公开(公告)号：CN110071048B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN201910030665.X

申请日：2019-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金兑炯 ,  金泳龙 ,  南杰

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H10B80/00

Abstract: 公开了半导体封装以及制造该半导体封装的方法。制造半导体封装的方法可以包括：提供载体基板，该载体基板具有形成在载体基板的第一顶表面上的沟槽；在载体基板上提供第一半导体芯片；将至少一个第二半导体芯片安装在第一半导体芯片的第二顶表面上；涂覆模构件以围绕第一半导体芯片的第一侧表面和所述至少一个第二半导体芯片的第二侧表面；以及固化模构件以形成模层。该沟槽可以沿着第一半导体芯片的第一边缘提供。该模构件可以覆盖第一半导体芯片的底表面的第二边缘。

公开(公告)号：CN114823652A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202111305903.7

申请日：2021-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南杰 ,  张根豪 ,  张喆容 ,  崔东朱

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L23/50

Abstract: 公开的是一种半导体封装件，所述半导体封装件包括下半导体芯片和垂直堆叠在所述下半导体芯片的顶表面上的上半导体芯片。所述上半导体芯片包括第一上半导体芯片和第二上半导体芯片。所述第一上半导体芯片位于所述下半导体芯片与所述第二上半导体芯片之间。每一个所述第一上半导体芯片的厚度是所述下半导体芯片的厚度的0.4倍至0.95倍。所述第二上半导体芯片的厚度与所述第一上半导体芯片的厚度相同或大于所述第一上半导体芯片的厚度。所述第一上半导体芯片和所述第二上半导体芯片的总数是4n，其中n是等于或大于三的自然数。

公开(公告)号：CN107104081B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201710097125.4

申请日：2017-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄智焕 ,  朴商植 ,  闵台洪 ,  南杰

IPC: H01L23/24 ,  H01L23/31 ,  H01L25/18 ,  H01L21/54 ,  H01L21/56

Abstract: 公开了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括封装基底、堆叠在封装基底上的多个半导体器件、设置在所述多个半导体器件之间以及封装基底与所述多个半导体器件之间的多个底部填充填角以及至少部分地围绕所述多个半导体器件和所述多个底部填充填角的模制树脂。所述多个底部填充填角包括从所述多个半导体器件中的每个之间或者封装基底和所述多个半导体器件中的每个之间的空间突出的多个突起。所述多个突起中的至少两个相邻的底部填充填角突起形成一个连续结构，在其间没有界面。

公开(公告)号：CN107104081A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710097125.4

申请日：2017-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄智焕 ,  朴商植 ,  闵台洪 ,  南杰

IPC: H01L23/24 ,  H01L23/31 ,  H01L25/18 ,  H01L21/54 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L23/24 ,  H01L21/54 ,  H01L21/56 ,  H01L25/18

Abstract: 公开了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括封装基底、堆叠在封装基底上的多个半导体器件、设置在所述多个半导体器件之间以及封装基底与所述多个半导体器件之间的多个底部填充填角以及至少部分地围绕所述多个半导体器件和所述多个底部填充填角的模制树脂。所述多个底部填充填角包括从所述多个半导体器件中的每个之间或者封装基底和所述多个半导体器件中的每个之间的空间突出的多个突起。所述多个突起中的至少两个相邻的底部填充填角突起形成一个连续结构，在其间没有界面。

公开(公告)号：CN112864109A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011306908.7

申请日：2020-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南杰 ,  张根豪

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体封装件，包括：基底芯片；第一半导体芯片，其设置在基底芯片上；第二半导体芯片，其设置在第一半导体芯片上；第一绝缘层，其设置在基底芯片和第一半导体芯片之间；第二绝缘层，其设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间；第一连接凸块，其穿透第一绝缘层并将基底芯片和第一半导体芯片彼此连接；以及第二连接凸块，其穿透第二绝缘层并将第一半导体芯片和第二半导体芯片彼此连接。基底芯片的宽度大于第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每一个的宽度。第一绝缘层和第二绝缘层包括彼此不同的材料。

公开(公告)号：CN110071048A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910030665.X

申请日：2019-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金兑炯 ,  金泳龙 ,  南杰

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

Abstract: 公开了半导体封装以及制造该半导体封装的方法。制造半导体封装的方法可以包括：提供载体基板，该载体基板具有形成在载体基板的第一顶表面上的沟槽；在载体基板上提供第一半导体芯片；将至少一个第二半导体芯片安装在第一半导体芯片的第二顶表面上；涂覆模构件以围绕第一半导体芯片的第一侧表面和所述至少一个第二半导体芯片的第二侧表面；以及固化模构件以形成模层。该沟槽可以沿着第一半导体芯片的第一边缘提供。该模构件可以覆盖第一半导体芯片的底表面的第二边缘。