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公开(公告)号：CN101882755B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010100012.3
申请日：2010-01-22
Applicant: 索尼公司
Inventor： 今西大介
CPC classification number: H01S5/2232 , B82Y20/00 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18327 , H01S5/18341 , H01S5/22 , H01S5/34326 , H01S5/4031
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器元件和半导体激光器器件，该半导体激光器元件包括：第一半导体层；具有电流注入区域的有源层；第二半导体层；第三半导体层；以及用于将电流注入所述有源层中的电极。在该半导体激光器元件中，第一半导体层、有源层、第二半导体层以及第三半导体层被依次层叠在衬底上，第一半导体层具有约束有源层的电流注入区域的电流约束层，第三半导体层形成在第二半导体层的上表面上对应于有源层的电流注入区域的区域中，电极形成在第二半导体层的上表面上除第三半导体层的区域以外的区域中。
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公开(公告)号：CN1510804A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN200310119982.8
申请日：2003-11-28
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 大渊修三
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/2232 , H01S5/2059 , H01S5/2231 , H01S5/3211
Abstract: 半导体激光装置具有一对包层[(102)和(105)、(107)]，其之间插入一激活层(103)。该包层中至少一层(105)、(107)除在该包层中的掺杂物外，在该包层的整个区域具有相同组份，并有与相邻部分具有不同传导类型的条状部分(107)。
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公开(公告)号：CN104604052B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201380039535.3
申请日：2013-06-03
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Inventor： J·米勒 , A·S·阿夫拉梅斯库
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2018 , H01S5/22 , H01S5/2206 , H01S5/221 , H01S5/2222 , H01S5/2231 , H01S5/2232 , H01S5/34333 , H01S2301/166 , H01S2301/176
Abstract: 在至少一种实施方式中背脊激光器(1)具有带有活性区(20)的半导体层序列(2)。具有确定宽度(B)的波导(3)从半导体层序列(2)作为凸起形成。在波导(3)的背离活性区(20)的上侧(30)上施加接触金属化部(4)。通电层(5)与接触金属化部(4)直接接触。通过通电层(5)电气连接接触金属化部(4)。活性区(20)和/或波导(3)的通电宽度(C)小于波导(3)的宽度(B)。
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公开(公告)号：CN1260863C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200310119982.8
申请日：2003-11-28
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 大渊修三
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/2232 , H01S5/2059 , H01S5/2231 , H01S5/3211
Abstract: 半导体激光装置具有一对包层[(102)和(105)、(107)]，其之间插入一激活层(103)。该包层中至少一层(105)、(107)除在该包层中的掺杂物外，在该包层的整个区域具有相同组份，并有与相邻部分具有不同传导类型的条状部分(107)。
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公开(公告)号：CN104604052A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380039535.3
申请日：2013-06-03
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Inventor： J·米勒 , A·S·阿夫拉梅斯库
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2018 , H01S5/22 , H01S5/2206 , H01S5/221 , H01S5/2222 , H01S5/2231 , H01S5/2232 , H01S5/34333 , H01S2301/166 , H01S2301/176
Abstract: 在至少一种实施方式中背脊激光器(1)具有带有活性区(20)的半导体层序列(2)。具有确定宽度(B)的波导(3)从半导体层序列(2)作为凸起形成。在波导(3)的背离活性区(20)的上侧(30)上施加接触金属化部(4)。通电层(5)与接触金属化部(4)直接接触。通过通电层(5)电气连接接触金属化部(4)。活性区(20)和/或波导(3)的通电宽度(C)小于波导(3)的宽度(B)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102084560A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980126170.1
申请日：2009-07-07
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0207 , H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S5/2232
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光元件，其特征为包含：基板(100、200、300)；在基板(100、200、300)上形成的n型氮化物半导体层(101、201、301)；在n型氮化物半导体层(101、201、301)上形成的氮化物半导体活性层(104、204、304)、在氮化物半导体活性层(104、204、304)上形成的p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)；以及在p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)上形成的上部透明导电膜(109、209、309)，氮化物半导体活性层(104、204、304)具有包含铟的氮化物半导体阱层(131)和氮化物半导体障壁层(132)。
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公开(公告)号：CN107565378A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710467187.X
申请日：2017-06-19
Applicant: 富士施乐株式会社
Inventor： 近藤崇
CPC classification number: H01S5/06817 , H01S5/02276 , H01S5/0261 , H01S5/042 , H01S5/0428 , H01S5/06216 , H01S5/06226 , H01S5/068 , H01S5/06825 , H01S5/183 , H01S5/18313 , H01S5/2232 , H01S5/3013 , H01S5/3095 , H01S5/32 , H01S5/323 , H01S5/4025 , H01S5/4031 , H01S5/42 , H01S5/423
Abstract: 本发明公开了一种发光组件。该发光组件包括多个激光元件及设定部。多个激光元件被设定为逻辑值“m”的导通状态、视为具有逻辑值“0”的导通状态、以及截止状态，其中，m为1以上的整数。设定部将所述激光元件设定为可转换到导通状态的状态，在将成为可转换到导通状态的状态的该激光元件设为具有逻辑值“m”的导通状态的定时之前，将所述激光元件设定为视为具有逻辑值“0”的导通状态。
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公开(公告)号：CN103460527A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201080070812.3
申请日：2010-11-02
Applicant: 奥尼奇普菲托尼克斯有限公司
CPC classification number: H01S5/1231 , H01S5/0208 , H01S5/0422 , H01S5/2018 , H01S5/2045 , H01S5/2081 , H01S5/22 , H01S5/2232
Abstract: 本发明提供一种与MGVI设计和制造方法完全兼容的LCSEG-DFB激光器，用于多功能PIC内的单增长单片集成电路。其包括台面形式的激光器PIN结构，从上发射层顶面通过有源，假定为MQW、增益区向下蚀刻至下发射器顶面。下部电触头邻近台面设置，台面设在下发射层，上接触带设在台面顶部上的上发射层。从台面顶面、上接触带之间，穿过上发射层，向下蚀刻入SCH层，限定/蚀刻成了SEG。SCH结构提供了垂直约束，台面底部中的侧面提供了横向约束。导模通过垂直翼穿透SEG及与SEG消散消散场耦合实现与SEG的相互作用。
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公开(公告)号：CN101882755A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010100012.3
申请日：2010-01-22
Applicant: 索尼公司
Inventor： 今西大介
CPC classification number: H01S5/2232 , B82Y20/00 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18327 , H01S5/18341 , H01S5/22 , H01S5/34326 , H01S5/4031
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器元件和半导体激光器器件，该半导体激光器元件包括：第一半导体层；具有电流注入区域的有源层；第二半导体层；第三半导体层；以及用于将电流注入所述有源层中的电极。在该半导体激光器元件中，第一半导体层、有源层、第二半导体层以及第三半导体层被依次层叠在衬底上，第一半导体层具有约束有源层的电流注入区域的电流约束层，第三半导体层形成在第二半导体层的上表面上对应于有源层的电流注入区域的区域中，电极形成在第二半导体层的上表面上除第三半导体层的区域以外的区域中。
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公开(公告)号：CN1138747A
公开(公告)日：1996-12-25
申请号：CN95116817.7
申请日：1995-09-01
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L33/00 , H01S3/18
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L21/02392 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/30612 , H01S5/026 , H01S5/12 , H01S5/1228 , H01S5/2077 , H01S5/2081 , H01S5/2086 , H01S5/2232 , H01S5/2237 , H01S5/227 , H01S5/2275 , H01S5/34306 , H01S5/3434 , H01S5/4031 , H01S2304/04
Abstract: 提供了一种比湿法腐蚀可控性更高的半导体腐蚀方法，包括：用一种含有组成III-V族化合物半导体层中V族材料的腐蚀气体且将上述III-V族化合物半导体层保持在高于其晶体生长温度的温度下，对其进行腐蚀。由于不使用腐蚀液，该腐蚀方法可在晶体生长设备中使用。再者，由于用III-V族化合物半导体层的材料气体作腐蚀气体，故能防止在被腐蚀的表面上出现残留杂质，从而保持了被腐蚀表面的清洁。
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