公开(公告)号：CN110943061B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN201910890602.1

申请日：2019-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴商植 ,  姜芸炳 ,  闵台洪 ,  李泽勋 ,  黄智焕

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/60

Abstract: 公开了一种半导体封装，包括具有第一衬底通孔(TSV)的第一半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片和设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的第一粘合剂层。第二半导体芯片包括连接到第一衬底通孔的第二衬底通孔。第一粘合剂层的侧面从第一半导体芯片和第二半导体芯片的侧面凹进。

公开(公告)号：CN116454051A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202211394906.7

申请日：2022-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宣敎 ,  姜芸炳 ,  金珉秀 ,  朴商植 ,  郑胜允

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/28 ,  H01L25/00

Abstract: 公开了一种半导体封装，包括：第一管芯，具有中心区和围绕中心区的外围区；多个贯通电极，穿透第一管芯；多个第一焊盘，在第一管芯的顶表面处，并耦接到贯通电极；第二管芯，在第一管芯上；多个第二焊盘，在第二管芯的底表面处，第二管芯的底表面面对第一管芯的顶表面；多个连接端子，将第一焊盘连接到第二焊盘；以及介电层，填充第一管芯和第二管芯之间的空间，并围绕连接端子。中心区上的每个第一焊盘的第一宽度可以大于外围区上的每个第一焊盘的第二宽度。每个连接端子可以包括在其侧表面处的凸部，该凸部突出超过相应的第一焊盘的侧表面和相应的第二焊盘的侧表面。凸部可以在远离第一管芯的中心的方向上突出。凸部的突出距离可以在从第一管芯的中心朝向第一管芯的外部的方向上增加。

公开(公告)号：CN112802800A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN202010862440.3

申请日：2020-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高廷旼 ,  姜亨汶 ,  朴商植 ,  宋炫俊

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体封装件包括：缓冲件；芯片堆叠件，所述芯片堆叠件安装在所述缓冲件上；粘合剂层，所述粘合剂层设置在所述缓冲件与所述芯片堆叠件之间；以及模塑材料，所述模塑材料围绕所述芯片堆叠件。所述缓冲件包括相邻于所述缓冲件的多个边缘设置的多个沟槽。每个所述沟槽比所述缓冲件的芯片区域的相应的相邻边缘短。

公开(公告)号：CN103700633A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310452241.5

申请日：2013-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明成 ,  高廷旼 ,  朴商植 ,  金沅槿 ,  洪志硕

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L25/065 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/28 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/1017 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，位于第一半导体芯片上；第三半导体芯片，位于第二半导体芯片上；第四半导体芯片，位于第三半导体芯片上。第一底填充层位于第二半导体芯片和第一半导体芯片之间；第二底填充层位于第三半导体芯片和第二半导体芯片之间；第三底填充层位于第四半导体芯片和第三半导体芯片之间。在一些实施例中，第二底填充层包括与第一底填充层和第三底填充层不同的材料。

公开(公告)号：CN107104081B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201710097125.4

申请日：2017-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄智焕 ,  朴商植 ,  闵台洪 ,  南杰

IPC: H01L23/24 ,  H01L23/31 ,  H01L25/18 ,  H01L21/54 ,  H01L21/56

Abstract: 公开了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括封装基底、堆叠在封装基底上的多个半导体器件、设置在所述多个半导体器件之间以及封装基底与所述多个半导体器件之间的多个底部填充填角以及至少部分地围绕所述多个半导体器件和所述多个底部填充填角的模制树脂。所述多个底部填充填角包括从所述多个半导体器件中的每个之间或者封装基底和所述多个半导体器件中的每个之间的空间突出的多个突起。所述多个突起中的至少两个相邻的底部填充填角突起形成一个连续结构，在其间没有界面。

公开(公告)号：CN103700633B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201310452241.5

申请日：2013-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明成 ,  高廷旼 ,  朴商植 ,  金沅槿 ,  洪志硕

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L25/065 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/28 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/1017 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，位于第一半导体芯片上；第三半导体芯片，位于第二半导体芯片上；第四半导体芯片，位于第三半导体芯片上。第一底填充层位于第二半导体芯片和第一半导体芯片之间；第二底填充层位于第三半导体芯片和第二半导体芯片之间；第三底填充层位于第四半导体芯片和第三半导体芯片之间。在一些实施例中，第二底填充层包括与第一底填充层和第三底填充层不同的材料。

公开(公告)号：CN107104081A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710097125.4

申请日：2017-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄智焕 ,  朴商植 ,  闵台洪 ,  南杰

IPC: H01L23/24 ,  H01L23/31 ,  H01L25/18 ,  H01L21/54 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L23/24 ,  H01L21/54 ,  H01L21/56 ,  H01L25/18

Abstract: 公开了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括封装基底、堆叠在封装基底上的多个半导体器件、设置在所述多个半导体器件之间以及封装基底与所述多个半导体器件之间的多个底部填充填角以及至少部分地围绕所述多个半导体器件和所述多个底部填充填角的模制树脂。所述多个底部填充填角包括从所述多个半导体器件中的每个之间或者封装基底和所述多个半导体器件中的每个之间的空间突出的多个突起。所述多个突起中的至少两个相邻的底部填充填角突起形成一个连续结构，在其间没有界面。

公开(公告)号：CN118016624A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202310902661.2

申请日：2023-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宣教 ,  姜芸炳 ,  朴商植 ,  李翰旻 ,  郑胜允

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 公开了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：第一半导体芯片、第一半导体芯片上的下粘合层、下粘合层上的第二半导体芯片、第二半导体芯片上的上粘合层、以及上粘合层上的第三半导体芯片。下粘合层包括与下粘合层的顶表面连接的第一切割表面。上粘合层与下粘合层的第一切割表面接触。

公开(公告)号：CN115497897A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210628354.5

申请日：2022-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪钟波 ,  陈华日 ,  朴商植

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/482 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60

Abstract: 公开了半导体封装件。半导体封装件包括位于第一裸片与第二裸片之间的连接端子。第一裸片具有信号区域和外围区域，并且在外围区域上包括第一过孔。第二裸片位于第一裸片上并且在与第一过孔对应的位置上具有第二过孔。连接端子将第二过孔连接到第一过孔。外围区域包括与第一裸片的拐角相邻的第一区域和与第一裸片的侧表面相邻的第二区域。连接端子包括位于第一区域上的第一连接端子和位于第二区域上的第二连接端子。在第一区域上的每单位面积的第一连接端子的面积的总和大于在多个第二区域上的每单位面积的第二连接端子的面积的总和。

公开(公告)号：CN110943061A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910890602.1

申请日：2019-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴商植 ,  姜芸炳 ,  闵台洪 ,  李泽勋 ,  黄智焕

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/60

Abstract: 公开了一种半导体封装，包括具有第一衬底通孔(TSV)的第一半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片和设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的第一粘合剂层。第二半导体芯片包括连接到第一衬底通孔的第二衬底通孔。第一粘合剂层的侧面从第一半导体芯片和第二半导体芯片的侧面凹进。