公开(公告)号：CN1144396A

公开(公告)日：1997-03-05

申请号：CN96107789.1

申请日：1996-05-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 元田隆 ,  加藤学

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/70 ,  H01L33/00 ,  H01S3/085 ,  H01S3/103 ,  G02B6/12

CPC classification number: H01L21/02392 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：制备半导体衬底(1)，它有一表面，该表面上有温度彼此不同的局部区；在半导体衬底(1)的表面上生长III-V族化合物半导体层，以使半导体层的局部区有彼此不同的成分。因此能以高精度控制局部区中半导体层的成分。而且，由于生长后的半导体层表面变平坦，能使生长半导体层之后的半导体器件的制造方法成为稳定的方法。进而由于能对各局部区独立地控制有源层的成分，从而能大大地增加设计半导体器件的自由度。

公开(公告)号：CN1138747A

公开(公告)日：1996-12-25

申请号：CN95116817.7

申请日：1995-09-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 元田隆 ,  加藤学 ,  竹见政义

IPC: H01L21/306 ,  H01L33/00 ,  H01S3/18

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30612 ,  H01S5/026 ,  H01S5/12 ,  H01S5/1228 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/2232 ,  H01S5/2237 ,  H01S5/227 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/3434 ,  H01S5/4031 ,  H01S2304/04

Abstract: 提供了一种比湿法腐蚀可控性更高的半导体腐蚀方法，包括：用一种含有组成III-V族化合物半导体层中V族材料的腐蚀气体且将上述III-V族化合物半导体层保持在高于其晶体生长温度的温度下，对其进行腐蚀。由于不使用腐蚀液，该腐蚀方法可在晶体生长设备中使用。再者，由于用III-V族化合物半导体层的材料气体作腐蚀气体，故能防止在被腐蚀的表面上出现残留杂质，从而保持了被腐蚀表面的清洁。

公开(公告)号：CN1175808A

公开(公告)日：1998-03-11

申请号：CN97110234.1

申请日：1997-04-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 元田隆 ,  小野健一

IPC: H01S3/18

CPC classification number: H01S5/20 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2013

Abstract: 提高了活性层和夹层间的能量势垒,抑制了电子的溢出。在活性层3和P型第一上夹层4a间配置了交互地层叠(AlxGa(1－X)0.5In0.5P(x=0.7)层10a和(AlxGa(1－X))0.5In0.5P(x=1.0)层10b构成的超晶格势垒层10。

公开(公告)号：CN1153411A

公开(公告)日：1997-07-02

申请号：CN96111670.6

申请日：1996-08-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小野健一 ,  元田隆

IPC: H01S3/18

Abstract: 一种半导体器件，包含：具有表面的半导体衬底(1)；由交互叠合在一起的多个第一半导体层(4a)和第二半导体层(4b)构成的应变超晶格结构，第一半导体层(4a)在相对于半导体衬底(1)为压缩或伸张的方向上有第一应变，第二半导体层(4b)有和第一应变方向相同但大小不同的第二应变。因此使第一半导体层(4a)和第二半导体层(4b)之间的应变差减小，由此应变超晶格结构的结晶质量得到改进。

公开(公告)号：CN1159084A

公开(公告)日：1997-09-10

申请号：CN96121578.X

申请日：1996-12-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 元田隆 ,  小野健一

IPC: H01S3/025

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3406

Abstract: 本发明旨在防止在势阱层与势垒层的界面上发生位错等晶格缺陷。本发明中，势阱层通过由Ga0.56In0.44P构成的主要区域和在从该区域到势阱层与势垒层的界面之间为了使其变形从-0.5％逐渐地变化为-0.1％而由组成逐渐变化的GaInP构成的过渡区域构成，另外，势垒层通过由(Al0.5Ga0.5)0.452In0.548P构成的主要区域和在从该区域到势垒层与势阱层界面之间为了使其变形从+0.4％逐渐地变化为-0.1％而由组成逐渐变化的AlGaInP构成的过渡区域构成。

公开(公告)号：CN1135671A

公开(公告)日：1996-11-13

申请号：CN96100859.8

申请日：1996-01-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 早藤纪生 ,  元田隆

IPC: H01S3/18 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/162 ,  H01S5/164 ,  H01S5/32325 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/4031

Abstract: 本发明的目的是提供可在圆片状态下简便地得到窗口结构可控性良好的半导体激光装置及其制造方法。本发明的半导体激光装置包括：在具有(2，1，1)面的n型GaAs衬底26上以晶体生长方式形成晶体生长层2、10、11、12、6和7输出激光的(1，1，1)面上形成的窗口层19以及形成在晶体生长层中的接触层7上表面和n型GaAs衬底26的下表面上的电极8和9。