公开(公告)号：CN107005027A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580056071.6

申请日：2015-08-20

申请人： 索尼公司

发明人： 幸田伦太郎 ,  仓本大 ,  河野俊介 ,  渡边秀辉 ,  吉田浩

IPC分类号： H01S5/50 ,  G02B6/122 ,  G02B6/42 ,  H01S5/22 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01S5/1014 ,  G02B6/122 ,  G02B6/42 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06216 ,  H01S5/06253 ,  H01S5/2045 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/50 ,  H01S5/5081

摘要： 一种光半导体元件，包括：由第一化合物半导体层21、第三化合物半导体层(有源层)23和第二化合物半导体层22构成的层叠结构体20。依次布置波导宽度为W1的基模波导区域40、宽度大于W1的自由传播区域50以及光射出区域60，所述光射出区域60具有朝着光射出端面25的方向而宽度增大的锥形(喇叭形)形状。

公开(公告)号：CN104937791B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201380070494.4

申请日：2013-01-28

申请人： 富士通株式会社

发明人： 高林和雅

IPC分类号： H01S5/14

CPC分类号： H01S5/5045 ,  G02B6/124 ,  H01S3/06716 ,  H01S3/0675 ,  H01S3/06791 ,  H01S3/08004 ,  H01S3/106 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0687 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/125 ,  H01S5/14 ,  H01S5/141 ,  H01S5/146 ,  H01S5/5081

摘要： 本发明涉及激光装置、光调制装置以及光半导体元件。具有由化合物半导体材料形成的光半导体元件和包括光导波路的波长选择反射元件的激光装置的特征在于，上述光半导体元件具有：第一增益导波路；第二增益导波路；DBR导波路，其形成于上述第一增益导波路与上述第二增益导波路之间；第一电极，其使电流流过上述第一增益导波路；以及第二电极，其使电流流过上述第二增益导波路，并且，在连接有上述第二增益导波路的元件端面形成有防反射膜，上述波长选择反射元件中的上述光导波路反射入射的光中规定波长的光，具有激光谐振器，其中，上述第一增益导波路和上述波长选择反射元件光学耦合，将上述第一增益导波路作为增益介质，由上述DBR导波路和上述波长选择反射元件形成。

公开(公告)号：CN104937791A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201380070494.4

申请日：2013-01-28

申请人： 富士通株式会社

发明人： 高林和雅

IPC分类号： H01S5/14

CPC分类号： H01S5/5045 ,  G02B6/124 ,  H01S3/06716 ,  H01S3/0675 ,  H01S3/06791 ,  H01S3/08004 ,  H01S3/106 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0687 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/125 ,  H01S5/14 ,  H01S5/141 ,  H01S5/146 ,  H01S5/5081

摘要： 本发明涉及激光装置、光调制装置以及光半导体元件。具有由化合物半导体材料形成的光半导体元件和包括光导波路的波长选择反射元件的激光装置的特征在于，上述光半导体元件具有：第一增益导波路；第二增益导波路；DBR导波路，其形成于上述第一增益导波路与上述第二增益导波路之间；第一电极，其使电流流过上述第一增益导波路；以及第二电极，其使电流流过上述第二增益导波路，并且，在连接有上述第二增益导波路的元件端面形成有防反射膜，上述波长选择反射元件中的上述光导波路反射入射的光中规定波长的光，具有激光谐振器，其中，上述第一增益导波路和上述波长选择反射元件光学耦合，将上述第一增益导波路作为增益介质，由上述DBR导波路和上述波长选择反射元件形成。