公开(公告)号：CN105390464A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510524877.5

申请日：2015-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔永焕 ,  黄泰周 ,  闵台洪 ,  池永根 ,  韩相旭

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：至少第一半导体芯片和第二半导体芯片，沿第一方向彼此堆叠；至少一个硅通孔(TSV)，至少穿过第一半导体芯片和第二半导体芯片中的第一半导体芯片；接触焊盘，位于第一半导体芯片的所述至少一个TSV上，接触焊盘将第一半导体芯片的TSV电连接到第二半导体芯片；多个虚设焊盘，位于第一半导体芯片上，所述多个虚设焊盘沿第二方向彼此分隔开并且沿第二方向与接触焊盘分隔开，虚设焊盘与接触焊盘在各自的顶表面与底表面之间沿第一方向测量的高度相同。

公开(公告)号：CN110676239B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201911135879.X

申请日：2015-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔永焕 ,  黄泰周 ,  闵台洪 ,  池永根 ,  韩相旭

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：至少第一半导体芯片和第二半导体芯片，沿第一方向彼此堆叠；至少一个硅通孔(TSV)，至少穿过第一半导体芯片和第二半导体芯片中的第一半导体芯片；接触焊盘，位于第一半导体芯片的所述至少一个TSV上，接触焊盘将第一半导体芯片的TSV电连接到第二半导体芯片；多个虚设焊盘，位于第一半导体芯片上，所述多个虚设焊盘沿第二方向彼此分隔开并且沿第二方向与接触焊盘分隔开，虚设焊盘与接触焊盘在各自的顶表面与底表面之间沿第一方向测量的高度相同。

公开(公告)号：CN110676239A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201911135879.X

申请日：2015-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔永焕 ,  黄泰周 ,  闵台洪 ,  池永根 ,  韩相旭

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：至少第一半导体芯片和第二半导体芯片，沿第一方向彼此堆叠；至少一个硅通孔(TSV)，至少穿过第一半导体芯片和第二半导体芯片中的第一半导体芯片；接触焊盘，位于第一半导体芯片的所述至少一个TSV上，接触焊盘将第一半导体芯片的TSV电连接到第二半导体芯片；多个虚设焊盘，位于第一半导体芯片上，所述多个虚设焊盘沿第二方向彼此分隔开并且沿第二方向与接触焊盘分隔开，虚设焊盘与接触焊盘在各自的顶表面与底表面之间沿第一方向测量的高度相同。

公开(公告)号：CN105390464B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201510524877.5

申请日：2015-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔永焕 ,  黄泰周 ,  闵台洪 ,  池永根 ,  韩相旭

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：至少第一半导体芯片和第二半导体芯片，沿第一方向彼此堆叠；至少一个硅通孔(TSV)，至少穿过第一半导体芯片和第二半导体芯片中的第一半导体芯片；接触焊盘，位于第一半导体芯片的所述至少一个TSV上，接触焊盘将第一半导体芯片的TSV电连接到第二半导体芯片；多个虚设焊盘，位于第一半导体芯片上，所述多个虚设焊盘沿第二方向彼此分隔开并且沿第二方向与接触焊盘分隔开，虚设焊盘与接触焊盘在各自的顶表面与底表面之间沿第一方向测量的高度相同。