公开(公告)号：CN114823652A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202111305903.7

申请日：2021-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南杰 ,  张根豪 ,  张喆容 ,  崔东朱

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L23/50

Abstract: 公开的是一种半导体封装件，所述半导体封装件包括下半导体芯片和垂直堆叠在所述下半导体芯片的顶表面上的上半导体芯片。所述上半导体芯片包括第一上半导体芯片和第二上半导体芯片。所述第一上半导体芯片位于所述下半导体芯片与所述第二上半导体芯片之间。每一个所述第一上半导体芯片的厚度是所述下半导体芯片的厚度的0.4倍至0.95倍。所述第二上半导体芯片的厚度与所述第一上半导体芯片的厚度相同或大于所述第一上半导体芯片的厚度。所述第一上半导体芯片和所述第二上半导体芯片的总数是4n，其中n是等于或大于三的自然数。

公开(公告)号：CN115295540A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210169344.X

申请日：2022-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔东朱

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/485 ,  H01L23/482 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 一种半导体封装，包括：中间层基板；上半导体芯片，在所述中间层基板的顶表面上，以使所述上半导体芯片的底表面面对所述中间层基板的顶表面；芯片堆叠，在所述中间层基板的底表面上并且包括多个堆叠的下半导体芯片，其中，每个下半导体芯片包括在其中多个贯通孔，其中，所述芯片堆叠的顶表面面对所述中间层基板的底表面；模塑层；模塑层，覆盖所述芯片堆叠的侧壁、所述中间层基板的侧壁和所述上半导体芯片的侧壁；以及多个连接端子，设置在所述芯片堆叠的与所述芯片堆叠的顶表面相对的底表面下方，并且被耦接到贯通孔。所述上半导体芯片通过所述中间层基板电连接到所述贯通孔。

公开(公告)号：CN113611693A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202110195591.2

申请日：2021-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔东朱 ,  白承德 ,  金荣得

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498

Abstract: 提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：下半导体芯片，所述下半导体芯片包括下半导体衬底、覆盖所述下半导体衬底的无源表面的后表面保护层、多个下通路电极、以及布置在所述后表面保护层上的多个后表面信号焊盘和多个后表面导热焊盘；上半导体芯片，所述上半导体芯片包括上半导体衬底、位于所述上半导体衬底的有源表面上的布线结构、覆盖所述布线结构并具有多个前表面开口的前表面保护层、以及填充所述前表面开口的多个信号通路和多个导热通路；以及多个信号凸块和多个导热凸块，所述多个信号凸块连接在所述后表面信号焊盘与所述信号通路之间，所述多个导热凸块连接在所述后表面导热焊盘与所述导热通路之间。