-
公开(公告)号：CN110943061B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN201910890602.1
申请日：2019-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/60
Abstract: 公开了一种半导体封装，包括具有第一衬底通孔(TSV)的第一半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片和设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的第一粘合剂层。第二半导体芯片包括连接到第一衬底通孔的第二衬底通孔。第一粘合剂层的侧面从第一半导体芯片和第二半导体芯片的侧面凹进。
-
-
公开(公告)号：CN102623441B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201210021184.0
申请日：2012-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16265 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06586 , H01L2225/06589 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2224/81 , H01L2224/83
Abstract: 公开了一种半导体装置和制造它们的方法。所述半导体装置可包括第一芯片、第一芯片上方的第二芯片、导电凸块、均匀一体底部填充材料和模制材料。导电凸块可在第一芯片的上表面和第二芯片的下表面之间延伸。均匀一体底部填充材料可置于第一芯片和第二芯片之间，包封导电凸块，并沿第二芯片的侧壁延伸。均匀一体底部填充材料的上表面可在与第二芯片的上表面平行的方向上延伸并与第二芯片的上表面相邻地设置。模制材料可位于第一芯片的上表面上方的均匀一体底部填充材料的外侧表面上，其中，模制材料通过均匀一体底部填充材料与第二芯片的侧壁分开，从而模制材料不接触第二芯片的侧壁。
-
公开(公告)号：CN105390467A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510523211.8
申请日：2015-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/538 , H01L25/16
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/3142 , H01L23/3178 , H01L23/481 , H01L2224/16145 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513
Abstract: 可提供一种芯片堆叠半导体封装件，该芯片堆叠半导体封装件包括：第一芯片，具有多个第一真实凸点焊盘和多个第一虚设凸点焊盘；第二芯片，在第一芯片上，第二芯片包括多个真实凸点和多个桥接虚设凸点，所述多个真实凸点电连接到所述多个第一真实凸点焊盘，所述多个桥接虚设凸点连接到所述多个第一虚设凸点焊盘；密封构件，密封第一芯片和第二芯片。
-
公开(公告)号：CN105390464A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510524877.5
申请日：2015-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：至少第一半导体芯片和第二半导体芯片，沿第一方向彼此堆叠；至少一个硅通孔(TSV)，至少穿过第一半导体芯片和第二半导体芯片中的第一半导体芯片；接触焊盘，位于第一半导体芯片的所述至少一个TSV上，接触焊盘将第一半导体芯片的TSV电连接到第二半导体芯片；多个虚设焊盘，位于第一半导体芯片上，所述多个虚设焊盘沿第二方向彼此分隔开并且沿第二方向与接触焊盘分隔开，虚设焊盘与接触焊盘在各自的顶表面与底表面之间沿第一方向测量的高度相同。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110676239B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201911135879.X
申请日：2015-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：至少第一半导体芯片和第二半导体芯片，沿第一方向彼此堆叠；至少一个硅通孔(TSV)，至少穿过第一半导体芯片和第二半导体芯片中的第一半导体芯片；接触焊盘，位于第一半导体芯片的所述至少一个TSV上，接触焊盘将第一半导体芯片的TSV电连接到第二半导体芯片；多个虚设焊盘，位于第一半导体芯片上，所述多个虚设焊盘沿第二方向彼此分隔开并且沿第二方向与接触焊盘分隔开，虚设焊盘与接触焊盘在各自的顶表面与底表面之间沿第一方向测量的高度相同。
-
公开(公告)号：CN110943061A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910890602.1
申请日：2019-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/60
Abstract: 公开了一种半导体封装，包括具有第一衬底通孔(TSV)的第一半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片和设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的第一粘合剂层。第二半导体芯片包括连接到第一衬底通孔的第二衬底通孔。第一粘合剂层的侧面从第一半导体芯片和第二半导体芯片的侧面凹进。
-
公开(公告)号：CN105390467B
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201510523211.8
申请日：2015-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/538 , H01L25/16
Abstract: 可提供一种芯片堆叠半导体封装件，该芯片堆叠半导体封装件包括：第一芯片，具有多个第一真实凸点焊盘和多个第一虚设凸点焊盘；第二芯片，在第一芯片上，第二芯片包括多个真实凸点和多个桥接虚设凸点，所述多个真实凸点电连接到所述多个第一真实凸点焊盘，所述多个桥接虚设凸点连接到所述多个第一虚设凸点焊盘；密封构件，密封第一芯片和第二芯片。
-
公开(公告)号：CN102569208B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201110459218.X
申请日：2011-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/98 , H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/367
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/36 , H01L23/3672 , H01L23/3677 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体封装及其制造方法。在一个实施方式中，为了制造半导体封装，提供其中制造有半导体芯片的晶片。散热层形成在整个晶片上方。散热层接触半导体芯片的顶表面。之后，从晶片分割多个半导体芯片。
-
公开(公告)号：CN102623441A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210021184.0
申请日：2012-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16265 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06586 , H01L2225/06589 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2224/81 , H01L2224/83
Abstract: 公开了一种半导体装置和制造它们的方法。所述半导体装置可包括第一芯片、第一芯片上方的第二芯片、导电凸块、均匀一体底部填充材料和模制材料。导电凸块可在第一芯片的上表面和第二芯片的下表面之间延伸。均匀一体底部填充材料可置于第一芯片和第二芯片之间，包封导电凸块，并沿第二芯片的侧壁延伸。均匀一体底部填充材料的上表面可在与第二芯片的上表面平行的方向上延伸并与第二芯片的上表面相邻地设置。模制材料可位于第一芯片的上表面上方的均匀一体底部填充材料的外侧表面上，其中，模制材料通过均匀一体底部填充材料与第二芯片的侧壁分开，从而模制材料不接触第二芯片的侧壁。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.023 seconds)
