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公开(公告)号：CN102820615B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210185650.9
申请日：2012-06-06
Applicant: 泰科电子瑞典控股有限责任公司
Inventor： N.P.奇蒂卡
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18311 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/18327 , H01S5/18358 , H01S5/18375 , H01S5/18394 , H01S2301/18
Abstract: 本发明涉及一种使用在光学模块中的激光设备。该激光设备包括：第一反射器和第二反射器；适用于将电流限制在电流限制孔内的限制层；和在第一和第二反射器之间的激活层。所述激活层包括：与所述电流限制孔对齐的主激活区域和围绕该主激活区域的辅助激活区域。所述第二反射器包括：配置在所述电流限制孔上的第一反射器区域和围绕所述第一反射器区域的第二反射器区域。所述第二反射器区域和第一反射器构造成引起所述辅助激活区域中的受激复合。
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公开(公告)号：CN102820615A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210185650.9
申请日：2012-06-06
Applicant: 泰科电子瑞典控股有限责任公司
Inventor： N.P.奇蒂卡
IPC: H01S5/183 , H04B10/155
CPC classification number: H01S5/18311 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/18327 , H01S5/18358 , H01S5/18375 , H01S5/18394 , H01S2301/18
Abstract: 本发明涉及一种使用在光学模块中的激光设备。该激光设备包括：第一反射器和第二反射器；适用于将电流限制在电流限制孔内的限制层；和在第一和第二反射器之间的激活层。所述激活层包括：与所述电流限制孔对齐的主激活区域和围绕该主激活区域的辅助激活区域。所述第二反射器包括：配置在所述电流限制孔上的第一反射器区域和围绕所述第一反射器区域的第二反射器区域。所述第二反射器区域和第一反射器构造成引起所述辅助激活区域中的受激复合。
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公开(公告)号：CN1263207C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN02805019.3
申请日：2002-02-15
Applicant: 维特拉斯有限责任公司
Inventor： 马库斯-克里斯琴·阿曼 , 马库斯·奥特西弗
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18369 , H01S5/0217 , H01S5/02476 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/18308 , H01S5/18375 , H01S5/18377 , H01S5/3072 , H01S5/3095
Abstract: 本发明涉及一种表面发射型半导体激光器。为了提供一种能在正常环境温度下工作并具有稳定长期特性的半导体激光器，该半导体激光器包括一具有pn过渡段的有源区、一在有源区n侧上的第一n型掺杂半导体层、一在有源区p侧上并构成至有源区p侧上的第二n型掺杂半导体层的传导过渡段的结构隧道触点，一涂敷在第二n型掺杂半导体层上的结构介质镜面，一在没有涂敷介质镜面的地方形成与第二n型掺杂半导体层的接触的接触层，和一位于接触层与第二n型掺杂半导体层之间的扩散势垒。
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公开(公告)号：CN1585216A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410047634.9
申请日：2004-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金泽
CPC classification number: B82Y20/00 , B82Y10/00 , H01L31/147 , H01S5/0264 , H01S5/0683 , H01S5/18308 , H01S5/18375 , H01S5/18377
Abstract: 本发明提供一种集成有光探测器的垂直腔表面发射激光器。该光探测器通过粘接层被附着到VCSEL的底表面，其包括具有预定直径的窗口。该粘接层为共晶粘接层。一空气隙存在于该窗口内并且主要传输激光束。大多数以一角度入射的自发发射的光被除了该窗口的该粘接层的区域所阻挡，而且由于半导体层和空气的折射率之间的大的差异，甚至某些朝向该窗口的自发发射的光无法容易地穿过该窗口。因此，该共晶粘接层显著降低了该VCSEL和该光探测器之间的界面处的电压降，由此有助于大规模生产。
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公开(公告)号：CN1491468A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN02805019.3
申请日：2002-02-15
Applicant: 维特拉斯有限责任公司
Inventor： 马库斯-克里斯琴·阿曼 , 马库斯·奥特西弗
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18369 , H01S5/0217 , H01S5/02476 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/18308 , H01S5/18375 , H01S5/18377 , H01S5/3072 , H01S5/3095
Abstract: 本发明涉及一种表面发射型半导体激光器。为了提供一种能在正常环境温度下工作并具有稳定长期特性的半导体激光器，该半导体激光器包括一具有pn过渡段的有源区、一在有源区n侧上的第一n型掺杂半导体层、一在有源区p侧上并构成至有源区p侧上的第二n型掺杂半导体层的传导过渡段的结构隧道触点，一涂敷在第二n型掺杂半导体层上的结构介质镜面，一在没有涂敷介质镜面的地方形成与第二n型掺杂半导体层的接触的接触层，和一位于接触层与第二n型掺杂半导体层之间的扩散势垒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101136538A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710128169.5
申请日：2007-07-09
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: H01S5/18311 , B82Y20/00 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0425 , H01S5/18375 , H01S5/18377 , H01S5/18383 , H01S5/18394 , H01S5/34313 , H01S2301/166
Abstract: 本发明提供了VCSEL、其制造方法、模块、光发送装置、光空间传输装置、光发送系统以及光空间传输系统。该VCSEL包括：基板；第一导电类型的第一半导体多层；有源层；第二导电类型的第二半导体多层；接触层；这些层中的每一层都堆叠在基板上。第二半导体多层与有源层和第一半导体多层一起构成了谐振器。接触层上形成有金属层。该金属层包括开口部分，该开口部分限定了发射激光的区域。当激光的振荡波长为λ时，接触层和与接触层接触的第二半导体多层的顶层的光学厚度T小于λ/4。
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公开(公告)号：CN1159808C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN96103174.3
申请日：1996-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/18377 , H01S5/18308 , H01S5/18327 , H01S5/18375 , H01S5/2063 , H01S2301/166
Abstract: 提供了一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)，它具有基片、由含杂质的半导体材料形成的第一反射层、第一反射层之上的活性层、活性层之上由含有与用于第一反射层的半导体材料所含杂质的类型相反的杂质的半导体材料所形成的第二反射层、以及第二反射层之上具有发射来自第二反射层的光的腔的电极层。电极层具有导电性高并与外部电源相连的金属层和金属层之下并具有低于两个反射层反射率的导电性辅助反射层。
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公开(公告)号：CN1137188A
公开(公告)日：1996-12-04
申请号：CN96103174.3
申请日：1996-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/18377 , H01S5/18308 , H01S5/18327 , H01S5/18375 , H01S5/2063 , H01S2301/166
Abstract: 提供了一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)，它具有基片、由含杂质的半导体材料形成的第一反射层、第一反射层之上的活性层、活性层之上由含有与用于第一反射层的半导体材料所含杂质的类型相反的杂质的半导体材料所形成的第二反射层、以及第二反射层之上具有发射来自第二反射层的光的腔的电极层。电极层具有导电性高并与外部电源相连的金属层和金属层之下并具有低于两个反射层反射率的导电性辅助反射层。
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公开(公告)号：CN101523603B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200780036936.8
申请日：2007-08-03
Applicant: 光波光电技术公司
Inventor： 罗比·J·乔根森
IPC: H01L27/15
CPC classification number: H01L33/465 , H01L33/105 , H01S5/18375
Abstract: 光发射器包括：第一反射镜，所述第一反射镜是外延生长的金属反射镜；第二反射镜；和有源区，所述有源区外延生长，使得所述有源区位于所述第一反射镜和所述第二反射镜之间的至少一个腹点上或位于所述腹点附近。
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公开(公告)号：CN101136538B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710128169.5
申请日：2007-07-09
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: H01S5/18311 , B82Y20/00 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0425 , H01S5/18375 , H01S5/18377 , H01S5/18383 , H01S5/18394 , H01S5/34313 , H01S2301/166
Abstract: 本发明提供了VCSEL、其制造方法、模块、光发送装置、光空间传输装置、光发送系统以及光空间传输系统。该VCSEL包括：基板；第一导电类型的第一半导体多层；有源层；第二导电类型的第二半导体多层；接触层；这些层中的每一层都堆叠在基板上。第二半导体多层与有源层和第一半导体多层一起构成了谐振器。接触层上形成有金属层。该金属层包括开口部分，该开口部分限定了发射激光的区域。当激光的振荡波长为λ时，接触层和与接触层接触的第二半导体多层的顶层的光学厚度T小于λ/4。
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