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公开(公告)号：CN107005027A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580056071.6
申请日：2015-08-20
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01S5/1014 , G02B6/122 , G02B6/42 , H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/06216 , H01S5/06253 , H01S5/2045 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/343 , H01S5/34333 , H01S5/50 , H01S5/5081
摘要： 一种光半导体元件，包括：由第一化合物半导体层21、第三化合物半导体层(有源层)23和第二化合物半导体层22构成的层叠结构体20。依次布置波导宽度为W1的基模波导区域40、宽度大于W1的自由传播区域50以及光射出区域60，所述光射出区域60具有朝着光射出端面25的方向而宽度增大的锥形(喇叭形)形状。
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公开(公告)号：CN105284021A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201480014690.4
申请日：2014-03-11
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01S5/22 , H01L21/3247 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1017 , H01S5/204 , H01S5/2045 , H01S5/222 , H01S5/32341 , H01S2301/176
摘要： 本发明涉及一种包括主体(2)的半导体激光器(1)。在主体(2)上提供具有更窄宽度的条带(3)。提供用于生成光辐射的有源区(4)。主体(2)的到条带(3)的各侧的表面(9，10)和条带(3)的侧表面(13，14)被利用电绝缘保护层(11)覆盖。在条带(3)的上侧上提供导电层(12)作为接触。半导体激光器的特征在于至少在被限定的区段中腔体(15)被提供在条带(3)的侧表面(13，14)和保护层(11)之间。
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公开(公告)号：CN106684706B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201611034936.1
申请日：2016-11-09
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/0207 , H01S5/00 , H01S5/0206 , H01S5/0208 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/2045
摘要： 本发明涉及半导体激光器及其制造方法，涉及适于通信用激光器的半导体激光器及其制造方法，目的在于得到一种对于具有槽构造的半导体激光器而使制造工艺简单化的制造方法。具有：在具有槽的半导体衬底的表面对绝缘膜进行成膜的工序；以将所述槽的开口面封堵的方式将绝缘薄膜粘贴至所述绝缘膜的上表面，在所述半导体衬底之上形成绝缘层的工序；以使所述半导体衬底的电极对应部位露出的方式在所述绝缘层设置第1开口的开口形成工序；以及以将所述第1开口掩埋的方式，在所述绝缘层的上表面形成电极的工序。
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公开(公告)号：CN106684706A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611034936.1
申请日：2016-11-09
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/0207 , H01S5/00 , H01S5/0206 , H01S5/0208 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/2045 , H01S5/2202
摘要： 本发明涉及半导体激光器及其制造方法，涉及适于通信用激光器的半导体激光器及其制造方法，目的在于得到一种对于具有槽构造的半导体激光器而使制造工艺简单化的制造方法。具有：在具有槽的半导体衬底的表面对绝缘膜进行成膜的工序；以将所述槽的开口面封堵的方式将绝缘薄膜粘贴至所述绝缘膜的上表面，在所述半导体衬底之上形成绝缘层的工序；以使所述半导体衬底的电极对应部位露出的方式在所述绝缘层设置第1开口的开口形成工序；以及以将所述第1开口掩埋的方式，在所述绝缘层的上表面形成电极的工序。
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公开(公告)号：CN103460527A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201080070812.3
申请日：2010-11-02
申请人： 奥尼奇普菲托尼克斯有限公司
CPC分类号： H01S5/1231 , H01S5/0208 , H01S5/0422 , H01S5/2018 , H01S5/2045 , H01S5/2081 , H01S5/22 , H01S5/2232
摘要： 本发明提供一种与MGVI设计和制造方法完全兼容的LCSEG-DFB激光器，用于多功能PIC内的单增长单片集成电路。其包括台面形式的激光器PIN结构，从上发射层顶面通过有源，假定为MQW、增益区向下蚀刻至下发射器顶面。下部电触头邻近台面设置，台面设在下发射层，上接触带设在台面顶部上的上发射层。从台面顶面、上接触带之间，穿过上发射层，向下蚀刻入SCH层，限定/蚀刻成了SEG。SCH结构提供了垂直约束，台面底部中的侧面提供了横向约束。导模通过垂直翼穿透SEG及与SEG消散消散场耦合实现与SEG的相互作用。
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