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公开(公告)号：CN110943061B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN201910890602.1
申请日：2019-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/60
Abstract: 公开了一种半导体封装，包括具有第一衬底通孔(TSV)的第一半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片和设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的第一粘合剂层。第二半导体芯片包括连接到第一衬底通孔的第二衬底通孔。第一粘合剂层的侧面从第一半导体芯片和第二半导体芯片的侧面凹进。
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公开(公告)号：CN111092059A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201910976753.9
申请日：2019-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 一种半导体封装件包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括位于其一个表面上的第一结合层；以及芯片结构，所述芯片结构堆叠在所述第一半导体芯片上，并且包括位于所述芯片结构的面对所述第一半导体芯片的表面上的第二结合层以及多个第二半导体芯片。所述多个第二半导体芯片分别包括芯片区域和位于所述芯片区域的外部的划片线区域，所述多个第二半导体芯片在所述芯片结构中通过所述划片线区域彼此连接。所述第一结合层包括第一金属焊盘和围绕所述第一金属焊盘的第一结合绝缘层，所述第二结合层包括第二金属焊盘和围绕所述第二金属焊盘的第二结合绝缘层，所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘设置为彼此对应并且彼此结合。
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公开(公告)号：CN111092067B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN201911009480.7
申请日：2019-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538
Abstract: 一种半导体封装件包括：第一半导体芯片，包括主体部分、设置在所述主体部分的第一表面上的第一结合层和穿过所述主体部分的至少一部分的贯穿通路；以及第一再分布部分，设置在所述第一半导体芯片中以通过所述第一结合层连接到所述第一半导体芯片，所述第一再分布部分包括电连接到所述第一半导体芯片的第一再分布层、设置在所述第一再分布层之间的第一布线绝缘层以及连接到所述第一结合层的第二结合层。所述第一结合层包括第一金属焊盘和围绕所述第一金属焊盘的第一绝缘层，所述第二结合层包括第二金属焊盘和围绕所述第二金属焊盘的第二结合绝缘层，所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘设置为彼此对应并且彼此结合。
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公开(公告)号：CN117637676A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310369318.6
申请日：2023-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/488 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体芯片，包括：半导体衬底，具有第一表面和第二表面；晶体管，在第一表面上；第一层间介电层，在晶体管上；第二层间介电层，在第一层间介电层上；布线线路，在第二层间介电层中；第一导电焊盘，在第二层间介电层上；第一钝化层，在第二层间介电层上；第二导电焊盘，在第一钝化层中；通孔，穿透半导体衬底和第一层间介电层以连接到布线线路；第二钝化层，在第二表面上；以及第三导电焊盘，在第二钝化层中并且连接到通孔。第一钝化层的第一厚度是第一表面与第二钝化层的顶表面之间的第二厚度的0.4至0.6倍。
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公开(公告)号：CN111092060A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911012951.X
申请日：2019-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/367
Abstract: 提供一种半导体封装。半导体封装包括：下结构，包括上绝缘层及上焊盘；以及半导体芯片，设置在下结构上且包括下绝缘层及下焊盘。下绝缘层接触上绝缘层并耦合到上绝缘层，并且下焊盘接触上焊盘并耦合到上焊盘，且半导体芯片的旁侧在半导体芯片的上侧与下侧之间延伸且包括凹缩部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110349988B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201910052800.0
申请日：2019-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/15
Abstract: 提供了一种发光二极管显示装置。所述发光二极管显示装置包括：显示板，包括多个单元像素；驱动电路板，包括与所述多个单元像素对应的多个驱动电路区域；以及多个凸块，置于所述多个单元像素与所述多个驱动电路区域之间。所述多个单元像素包括包含第一P电极的第一单元像素。所述多个驱动电路区域包括与第一单元像素对应的第一驱动电路区域，第一驱动电路区域包括连接到第一驱动晶体管的第一焊盘，所述多个凸块包括第一凸块，第一凸块包括与第一焊盘接触的第一焊料和在第一焊料上并与第一P电极接触的第一填料，第一焊料包括锡和银中的至少一种，并且第一填料包括铜或镍。
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公开(公告)号：CN107104081B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201710097125.4
申请日：2017-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括封装基底、堆叠在封装基底上的多个半导体器件、设置在所述多个半导体器件之间以及封装基底与所述多个半导体器件之间的多个底部填充填角以及至少部分地围绕所述多个半导体器件和所述多个底部填充填角的模制树脂。所述多个底部填充填角包括从所述多个半导体器件中的每个之间或者封装基底和所述多个半导体器件中的每个之间的空间突出的多个突起。所述多个突起中的至少两个相邻的底部填充填角突起形成一个连续结构，在其间没有界面。
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公开(公告)号：CN111106092A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911012964.7
申请日：2019-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L23/367 , H01L25/18 , H01L21/66 , H01L21/50
Abstract: 提供一种包括测试焊盘的半导体封装及其形成方法。所述半导体封装包括：基底，包括第一接合结构；以及第一半导体芯片，包括第二接合结构，第二接合结构耦合到基底的第一接合结构，其中所述第一接合结构包括：测试焊盘；第一焊盘，电连接到测试焊盘；以及第一绝缘层，其中所述第二接合结构包括：第二焊盘，电连接到第一焊盘；以及第二绝缘层，接触第一绝缘层，且其中所述测试焊盘的至少一部分接触第二绝缘层。
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公开(公告)号：CN110349988A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910052800.0
申请日：2019-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/15
Abstract: 提供了一种发光二极管显示装置。所述发光二极管显示装置包括：显示板，包括多个单元像素；驱动电路板，包括与所述多个单元像素对应的多个驱动电路区域；以及多个凸块，置于所述多个单元像素与所述多个驱动电路区域之间。所述多个单元像素包括包含第一P电极的第一单元像素。所述多个驱动电路区域包括与第一单元像素对应的第一驱动电路区域，第一驱动电路区域包括连接到第一驱动晶体管的第一焊盘，所述多个凸块包括第一凸块，第一凸块包括与第一焊盘接触的第一焊料和在第一焊料上并与第一P电极接触的第一填料，第一焊料包括锡和银中的至少一种，并且第一填料包括铜或镍。
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公开(公告)号：CN107104081A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710097125.4
申请日：2017-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L25/0655 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/8385 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06565 , H01L2225/06582 , H01L2225/06586 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L23/24 , H01L21/54 , H01L21/56 , H01L25/18
Abstract: 公开了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括封装基底、堆叠在封装基底上的多个半导体器件、设置在所述多个半导体器件之间以及封装基底与所述多个半导体器件之间的多个底部填充填角以及至少部分地围绕所述多个半导体器件和所述多个底部填充填角的模制树脂。所述多个底部填充填角包括从所述多个半导体器件中的每个之间或者封装基底和所述多个半导体器件中的每个之间的空间突出的多个突起。所述多个突起中的至少两个相邻的底部填充填角突起形成一个连续结构，在其间没有界面。
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