公开(公告)号：CN113130316B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202110379707.8

申请日：2021-04-08

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 ,  上海先方半导体有限公司

发明人： 范俊 ,  曹立强

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/308

摘要： 本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括：提供晶圆组，晶圆组包括第一晶圆至第N晶圆，N为大于等于3的整数；在第k晶圆的正面的部分区域嵌入第k阻挡层，k为大于等于3且小于等于N的整数；在第一晶圆的背面的部分区域嵌入第一阻挡层；形成第k2阻挡层之后，键合第k2晶圆的正面和第k1晶圆的背面,k2‑k1＝1，k2为大于等于3且小于等于N的整数；形成第一阻挡层之后，键合第一晶圆的背面和第二晶圆的正面；以第一阻挡层、以及第三阻挡层至第N阻挡层为掩膜，从第一晶圆的正面刻蚀第一晶圆至第N晶圆，以在第一晶圆至第N晶圆中形成多台阶凹槽。多台阶凹槽的底部平整，形貌良好，精度较高。

公开(公告)号：CN113130316A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110379707.8

申请日：2021-04-08

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 ,  上海先方半导体有限公司

发明人： 范俊 ,  曹立强

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/308

摘要： 本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括：提供晶圆组，晶圆组包括第一晶圆至第N晶圆，N为大于等于3的整数；在第k晶圆的正面的部分区域嵌入第k阻挡层，k为大于等于3且小于等于N的整数；在第一晶圆的背面的部分区域嵌入第一阻挡层；形成第k2阻挡层之后，键合第k2晶圆的正面和第k1晶圆的背面,k2‑k1＝1，k2为大于等于3且小于等于N的整数；形成第一阻挡层之后，键合第一晶圆的背面和第二晶圆的正面；以第一阻挡层、以及第三阻挡层至第N阻挡层为掩膜，从第一晶圆的正面刻蚀第一晶圆至第N晶圆，以在第一晶圆至第N晶圆中形成多台阶凹槽。多台阶凹槽的底部平整，形貌良好，精度较高。