公开(公告)号：CN102534562B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201110448650.9

申请日：2011-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李焘英 ,  林珍永 ,  韩尚宪 ,  金起成 ,  金荣善 ,  金晟泰

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/68757 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供了一种用于化学气相沉积设备的基座、化学气相沉积设备和使用该化学气相沉积设备加热基板的方法。用于化学气相沉积(CVD)设备的基座包括：基座本体，具有与其下表面相对的上表面并且由透光材料形成，基座本体的上表面具有至少一个形成为在其内容纳基板的袋状部分；吸光单元，在基座本体的上表面上由吸光材料形成。

公开(公告)号：CN109686825A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811221447.6

申请日：2018-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 司空坦 ,  金柄均 ,  林珍永 ,  玄在星

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

Abstract: 一种发光装置，包括：发光结构，所述发光结构包括在基板上的第一导电类型氮化物半导体层、在第一导电类型氮化物半导体层上的有源层以及在有源层上的第二导电类型氮化物半导体层；以及在基板与发光结构之间的缓冲层。缓冲层包括多个孔隙。多个孔隙从缓冲层的表面竖直延伸到缓冲层中。缓冲层的表面靠近发光结构。所述多个孔隙具有不同的水平截面积。

公开(公告)号：CN105609606B

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201510783853.1

申请日：2015-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林珍永 ,  司空坦 ,  金柄均 ,  金锺学

IPC: H01L33/22

Abstract: 本发明公开了发光装置及其制造方法。一种发光装置，其包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层和位于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间并具有多个V坑的有源层。所述发光装置还包括位于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间并具有与有源层的多个V坑的大小和形状实质上相同的多个V坑的层质量改进层，其中层质量改进层是包括Al或In的III‑V族半导体层。由于改进的层质量而提高了发光装置的发光质量。

公开(公告)号：CN109686825B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN201811221447.6

申请日：2018-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 司空坦 ,  金柄均 ,  林珍永 ,  玄在星

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

Abstract: 一种发光装置，包括：发光结构，所述发光结构包括在基板上的第一导电类型氮化物半导体层、在第一导电类型氮化物半导体层上的有源层以及在有源层上的第二导电类型氮化物半导体层；以及在基板与发光结构之间的缓冲层。缓冲层包括多个孔隙。多个孔隙从缓冲层的表面竖直延伸到缓冲层中。缓冲层的表面靠近发光结构。所述多个孔隙具有不同的水平截面积。

公开(公告)号：CN105609606A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510783853.1

申请日：2015-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林珍永 ,  司空坦 ,  金柄均 ,  金锺学

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了发光装置及其制造方法。一种发光装置，其包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层和位于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间并具有多个V坑的有源层。所述发光装置还包括位于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间并具有与有源层的多个V坑的大小和形状实质上相同的多个V坑的层质量改进层，其中层质量改进层是包括Al或In的III-V族半导体层。由于改进的层质量而提高了发光装置的发光质量。

公开(公告)号：CN102888594A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210210547.5

申请日：2012-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金范埈 ,  金起成 ,  金荣善 ,  高德吉 ,  林珍永 ,  郑义俊

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L21/02458 ,  C23C16/303 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积方法和一种利用该化学气相沉积方法制造发光器件的方法。化学气相沉积(CVD)方法包括：在第一工艺温度下在安装在附属盘上的基底上形成第一半导体层；在第二工艺温度下在第一半导体层上形成第二半导体层。另外，制造发光器件(LED)的方法包括：在第一工艺温度下在安装在附属盘上的基底上形成量子势阱层；在第二工艺温度下在量子势阱层上形成量子势垒层。