公开(公告)号：CN107527900A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710310125.8

申请日：2017-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐光仙 ,  姜明成 ,  金沅槿 ,  朴辰遇 ,  崔容元

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/3303

Abstract: 一种半导体封装包括衬底、堆叠在衬底上的多个半导体芯片以及接合到所述多个半导体芯片的下表面的多个接合层。所述多个接合层可以被分成根据到衬底的距离而各自具有不同物理性质的多个组。

公开(公告)号：CN110854028B

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN201910752106.X

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈华日 ,  崔容元 ,  姜明成 ,  金永锡 ,  金沅槿

IPC: H01L21/56

Abstract: 一种倒装芯片接合方法，包括：获得裸片，其包括第一衬底和位于第一衬底上的粘合层；将裸片接合至不同于第一衬底的第二衬底；以及，固化粘合层。固化粘合层包括：加热第二衬底以熔化粘合层，以及向粘合层和第二衬底提供压强大于大气压强的空气。

公开(公告)号：CN111384008A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201910997715.1

申请日：2019-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李政泌 ,  姜明成 ,  金永锡 ,  徐光仙 ,  刘惠仁 ,  崔容元

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  C09J7/28

Abstract: 公开了一种粘合膜包括：多孔金属层，在其中具有多个孔；第一粘合层，在多孔金属层的一侧上；粘合物质，至少部分地填充多孔金属层的孔隙；以及多个第一导热构件，分布在第一粘合层中。

公开(公告)号：CN110854028A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201910752106.X

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈华日 ,  崔容元 ,  姜明成 ,  金永锡 ,  金沅槿

IPC: H01L21/56

Abstract: 一种倒装芯片接合方法，包括：获得裸片，其包括第一衬底和位于第一衬底上的粘合层；将裸片接合至不同于第一衬底的第二衬底；以及，固化粘合层。固化粘合层包括：加热第二衬底以熔化粘合层，以及向粘合层和第二衬底提供压强大于大气压强的空气。

公开(公告)号：CN107591387B

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN201710266026.4

申请日：2017-04-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔容元 ,  金沅槿 ,  姜明成 ,  徐光仙

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 公开了一种半导体封装件和形成该半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括：第一半导体芯片，包括第一硅通孔(TSV)；第二半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上，并且包括第二TSV；非导电膜，形成在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间。非导电膜包括具有不同粘度的两层。

公开(公告)号：CN107591387A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201710266026.4

申请日：2017-04-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔容元 ,  金沅槿 ,  姜明成 ,  徐光仙

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/563 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589

Abstract: 公开了一种半导体封装件和形成该半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括：第一半导体芯片，包括第一硅通孔(TSV)；第二半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上，并且包括第二TSV；非导电膜，形成在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间。非导电膜包括具有不同粘度的两层。