公开(公告)号：CN1260863C

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200310119982.8

申请日：2003-11-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大渊修三

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/2232 ,  H01S5/2059 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3211

Abstract: 半导体激光装置具有一对包层[(102)和(105)、(107)]，其之间插入一激活层(103)。该包层中至少一层(105)、(107)除在该包层中的掺杂物外，在该包层的整个区域具有相同组份，并有与相邻部分具有不同传导类型的条状部分(107)。

公开(公告)号：CN1510804A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310119982.8

申请日：2003-11-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大渊修三

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/2232 ,  H01S5/2059 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3211

Abstract: 半导体激光装置具有一对包层[(102)和(105)、(107)]，其之间插入一激活层(103)。该包层中至少一层(105)、(107)除在该包层中的掺杂物外，在该包层的整个区域具有相同组份，并有与相邻部分具有不同传导类型的条状部分(107)。