公开(公告)号：CN101145674A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710154099.0

申请日：2007-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金映铉 ,  金仁 ,  李焘英

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18375 ,  H01S5/026 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18377 ,  H01S5/18388 ,  H01S2301/166

Abstract: 公开了一种垂直腔面发射激光器及其制造方法。所述激光器包括：形成在接触层的中央部分处的反射透镜以及与反射透镜分隔开并且围绕反射透镜的上电极。制造该激光器的方法包括以下步骤：在半导体基底的下表面上形成下电极之后，在半导体基底的上表面上依次生长下反射镜、振荡区、上反射镜和接触层；在接触层上形成环形掩模，在该环形掩模的中央部分处形成台形开口；通过掩模的台式结构的开口生长反射透镜，该反射透镜具有厚度不同的中央部分和外围部分；在去除掩模之后，围绕反射透镜形成环形上电极。

公开(公告)号：CN103996753A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410051132.7

申请日：2014-02-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩尚宪 ,  金南星 ,  金东俊 ,  司空坦 ,  申东益 ,  李焘英 ,  李庭旭

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  C23C16/34

CPC classification number: H01L33/007 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/54 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67326 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体发光器件的方法以及化学气相沉积设备，该方法包括步骤：在衬底上顺序地生长第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，以形成发光层。形成发光层的步骤包括第一生长工序、第二生长工序和转移工序。第一生长工序使用具有第一曲率安装表面的第一基座。第二生长工序使用具有第二曲率安装表面的第二基座，所述第二曲率不同于所述第一曲率。转移工序在所述第一生长工序与所述第二生长工序之间将所述衬底从所述第一基座转移至所述第二基座。

公开(公告)号：CN103361635A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310100939.0

申请日：2013-03-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 司空坦 ,  李焘英 ,  金起成 ,  尹皙胡 ,  金荣善 ,  金晟泰

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/02104 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/46

Abstract: 本公开提供了化学气相沉积（CVD）装置和半导体制造装置。该化学气相沉积（CVD）装置包括腔室、在腔室中的基座以及加热单元。基座包括转子、耦接到转子的下部的旋转轴、耦接到旋转轴的驱动器件、以及限定在转子的上表面处的至少一个凹坑。驱动器件可旋转地驱动旋转轴。至少一个凹坑包括配置为在其上接收衬底的安装部分以及从至少一个凹坑的底表面突出的突出部分（例如，凸出部分），使得突出部分位于对应于旋转轴的区域处。加热单元围绕旋转轴并配置为加热衬底。

公开(公告)号：CN101950211A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN201010504144.2

申请日：2010-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李焘英 ,  李定锡 ,  徐圣旻

IPC: G06F3/033

CPC classification number: G06F3/0383 ,  G06F3/03545 ,  G06F3/038

Abstract: 一种笔型输入设备，用于向主机设备发送位置性输入，其中提供位于笔尖的第一开关用于在字符输入模式下输入字符笔画并在鼠标模式下移动鼠标光标，提供第二开关用于在鼠标模式下执行鼠标左键点击操作，并提供第三开关用于切换笔型输入设备的输入模式。

公开(公告)号：CN107068821A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610878813.X

申请日：2016-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李建勋 ,  沈恩德 ,  尹晳胡 ,  李庭旭 ,  李焘英 ,  李基元 ,  金喆敏 ,  南泰邦

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/16 ,  H01L33/52 ,  H01L33/18

CPC classification number: H01L33/325 ,  H01L33/025 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/52

Abstract: 本文公开了一种材料层堆叠件、一种发光元件、一种发光封装件和一种制造发光元件的方法。所述材料层堆叠件包括：具有第一晶格常数的衬底；以及在衬底上生长的半导体层，所述半导体层具有与第一晶格常数不同的第二晶格常数。通过利用该材料层堆叠件，可获得具有低漏电流、低操作电压和优异的发光效率的发光元件。

公开(公告)号：CN101950211B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201010504144.2

申请日：2010-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李焘英 ,  李定锡 ,  徐圣旻

IPC: G06F3/0354

CPC classification number: G06F3/0383 ,  G06F3/03545 ,  G06F3/038

Abstract: 一种笔型输入设备，用于向主机设备发送位置性输入，其中提供位于笔尖的第一开关用于在字符输入模式下输入字符笔画并在鼠标模式下移动鼠标光标，提供第二开关用于在鼠标模式下执行鼠标左键点击操作，并提供第三开关用于切换笔型输入设备的输入模式。

公开(公告)号：CN105159481B

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201510695435.7

申请日：2010-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李焘英 ,  李定锡 ,  徐圣旻

IPC: G06F3/0354 ,  G06F3/038

Abstract: 一种笔型输入设备，用于向主机设备提供输入，包括：第一开关，位于该笔型输入设备的笔尖，第一开关被配置为发送用于在该主机设备中输入字符笔画的第一信号，其中第一开关感测施加到该笔尖的压力；以及第二开关，被配置为发送用于在该主机设备中执行鼠标点击操作的第二信号。

公开(公告)号：CN105159481A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510695435.7

申请日：2010-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李焘英 ,  李定锡 ,  徐圣旻

IPC: G06F3/0354 ,  G06F3/038

Abstract: 一种笔型输入设备，用于向主机设备提供输入，包括：第一开关，位于该笔型输入设备的笔尖，第一开关被配置为发送用于在该主机设备中输入字符笔画的第一信号，其中第一开关感测施加到该笔尖的压力；以及第二开关，被配置为发送用于在该主机设备中执行鼠标点击操作的第二信号。

公开(公告)号：CN102534562B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201110448650.9

申请日：2011-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李焘英 ,  林珍永 ,  韩尚宪 ,  金起成 ,  金荣善 ,  金晟泰

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/68757 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供了一种用于化学气相沉积设备的基座、化学气相沉积设备和使用该化学气相沉积设备加热基板的方法。用于化学气相沉积(CVD)设备的基座包括：基座本体，具有与其下表面相对的上表面并且由透光材料形成，基座本体的上表面具有至少一个形成为在其内容纳基板的袋状部分；吸光单元，在基座本体的上表面上由吸光材料形成。