公开(公告)号：CN115588627A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202210768303.2

申请日：2022-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴天一 ,  金沅槿 ,  严明彻

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了制造半导体装置的方法和分离衬底的方法。制造半导体装置的方法包括：在载体衬底和装置衬底的第一表面之间提供脱模层，以将装置衬底附着于载体衬底；用紫外线辐射载体衬底，以将载体衬底从脱模层分离并且暴露出脱模层的一个表面；以及对脱模层的一个表面执行清洁处理，以暴露出装置衬底的第一表面。脱模层包括芳香族聚合单元和硅氧烷聚合单元。

公开(公告)号：CN115763297A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202210676861.6

申请日：2022-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴天一 ,  严明彻 ,  陈华日

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  C09J7/20

Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括使用粘合构件将载体基板接合到器件晶片上，其中，粘合构件包括：基膜；器件粘合膜，设置在基膜的下表面上，并接触器件晶片；以及载体粘合膜，设置在基膜的上表面上，并接触载体基板。器件粘合膜包括气体发泡剂，并且载体粘合膜可以不包括气体发泡剂。

公开(公告)号：CN117659879A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311147312.0

申请日：2023-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴天一 ,  严明彻

IPC: C09J7/20 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及晶片临时胶粘带、晶片堆叠结构体和加工半导体晶片的方法。晶片临时胶粘带包括：配置为附着至器件晶片的器件胶粘层，在所述器件胶粘层上的基础层，以及在所述基层上且配置为附着至载体晶片的载体胶粘层，其中所述基础层包括可通过吸收激光束而化学分解的激光分解性材料层。