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Invention Publication
CN102084560A 氮化物半导体激光元件 无效 - 撤回

氮化物半导体激光元件
Abstract:
本发明提供一种氮化物半导体激光元件，其特征为包含：基板(100、200、300)；在基板(100、200、300)上形成的n型氮化物半导体层(101、201、301)；在n型氮化物半导体层(101、201、301)上形成的氮化物半导体活性层(104、204、304)、在氮化物半导体活性层(104、204、304)上形成的p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)；以及在p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)上形成的上部透明导电膜(109、209、309)，氮化物半导体活性层(104、204、304)具有包含铟的氮化物半导体阱层(131)和氮化物半导体障壁层(132)。
Abstract(English):

The present invention provides a nitride semiconductor laser element including: a substrate (100, 200, 300); an n-type nitride semiconductor layer (101, 201, 301) formed on the substrate (100, 200, 300); a nitride semiconductor active layer (104, 204, 304) formed on the n-type nitride semiconductor layer (101, 201, 301); p-type nitride semiconductor layers (107, 207, 307, 108, 208, 308) formed on the nitride semiconductor active layer (104, 204, 304); and an upper transparent conductive film (109, 209, 309) formed on the p-type nitride semiconductor layers (107, 207, 307, 108, 208, 308). The nitride semiconductor active layer (104, 204, 304) has a nitride semiconductor well layer (131) containing indium, and a nitride semiconductor barrier layer (132).

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