制造半导体装置的方法和分离衬底的方法

    公开(公告)号:CN115588627A

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN202210768303.2

    申请日:2022-07-01

    Abstract: 公开了制造半导体装置的方法和分离衬底的方法。制造半导体装置的方法包括:在载体衬底和装置衬底的第一表面之间提供脱模层,以将装置衬底附着于载体衬底;用紫外线辐射载体衬底,以将载体衬底从脱模层分离并且暴露出脱模层的一个表面;以及对脱模层的一个表面执行清洁处理,以暴露出装置衬底的第一表面。脱模层包括芳香族聚合单元和硅氧烷聚合单元。

    具有改良的散热特性及电磁屏蔽特性的半导体封装

    公开(公告)号:CN110875282A

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201910480913.0

    申请日:2019-06-04

    Abstract: 一种半导体封装可包括:第一半导体芯片,位于布线衬底上并电连接到所述布线衬底;中间层,位于所述第一半导体芯片上且覆盖所述第一半导体芯片的整个表面;第二半导体芯片,位于所述中间层上并电连接到所述布线衬底;模制层,位于所述布线衬底上并覆盖所述第一半导体芯片及所述第二半导体芯片,所述模制层包括一个或多个内表面,所述一个或多个内表面界定模制通孔孔洞,所述模制通孔孔洞暴露出所述中间层的表面的一部分;电磁屏蔽层,位于所述模制层的所述一个或多个内表面上,且还位于所述模制层的一个或多个外表面上;以及散热层,位于所述模制通孔孔洞中的所述电磁屏蔽层上,使得所述散热层填充所述模制通孔孔洞。

    半导体封装件
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110277326B

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN201811265967.7

    申请日:2018-10-29

    Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件。该半导体封装件包括半导体封装衬底。绝缘层设置在半导体封装衬底上。半导体芯片设置在半导体封装衬底上并被绝缘层覆盖。反射层设置在绝缘层上并与半导体芯片间隔开。反射层被配置为选择性将辐射透射到绝缘层。保护层设置在反射层上。

    倒装芯片接合方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110854028B

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN201910752106.X

    申请日:2019-08-15

    Abstract: 一种倒装芯片接合方法,包括:获得裸片,其包括第一衬底和位于第一衬底上的粘合层;将裸片接合至不同于第一衬底的第二衬底;以及,固化粘合层。固化粘合层包括:加热第二衬底以熔化粘合层,以及向粘合层和第二衬底提供压强大于大气压强的空气。

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