Invention Grant
CN101882755B 半导体激光器元件和半导体激光器器件
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体激光器元件和半导体激光器器件
- Patent Title (English): Semiconductor laser element and semiconductor laser device
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Application No.: CN201010100012.3Application Date: 2010-01-22
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Publication No.: CN101882755BPublication Date: 2012-06-06
- Inventor: 今西大介
- Applicant: 索尼公司
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 索尼公司
- Current Assignee: 索尼公司
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
- Agent 李晓冬; 南霆
- Priority: 2009-011989 2009.01.22 JP
- Main IPC: H01S5/20
- IPC: H01S5/20 ; H01S5/042

Abstract:
本发明提供了一种半导体激光器元件和半导体激光器器件,该半导体激光器元件包括:第一半导体层;具有电流注入区域的有源层;第二半导体层;第三半导体层;以及用于将电流注入所述有源层中的电极。在该半导体激光器元件中,第一半导体层、有源层、第二半导体层以及第三半导体层被依次层叠在衬底上,第一半导体层具有约束有源层的电流注入区域的电流约束层,第三半导体层形成在第二半导体层的上表面上对应于有源层的电流注入区域的区域中,电极形成在第二半导体层的上表面上除第三半导体层的区域以外的区域中。
Public/Granted literature
- CN101882755A 半导体激光器元件和半导体激光器器件 Public/Granted day:2010-11-10
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