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公开(公告)号：CN104143762A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410183449.6
申请日：2014-04-30
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/065
CPC classification number: H01S5/0657 , H01S3/08004 , H01S3/08009 , H01S3/2308 , H01S5/0057 , H01S5/0078 , H01S5/0602 , H01S5/065 , H01S5/101 , H01S5/1085 , H01S5/14 , H01S5/141 , H01S5/143 , H01S5/22 , H01S5/343 , H01S5/34333 , H01S5/40 , H01S5/50
Abstract: 本发明公开了半导体激光设备组件。该半导体激光设备组件包括：锁模半导体激光元件组件，包括锁模半导体激光元件和色散补偿光学系统，从该锁模半导体激光元件发射的激光入射到该色散补偿光学系统上并且从该色散补偿光学系统发射该激光；以及半导体光学放大器，具有包括III-V族氮化物基半导体层的分层结构体，该半导体光学放大器被配置为放大从该锁模半导体激光元件组件发射的该激光。
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公开(公告)号：CN103117511A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201210353540.9
申请日：2012-09-20
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/20
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0218 , H01S5/0655 , H01S5/2031 , H01S5/34333 , H01S5/50 , H01S2301/166
Abstract: 提供了一种发光器件，其包括：（a）通过在底部衬底上顺序地生长第一导电类型的第一化合物半导体层、由化合物半导体形成的活性层、以及第二导电类型的第二化合物半导体层来获得的层结构；（b）形成于第二化合物半导体层上的第二电极；以及（c）电连接于第一化合物半导体层的第一电极。该层结构由第二化合物半导体层的在第二化合物半导体层的厚度方向上的至少一部分形成。第一化合物半导体层具有大于0.6μm的厚度。第一化合物半导体层中形成有高折射率层，该高折射率层由具有比第一化合物半导体层的化合物半导体材料的折射率高的折射率的化合物半导体材料形成。
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公开(公告)号：CN103918143A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280054166.0
申请日：2012-11-09
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01S5/141 , B82Y20/00 , H01S3/08004 , H01S3/08009 , H01S3/105 , H01S3/106 , H01S3/1062 , H01S5/0014 , H01S5/0265 , H01S5/0657 , H01S5/101 , H01S5/143 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 提供了一种半导体激光设备。该半导体激光设备包括锁模半导体激光装置和外部谐振器，该外部谐振器包括色散补偿系统，其中，该半导体激光设备被配置为生成自调制，将负群速度色散引入外部谐振器中，并用于在外部谐振器之后提供光谱过滤。
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公开(公告)号：CN101854028A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010196194.9
申请日：2010-02-23
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01S5/042
CPC classification number: H01S5/4006 , B82Y20/00 , H01S5/0428 , H01S5/06216 , H01S5/0658 , H01S5/14 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 提供一种具有简单组成和简单结构的、驱动超短脉冲和超高功率激光二极管器件的方法。在驱动激光二极管器件的方法中，光从光注入部件注入通过脉冲电流驱动的激光二极管器件，该脉冲电流具有如阈值电流值的10倍或更多倍大的值。
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公开(公告)号：CN102570298B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201110319081.8
申请日：2011-10-19
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/0657 , B82Y20/00 , H01S5/0064 , H01S5/0071 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/06251 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/1085 , H01S5/141 , H01S5/16 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/309 , H01S5/3211 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S5/50 , H01S2301/176
Abstract: 本发明公开了激光二极管组件和半导体光学放大器组件。该激光二极管组件包括：锁模激光二极管器件，其中光输出谱通过自相位调制示出长波位移，外部谐振器和波长选择元件。由该波长选择元件提取从该锁模激光二极管器件穿过该外部谐振器发射的脉冲激光束的长波分量，并输出至外部。
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公开(公告)号：CN107005027A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580056071.6
申请日：2015-08-20
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01S5/1014 , G02B6/122 , G02B6/42 , H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/06216 , H01S5/06253 , H01S5/2045 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/343 , H01S5/34333 , H01S5/50 , H01S5/5081
Abstract: 一种光半导体元件，包括：由第一化合物半导体层21、第三化合物半导体层(有源层)23和第二化合物半导体层22构成的层叠结构体20。依次布置波导宽度为W1的基模波导区域40、宽度大于W1的自由传播区域50以及光射出区域60，所述光射出区域60具有朝着光射出端面25的方向而宽度增大的锥形(喇叭形)形状。
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公开(公告)号：CN103515839A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310244679.4
申请日：2013-06-19
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: G02B5/32 , B82Y20/00 , H01S5/005 , H01S5/0057 , H01S5/0601 , H01S5/06253 , H01S5/0657 , H01S5/14 , H01S5/2009 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了色散补偿光学设备以及半导体激光设备组件。该色散补偿光学设备包括：第一透射型体积全息图衍射光栅以及第二透射型体积全息图衍射光栅。所述第一和第二透射型体积全息图衍射光栅彼此相对设置。在每个第一和第二透射型体积全息图衍射光栅内，激光的入射角和一级衍射光的出射角的和为90°。
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