公开(公告)号：CN106479489A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610710945.1

申请日：2016-08-23

Applicant: 夏普株式会社 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构

Inventor： 吉村健一 ,  伊藤茂稔 ,  和泉真 ,  原田昌道 ,  福永浩史 ,  广崎尚登

IPC: C09K11/08 ,  H01L33/50 ,  G09F9/33

CPC classification number: H01L33/504 ,  C09K11/00 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/57 ,  C09K11/616 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/133615 ,  G02F1/1337 ,  G02F2001/133614 ,  G02F2001/133624 ,  C09K11/08 ,  C09K11/0827 ,  G09F9/33 ,  H01L33/502

Abstract: 本发明提供能够实现色再现范围宽广的图像显示装置的发光装置(10)和具备该发光装置的图像显示装置。发光装置(10)包括：发出蓝色光的发光元件(11)；作为绿色荧光体(13)的Mn2+激活γ-AlON荧光体；和作为红色荧光体(12)的Mn4+激活荧光体。Mn2+激活γ-AlON荧光体发出的绿色光的发光光谱的峰值波长为518nm以上528nm以下。

公开(公告)号：CN101316026B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200810099971.0

申请日：2008-05-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山下文雄 ,  伊藤茂稔 ,  山本秀一郎 ,  川上俊之

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/22 ,  H01S5/10 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333

Abstract: 在一种具有抑制氮化物半导体层上的台阶生成的结构的氮化物半导体激光器芯片中，衬底以(1-100)面为主表面，谐振器端面垂直于主表面，而且，在形成谐振器端面的解理表面中，至少在条带形波导的一边，形成刻入部分，作为朝向氮化物半导体层的表面开口的刻入区域。

公开(公告)号：CN100346487C

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN98803761.0

申请日：1998-03-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤茂稔

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49107

Abstract: 一种发光元件，它包括：基片，在基片上形成的至少1层第1导电类型半导体层，在所述第1导电类型半导体层的部分区域中形成的至少1层第2导电类型半导体层，连接至所述第1导电类型半导体层的第1焊接电极，连接至所述第2导电类型半导体层几乎整个表面的第2焊接电极；所述基片对所述第1导电类型半导体层与第2导电类型半导体层接合部附近发射的光是透明的；所述第2焊接电极形成为大致矩形形状且具有焊接所需的实质上最小面积；元件侧面配置在所述第2焊接电极周围3个方向。

公开(公告)号：CN106887489B

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201611167309.5

申请日：2016-12-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 泽村诚 ,  山本秀一郎 ,  伊藤茂稔

IPC: H01L33/10

Abstract: 本发明提供一种提高了光取出效率的包含AlxGayN(0＜x≤1，0≤y＜1)的半导体发光元件。半导体发光元件具备：在第一主面上具备第一电极的第一导电型半导体；第二导电型半导体；和第一导电型半导体的第二主面与第二导电型半导体的第一主面之间的活性层。在第二导电型半导体的第二主面的与第一电极相对的区域的至少一部分配置有多个凸部，在区域以外的区域的至少一部分配置有第二电极。包含电介质的多个凸部从第二导电型半导体的第二主面向与活性层相反的一侧突出，相邻的凸部之间的间隔比从活性层发出的光在凸部的介质中的波长宽。

公开(公告)号：CN102628573A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201210020830.1

申请日：2012-01-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 岸本克彦 ,  伊藤茂稔

IPC: F21S8/10 ,  F21V7/06 ,  F21V7/08 ,  F21V8/00 ,  G03B21/20

CPC classification number: F21S48/1159 ,  F21S41/147 ,  F21S41/16 ,  F21S41/24 ,  G03B21/204

Abstract: 本发明提供发光装置、照明装置和前照灯，其中，该发光装置具备：发出激发光(L0)的LD芯片(11)；接收由LD芯片(11)发出的激发光(L0)而发出荧光的发光体(40)；具有对发光体(40)所发出的荧光进行反射的光反射凹面(SUF1)的反射镜(90)，且在该发光装置中，在反射镜(90)的光反射凹面(SUF1)的底部附近区域(ER)以外的区域设有贯通孔(90h)，并且该发光装置还具备角锥台状聚光部(21)，该角锥台状聚光部(21)插通所述贯通孔(90h)、且将LD芯片(11)发出的激发光(L0)导向所述发光体(40)。

公开(公告)号：CN100454694C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200610108428.3

申请日：2006-08-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 花冈大介 ,  石田真也 ,  高谷邦启 ,  伊藤茂稔

IPC: H01S5/022 ,  H01L33/00 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，在所述半导体发光器件中，盖在放电下被压焊在底座的顶表面上，以形成封装。该封装包封热沉、氮化物半导体激光元件、电极插脚和导线，并在其内部密封有包含氧的气体作为密封气氛。至少盖的内表面镀有可以吸藏氢的金属Ni和Pd。

公开(公告)号：CN102144342B

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN200980134707.9

申请日：2009-09-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神川刚 ,  麦华路巴武吕 ,  伊藤茂稔

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 在一种氮化物半导体发光器件中，在n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)上依次地堆叠氮化物半导体层(103，303，603，1203)、p型氮化物半导体层(104，304，604，1204)和有源层(105，305，605，1205)。在一种氮化物半导体发光器件中，在衬底(1401，1501，1601，1701)上依次地堆叠第一底层(1402，1502，1602，1702)、第二底层(1404，1504，1604，1704)、有源层(1405，1505，1605，1705)和厚度不大于40nm的上层(1406，1506，1606，1706)，针对n型的第二电极(1408，1508，1608，1708)与上层(1406，1506，1606，1706)相接触的界面包含金属，所述金属的表面等离激元能够由从有源层(1405，1505，1605，1705)产生的光来激励。

公开(公告)号：CN101316026A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810099971.0

申请日：2008-05-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山下文雄 ,  伊藤茂稔 ,  山本秀一郎 ,  川上俊之

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/22 ,  H01S5/10 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333

Abstract: 在一种具有抑制氮化物半导体层上的台阶生成的结构的氮化物半导体激光器芯片中，衬底以(1－100)面为主表面，谐振器端面垂直于主表面，而且，在形成谐振器端面的解理表面中，至少在条带形波导的一边，形成刻入部分，作为朝向氮化物半导体层的表面开口的刻入区域。

公开(公告)号：CN1251688A

公开(公告)日：2000-04-26

申请号：CN98803761.0

申请日：1998-03-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤茂稔

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49107

Abstract: 一种发光元件,它包括:基片,在基片上形成的至少1层第1导电型半导体层,在所述第1导电型半导体层的部分区域中形成的至少1层第2导电型半导体层,连接至所述第1导电型半导体层的第1焊接电极,连接至所述第2导电型半导体层几乎整个表面的第2焊接电极;所述基片对所述第1导电型半导体层与第2导电型半导体层接合部附近发射的光是透明的;所述第2焊接电极形成为大致矩形形状且具有焊接所需的实质上最小面积;元件侧面配置在所述第2焊接电极周围3个方向。

公开(公告)号：CN110233138B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201910165495.6

申请日：2019-03-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤茂稔 ,  金子和昭 ,  大松照幸

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/498 ,  H01S5/02315 ,  H01S5/02255 ,  H01S5/023 ,  H01S5/0222 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/024

Abstract: 本发明提供一种在将罐形的半导体发光元件安装于散热板来使用时，能够进一步提高散热性的半导体发光装置。半导体发光装置(10)形成为将半导体发光元件(100)搭载于散热板(130)上。在半导体发光元件(100)的基座(101)的基座底面(107)的一部分区域与散热板(130)的上表面之间设置有间隔(140)，引线(105)配置为在设置有间隔(140)的区域上下贯通基座(101)。半导体激光芯片(122)以其波导长边方向与基座(101)的上表面大致平行的方式配置在未设置有间隔(140)的区域。引线(105)的下端位于间隔(140)内并与柔性基板(150)连接。