Invention Publication
CN1510804A 半导体激光装置
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体激光装置
- Patent Title (English): Semiconductor laser devices
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Application No.: CN200310119982.8Application Date: 2003-11-28
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Publication No.: CN1510804APublication Date: 2004-07-07
- Inventor: 大渊修三
- Applicant: 夏普株式会社
- Applicant Address: 日本大阪府
- Assignee: 夏普株式会社
- Current Assignee: 夏普株式会社
- Current Assignee Address: 日本大阪府
- Agency: 上海专利商标事务所
- Agent 包于俊
- Priority: 2002－345905 2002.11.28 JP
- Main IPC: H01S5/00
- IPC: H01S5/00
Abstract:
半导体激光装置具有一对包层[(102)和(105)、(107)]，其之间插入一激活层(103)。该包层中至少一层(105)、(107)除在该包层中的掺杂物外，在该包层的整个区域具有相同组份，并有与相邻部分具有不同传导类型的条状部分(107)。
Public/Granted literature
- CN1260863C 半导体激光装置 Public/Granted day:2006-06-21
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