公开(公告)号：CN1226759A

公开(公告)日：1999-08-25

申请号：CN99100395.0

申请日：1999-01-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 沈光地 ,  殷涛 ,  廉鹏 ,  陈建新 ,  邹德恕 ,  高国 ,  陈良惠 ,  王启明 ,  杜金玉 ,  韩金茹 ,  陈昌华

IPC: H01S3/18 ,  H01S3/085

Abstract: 一种高效大功率大光腔半导体激光器,属于半导体光电子技术领域,其特征是,采用了由多个重复排列的单元发光区及位于每相邻两单元发光区之间的P+－N+隧道二极管所构成的多级耦合整体大光腔式发光区结构,通过各单元发光区间的隧道二极管为前级复合掉的电子和空穴提供再生通道,从而多倍地提高器件的量子效率和输出功率。本发明可提供高效大功率、具有窄发散角的半导体激光,广泛用于光通讯、光泵浦、光读写、激光医疗、激光雷达等领域。

公开(公告)号：CN1043174C

公开(公告)日：1999-04-28

申请号：CN96100079.1

申请日：1996-01-08

Applicant: 吉林大学

Inventor： 孙洪波 ,  李玉东 ,  胡礼中 ,  苏士昌 ,  于广辉 ,  刘式墉

IPC: H01S3/18 ,  H01S3/098 ,  H01S3/085

Abstract: 本发明“五段式碰撞脉冲锁模量子阱激光器”属信息技术领域。用于产生半导体超短光脉冲。本发明的五段式锁模激光器是在三段式结构的基础上，在吸收体和增益段之间引入两个“调节段”、调整其偏置条件，可以实现最强的碰撞脉冲效应、克服不均匀性和碰撞偏离的影响。有源区采用了五个周期InGaAsP量子阱结构，是理想的增益吸收介质。在激光器腔面蒸镀高反膜，两个端面的反射率相等，在50%-60%之间。目的在于克服自脉动。

公开(公告)号：CN1134616A

公开(公告)日：1996-10-30

申请号：CN96100079.1

申请日：1996-01-08

Applicant: 吉林大学

Inventor： 孙洪波 ,  李玉东 ,  胡礼中 ,  苏士昌 ,  于广辉 ,  刘式墉

IPC: H01S3/18 ,  H01S3/098 ,  H01S3/085

Abstract: 本发明“五段式碰撞脉冲锁模量子阱激光器”属信息技术领域。用于产生半导体超短光脉冲。本发明的五段式锁模激光器是在三段式结构的基础上，在吸收体和增益段之间引入两个“调节段”，调整其偏置条件，可以实现最强的碰撞脉冲效应，克服不均匀性和碰撞偏离的影响。有源区采用了五个周期InGaAsP量子阱结构，是理想的增益吸收介质。在激光器腔面蒸镀高反膜，两个端面的反射率相等，在50％—60％之间。目的在于克服自脉动。

公开(公告)号：CN1071034A

公开(公告)日：1993-04-14

申请号：CN91111498.X

申请日：1991-12-05

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张晓波

IPC: H01S3/25 ,  H01S3/043 ,  H01S3/085 ,  H01S3/18

Abstract: 本发明为一种二维面发射激光器列阵。这种激光器由多个一维半导体激光器列阵与半导体光反射体同时焊接在热沉上，使从一维列阵出来的光经过反射成垂直于热沉表面方向出射。由于梳状反射体允许一维列阵中的热直接散到热沉中，可制成连续输出的高功率半导体激光器。

公开(公告)号：CN1213196A

公开(公告)日：1999-04-07

申请号：CN98119861.9

申请日：1998-09-22

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 厚井大明

IPC: H01S3/05 ,  H01S3/085

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/12 ,  H01S5/34306 ,  H01S2304/04

Abstract: 当通过MOVPE工艺在带有皱型光栅的InP基片上依次淀积上波导层的晶体层、隔离层、MQW层时,所采用的基片加热曲线使得基片温度在短时间内达到生长温度(如2分钟),此后的温度漂移稳定在±5℃之内。在铟元素开始发生质量转移前,开始生长InGaAsP波导层。

公开(公告)号：CN1204174A

公开(公告)日：1999-01-06

申请号：CN98115510.3

申请日：1998-06-26

Applicant: 日本胜利株式会社

Inventor： 大山実

IPC: H01S3/085

CPC classification number: G11B7/127 ,  G11B7/123 ,  G11B2007/0006 ,  H01S5/065 ,  H01S5/14

Abstract: 一种光拾取器,带有可发射激光束以读取存储媒质上记录信息的半导体激光器。该激光器的内谐振器长度满足关系式LA/(m+1)N

公开(公告)号：CN1191638A

公开(公告)日：1998-08-26

申请号：CN96195653.4

申请日：1996-05-13

Applicant: 西门子公司

Inventor： B·波尔彻尔特 ,  B·斯特米勒

IPC: H01S3/085 ,  H01S3/19

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/1228 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/3434

Abstract: 具有复光栅耦合的本发明DFB激光二极管结构包括光栅,包括体指数材料层(52)和体吸收材料层(53),其中两层(52,53)为重叠设置,相互间没有相移。

公开(公告)号：CN1144396A

公开(公告)日：1997-03-05

申请号：CN96107789.1

申请日：1996-05-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 元田隆 ,  加藤学

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/70 ,  H01L33/00 ,  H01S3/085 ,  H01S3/103 ,  G02B6/12

CPC classification number: H01L21/02392 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：制备半导体衬底(1)，它有一表面，该表面上有温度彼此不同的局部区；在半导体衬底(1)的表面上生长III-V族化合物半导体层，以使半导体层的局部区有彼此不同的成分。因此能以高精度控制局部区中半导体层的成分。而且，由于生长后的半导体层表面变平坦，能使生长半导体层之后的半导体器件的制造方法成为稳定的方法。进而由于能对各局部区独立地控制有源层的成分，从而能大大地增加设计半导体器件的自由度。

公开(公告)号：CN1141524A

公开(公告)日：1997-01-29

申请号：CN96105880.3

申请日：1996-05-10

Applicant: 摩托罗拉公司

Inventor： 贾玛·兰达尼 ,  迈克尔斯·S·蕾比 ,  彼椎·格罗津斯

IPC: H01S3/19 ,  H01S3/085

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0211 ,  H01S5/0212 ,  H01S5/183 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/32333 ,  H01S5/34326

Abstract: 提供了一种短波长垂直腔表面发射激光器(101)。衬底(102)具有一个表面(103)，衬底(102)是由镓砷磷构成的。形成了一个覆盖在衬底(102)的第一表面(103)上的第一反射堆(106)。第一覆盖区(107)是通过覆盖在第一反射堆(106)上形成的。激发区(108)是覆盖在第一覆盖区(107)上形成的。第二覆盖区(109)是覆盖在激发区(108)上形成的。第二反射堆(110)是覆盖在第二覆盖区(109)上形成的。接触层(126)是覆盖在第二反射堆(110)上形成的。

公开(公告)号：CN1113354A

公开(公告)日：1995-12-13

申请号：CN95103500.2

申请日：1995-03-22

Applicant: 菲利浦电子有限公司

Inventor： C·J·范德波尔 ,  G·A·阿凯特 ,  M·F·C·森曼

IPC: H01S3/085 ,  H01S3/19

CPC classification number: H01S5/10 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/204 ,  H01S5/22 ,  H01S5/223 ,  H01S5/2231

Abstract: 本发明涉及折射率导引型半导体二极管激光器及其制造方法。P-I(光功率-电流)特性曲线的转折取决于激光器谐振腔的长度。根据本发明为该激光器谐振腔选择一种长度，对该长度而言，作为流经pn结电流的函数的光功率的导数变化时，光功率为最大值。结果，激光器的长度是最佳的，它不仅与P-I曲线中转折的出现有关，而且与其它特性有关。