公开(公告)号：CN111106128A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911037213.0

申请日：2019-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 司空坦 ,  姜三默 ,  金容一

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/544 ,  H01L27/15

Abstract: 提供了一种显示装置。显示装置包括：电路板；第一发光器件阵列基板，其安装在电路板上；以及第二发光器件阵列基板，其安装在电路板上，并在第一方向上与第一发光器件阵列基板相邻。电路板限定与第一发光器件阵列基板和第二发光器件阵列基板之间的边界叠置的凹槽。

公开(公告)号：CN105609606B

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201510783853.1

申请日：2015-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林珍永 ,  司空坦 ,  金柄均 ,  金锺学

IPC: H01L33/22

Abstract: 本发明公开了发光装置及其制造方法。一种发光装置，其包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层和位于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间并具有多个V坑的有源层。所述发光装置还包括位于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间并具有与有源层的多个V坑的大小和形状实质上相同的多个V坑的层质量改进层，其中层质量改进层是包括Al或In的III‑V族半导体层。由于改进的层质量而提高了发光装置的发光质量。

公开(公告)号：CN110364545A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910056324.X

申请日：2019-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 司空坦 ,  金容一 ,  徐锺旭 ,  延智慧

IPC: H01L27/15

Abstract: 提供了一种发光二极管显示装置。发光二极管显示装置包括：第一发光二极管像素，包括第一发光二极管层和位于第一发光二极管层上的第一颜色转换材料；第二发光二极管像素，包括第二发光二极管层和位于第二发光二极管层上的第二颜色转换材料；分离膜，设置在第一发光二极管层与第二发光二极管层之间；以及分隔件，设置在第一颜色转换材料与第二颜色转换材料之间，并包括分隔材料，其中，第一发光二极管像素和第二发光二极管像素被分离膜和分隔件分开，分隔件以与分离膜对准的方式设置在分离膜上使得分隔件包括在第一方向上延伸的线性部分，分离膜包括也在第一方向上延伸并与分隔件的线性部分竖直叠置的线性部分，分隔材料包括与硅不同的绝缘材料。

公开(公告)号：CN109686825A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811221447.6

申请日：2018-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 司空坦 ,  金柄均 ,  林珍永 ,  玄在星

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

Abstract: 一种发光装置，包括：发光结构，所述发光结构包括在基板上的第一导电类型氮化物半导体层、在第一导电类型氮化物半导体层上的有源层以及在有源层上的第二导电类型氮化物半导体层；以及在基板与发光结构之间的缓冲层。缓冲层包括多个孔隙。多个孔隙从缓冲层的表面竖直延伸到缓冲层中。缓冲层的表面靠近发光结构。所述多个孔隙具有不同的水平截面积。

公开(公告)号：CN102945903A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210424917.5

申请日：2006-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白好善 ,  司空坦 ,  孙重坤 ,  李成男

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供了一种具有改善的表面形貌特性的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：r面蓝宝石衬底；AlxGa(1-x)N（0≤x

公开(公告)号：CN1617364A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410088165.5

申请日：2004-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 司空坦 ,  白好善 ,  李成男 ,  孙重坤 ,  李元硕

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  H01S2301/176 ,  H01S2304/00

Abstract: 提供了一种III－V族GaN基化合物半导体器件及其制造方法。该器件包括在具有多量子阱的有源层和p型GaN基化合物半导体层之间插入的AlGaN扩散阻挡层和InGaN牺牲层。

公开(公告)号：CN110349988B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN201910052800.0

申请日：2019-01-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 司空坦 ,  金容一 ,  成汉珪 ,  延智慧 ,  李忠善 ,  黄智焕

IPC: H01L27/15

Abstract: 提供了一种发光二极管显示装置。所述发光二极管显示装置包括：显示板，包括多个单元像素；驱动电路板，包括与所述多个单元像素对应的多个驱动电路区域；以及多个凸块，置于所述多个单元像素与所述多个驱动电路区域之间。所述多个单元像素包括包含第一P电极的第一单元像素。所述多个驱动电路区域包括与第一单元像素对应的第一驱动电路区域，第一驱动电路区域包括连接到第一驱动晶体管的第一焊盘，所述多个凸块包括第一凸块，第一凸块包括与第一焊盘接触的第一焊料和在第一焊料上并与第一P电极接触的第一填料，第一焊料包括锡和银中的至少一种，并且第一填料包括铜或镍。

公开(公告)号：CN110349988A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910052800.0

申请日：2019-01-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 司空坦 ,  金容一 ,  成汉珪 ,  延智慧 ,  李忠善 ,  黄智焕

IPC: H01L27/15

Abstract: 提供了一种发光二极管显示装置。所述发光二极管显示装置包括：显示板，包括多个单元像素；驱动电路板，包括与所述多个单元像素对应的多个驱动电路区域；以及多个凸块，置于所述多个单元像素与所述多个驱动电路区域之间。所述多个单元像素包括包含第一P电极的第一单元像素。所述多个驱动电路区域包括与第一单元像素对应的第一驱动电路区域，第一驱动电路区域包括连接到第一驱动晶体管的第一焊盘，所述多个凸块包括第一凸块，第一凸块包括与第一焊盘接触的第一焊料和在第一焊料上并与第一P电极接触的第一填料，第一焊料包括锡和银中的至少一种，并且第一填料包括铜或镍。

公开(公告)号：CN101018345A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200610159337.2

申请日：2006-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙重坤 ,  李庭旭 ,  白好善 ,  李成男 ,  司空坦

IPC: H04N9/31

CPC classification number: H04N9/3129

Abstract: 本发明提供一种激光显示装置，包括：光源，发射至少一束激光束；光调制单元，根据图像信号调制从光源发射的激光束；扫描单元，沿主扫描方向和子扫描方向扫描在光调制单元中调制的激光束；以及成像单元，图像在其中被形成，且其具有磷光层，通过扫描单元扫描的激光束在该磷光层中产生激发光。

公开(公告)号：CN1972044A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610149412.7

申请日：2006-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白好善 ,  司空坦 ,  孙重坤 ,  李成男

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/00 ,  H01L27/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供了一种具有改善的表面形貌特性的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：r面蓝宝石衬底；AlxGa(1－x)N(0≤x＜1＝缓冲层，在900－1100℃的温度下在包含氮气(N2)的气体环境下，在r面蓝宝石衬底上外延生长至100－20000的范围的厚度；以及第一a面GaN层，形成于缓冲层上。