发明授权
- 专利标题: 通孔填充方法及结构
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申请号: CN202010736473.3申请日: 2020-07-28
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公开(公告)号: CN111834235B公开(公告)日: 2022-10-28
- 发明人: 武晓萌 , 曹立强 , 于中尧 , 王启东
- 申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
- 专利权人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
- 当前专利权人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
- 代理机构: 上海智晟知识产权代理事务所
- 代理商 张东梅
- 主分类号: H01L21/48
- IPC分类号: H01L21/48 ; H01L23/498
摘要:
本发明提供了一种通孔填充方法及结构,方法包括:利用光刻胶填充通孔,形成填料体;去除所述基底表面上的光刻胶,其中所述通孔内的填料体向内凹陷;在所述填料体上进行曝光打孔,形成标准孔,所述标准孔的孔径小于所述通孔的孔径;将所述填料体进行固化;进行金属沉积,形成过渡结构,所述过渡结构包覆标准孔侧壁、基底表面以及固化胶体的外表面;通过金属电镀工艺形成电镀金属层,填充所述标准孔;以及去除基底上下表面上的过渡结构和电镀金属层,上述方法形成的结构避免了大孔径高深宽比孔出现空洞及表面镀层过厚等问题,良率高,成本低且可实现性好。
公开/授权文献
- CN111834235A 通孔填充方法及结构 公开/授权日:2020-10-27
IPC分类: