉及系统级封装技术领域，提出一种基于非均匀电磁超材料的射频微系统，包括腔室；多个电磁辐射源，其布置于所述腔室中，其中所述多个电磁辐射源被配置为产生频率各不相同的电磁辐射；以及非均匀电磁超材料层，其包括多个吸波区域，其中所述多个吸波区域被配置为吸收频率各不相同的电磁辐射。
-
公开(公告)号：CN118213750A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410428281.4
申请日：2024-04-09
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
摘要： 本发明涉及天线技术领域，公开了一种可重构天线及可重构天线制备方法，其中，可重构天线包括LTCC基板层、贴片天线层、接地层、第一介电层以及微带线，LTCC基板层中设有流道，并在LTCC基板层上形成进液口和出液口；贴片天线层位于LTCC基板层一侧表面；接地层位于LTCC基板背离贴片天线层的一侧表面；第一介电层位于接地层背离贴片天线层的一侧表面；微带线位于第一介电层背离接地层的一侧表面，或至少部分微带线嵌入第一介电层中；其中，流道内适于填充不同介电常数的流体。
-
公开(公告)号：CN117956807A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410132002.X
申请日：2024-01-30
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H10B80/00 , H01L23/482 , H01L23/485 , H01L21/60
摘要： 本发明涉及一种三维堆叠存储器及其制造方法。所述三维堆叠存储器包括多个存储器子模块，所述多个存储器子模块通过模块间连接结构电连接，所述存储器子模块包括：第一重布线层、第一垂直互连结构、第一存储芯片模块、第一塑封层、第二重布线层、第二垂直互连结构、第二存储芯片模块、第二塑封层以及第三重布线层。所述第二重布线层通过所述第一垂直互连结构与所述第一重布线层电连接；所述第三重布线层通过所述第二垂直互连结构与所述第二重布线层电连接。通过基于FOWLP工艺，形成三维堆叠存储器，实现存储芯片根据系统需求自定义扩展位宽的需求。三维堆叠存储器能实现大位宽、大容量，并有效地减小了系统面积，并相较HBM能有效减低芯片的制备成本。
-
公开(公告)号：CN115295508A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210779722.6
申请日：2022-07-04
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/552
摘要： 本发明涉及一种基于吸波屏蔽结构的射频微系统，包括：辐射源，其被配置为产生电磁辐射；以及吸波屏蔽结构，其被配置为吸收和屏蔽所述辐射源产生的电磁辐射，其中所述吸波屏蔽结构包括：电磁超材料层，其被配置为吸收电磁辐射；谐振腔，其被配置为吸收电磁辐射；共形屏蔽层，其被配置为屏蔽电磁辐射。
-
公开(公告)号：CN116053225A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310016030.0
申请日：2023-01-05
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31 , H01L21/56
摘要： 本发明提供一种射频封装结构及其制备方法，属于半导体封装技术领域，射频封装结构包括依次层叠且电学连接的第一模块至第N模块，N为大于等于2的整数；m为大于等于1且小于等于N‑1的整数，第m模块包括第m基板、设置在第m基板一侧的第m射频芯片和设置在第m基板一侧表面的第m散热结构，第m散热结构位于第m基板与第m+1基板之间并与第m基板形成第m容置空间，第m射频芯片位于第m容置空间内且与第m基板电学连接，且第m射频芯片背离第m基板的一侧表面与第m散热结构连接，第m散热结构的材料为金属；第N模块包括第N基板、以及位于第N基板背离第一模块的一侧表面的天线层。上述结构改善了射频封装结构的集成度，提升了性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
9 条记录 (耗时 0.074 秒)
