公开(公告)号：CN102144342A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200980134707.9

申请日：2009-09-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神川刚 ,  麦华路巴武吕 ,  伊藤茂稔

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 在一种氮化物半导体发光器件中，在n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)上依次地堆叠氮化物半导体层(103，303，603，1203)、p型氮化物半导体层(104，304，604，1204)和有源层(105，305，605，1205)。在一种氮化物半导体发光器件中，在衬底(1401，1501，1601，1701)上依次地堆叠第一底层(1402，1502，1602，1702)、第二底层(1404，1504，1604，1704)、有源层(1405，1505，1605，1705)和厚度不大于40nm的上层(1406，1506，1606，1706)，针对n型的第二电极(1408，1508，1608，1708)与上层(1406，1506，1606，1706)相接触的界面包含金属，所述金属的表面等离激元能够由从有源层(1405，1505，1605，1705)产生的光来激励。

公开(公告)号：CN102084560A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980126170.1

申请日：2009-07-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田征孝 ,  伊藤茂稔 ,  津田有三 ,  麦华路巴武吕 ,  高桥幸司

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/042

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/2232

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光元件，其特征为包含：基板(100、200、300)；在基板(100、200、300)上形成的n型氮化物半导体层(101、201、301)；在n型氮化物半导体层(101、201、301)上形成的氮化物半导体活性层(104、204、304)、在氮化物半导体活性层(104、204、304)上形成的p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)；以及在p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)上形成的上部透明导电膜(109、209、309)，氮化物半导体活性层(104、204、304)具有包含铟的氮化物半导体阱层(131)和氮化物半导体障壁层(132)。

公开(公告)号：CN102144342B

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN200980134707.9

申请日：2009-09-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神川刚 ,  麦华路巴武吕 ,  伊藤茂稔

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 在一种氮化物半导体发光器件中，在n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)上依次地堆叠氮化物半导体层(103，303，603，1203)、p型氮化物半导体层(104，304，604，1204)和有源层(105，305，605，1205)。在一种氮化物半导体发光器件中，在衬底(1401，1501，1601，1701)上依次地堆叠第一底层(1402，1502，1602，1702)、第二底层(1404，1504，1604，1704)、有源层(1405，1505，1605，1705)和厚度不大于40nm的上层(1406，1506，1606，1706)，针对n型的第二电极(1408，1508，1608，1708)与上层(1406，1506，1606，1706)相接触的界面包含金属，所述金属的表面等离激元能够由从有源层(1405，1505，1605，1705)产生的光来激励。