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公开(公告)号：CN102545036A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110391356.9
申请日：2011-11-30
申请人： 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/06253 , H01S5/0658 , H01S5/1014 , H01S5/1064 , H01S5/141 , H01S5/22
摘要： 本发明涉及一种激光二极管器件，所述激光二极管器件包括层压结构、第二电极和第一电极，在所述层压结构中，第一化合物半导体层、具有发光区和可饱和吸收区的第三化合物半导体层、以及第二化合物半导体层顺次层叠。所述层压结构具有脊条结构。所述第二电极被隔离槽分隔为第一部分和第二部分，所述第一部分用于经由所述发光区将直流电流施加至所述第一电极来获得正向偏压状态，所述第二部分用于将电场加至所述可饱和吸收区。当脊条结构的最小宽度是WMIN，并且在所述第二电极的第二部分和隔离槽之间的界面中的所述第二电极的第二部分的脊条结构的宽度是W2时，满足1＜W2/WMIN。
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公开(公告)号：CN102890942A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210241807.5
申请日：2012-07-12
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G11B7/1263 , B82Y20/00 , G11B7/127 , H01S5/06253 , H01S5/0658 , H01S5/34333
摘要： 本发明提供了一种光学振荡装置和记录设备，该记录设备包括：自激振荡半导体激光器，具有双量子阱分离限制异质结构，并包括被施加负偏压的饱和吸收体部和被注入增益电流的增益部；光学分离单元、物镜、光接收元件、脉冲检测单元、基准信号生成单元、相位比较单元、记录信号生成单元以及控制单元。
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公开(公告)号：CN1187871C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN02141056.9
申请日：2002-07-12
申请人： 日本电气株式会社
发明人： 横山弘之
IPC分类号： H01S3/098
CPC分类号： H01S5/10 , H01S3/06791 , H01S5/026 , H01S5/06253 , H01S5/0657 , H01S5/1071
摘要： 一种光脉冲串发生器是由第一和第二光谐振器(3，12)以及一个光脉冲发生器(6)构成的。第一光谐振器(12)中具有第一光路长度的第一光路。第二光谐振器(3)插入到第一光路中。第二光谐振器(3)中具有一个实际上等于第二光路长度的1/m的第二光路长度的第二光路，m是一个自然数。光脉冲发生器(6)向第一光谐振器(12)提供包括对应于第一光路长度调谐的第一重复率的分量的第一光脉冲串(13)。第一光脉冲串(13)的提供使得能够在第一光谐振器(12)中产生一个第二光脉冲串(14)。第一光谐振器(12)提取第二光脉冲串(14)的一部分，以输出一个输出光脉冲串(15)。
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公开(公告)号：CN1398029A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02141056.9
申请日：2002-07-12
申请人： 日本电气株式会社
发明人： 横山弘之
IPC分类号： H01S3/098
CPC分类号： H01S5/10 , H01S3/06791 , H01S5/026 , H01S5/06253 , H01S5/0657 , H01S5/1071
摘要： 一种光脉冲串发生器是由第一和第二光谐振器(3，12)以及一个光脉冲发生器(6)构成的。第一光谐振器(12)中具有第一光路长度的第一光路。第二光谐振器(3)插入到第一光路中。第二光谐振器(3)中具有一个实际上等于第二光路长度的1/m的第二光路长度的第二光路，m是一个自然数。光脉冲发生器(6)向第一光谐振器(12)提供包括对应于第一光路长度调谐的第一重复率的分量的第一光脉冲串(13)。第一光脉冲串(13)的提供使得能够在第一光谐振器(12)中产生一个第二光脉冲串(14)。第一光谐振器(12)提取第二光脉冲串(14)的一部分，以输出一个输出光脉冲串(15)。
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公开(公告)号：CN102890944A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210241802.2
申请日：2012-07-12
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G11B7/126 , B82Y20/00 , G11B7/127 , G11B7/1275 , G11B7/128 , G11B2007/00457 , H01S5/0261 , H01S5/0602 , H01S5/06253 , H01S5/06255 , H01S5/0658 , H01S5/34333
摘要： 本发明提供了一种光学振荡装置和记录设备，该记录设备包括：自激振荡半导体激光器，具有双量子阱分离限制异质结构，并包括被施加负偏压的饱和吸收体部和被注入增益电流的增益部；光学分离单元、物镜、光接收元件、脉冲检测单元、基准信号生成单元、相位比较单元、记录信号生成单元以及控制单元。
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公开(公告)号：CN101366153A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200680046224.X
申请日：2006-12-01
申请人： 康宁股份有限公司
CPC分类号： H01S5/06256 , H01S5/0092 , H01S5/06253 , H04N9/3129
摘要： 本发明提出了一种为半导体激光器提供三电平电流方案以便控制光束波长和激光器温度的方法和系统。第一电流被接受注入到半导体激光器增益部件中，至少一个其它电流被接受注入到半导体激光器DBR部件和/或相位部件中。该其它电流是基于所需的温度数值进行脉冲宽度调制的。输出光束是由半导体激光器基于所接受到的第一电流和所接受到的脉冲宽度调制电流来产生的。
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公开(公告)号：CN101326748A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200680046434.9
申请日：2006-11-30
申请人： 康宁股份有限公司
IPC分类号： H04B10/155 , H01S5/0625
CPC分类号： H04N9/3129 , H01S5/005 , H01S5/0092 , H01S5/06213 , H01S5/06251 , H01S5/06253 , H01S5/06256 , H04B10/54
摘要： 本发明提供了调制由半导体激光器产生的输出束的强度的系统和仪器。示范性的系统包括：与产生激光脉动束的激光器连接的脉动电流源、具有接收脉动束的输入端和由脉动控制信号控制的输出端的外调制器，其中通过随时间来改变由脉动电流供能的激光器与外调制器的控制信号之间的相对相位角，来调制由外调制器输出端传输的输出束。该外调制器可为强度型调制器，其输出端由具有恒定相位的门信号控制，而为激光器供能的脉动电流源则可为可变相位，以便可用具有简单结构的外调制器来对输出束进行调制。所述系统和方法都能十分有利地与DFB激光器兼容，并能避免这样的波长偏移和随之热诱导的形成图像的影响，该波长偏移和形成图像的影响通过用具有恒定工作循环的脉动电流供能激光器所导致。
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公开(公告)号：CN107005027A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580056071.6
申请日：2015-08-20
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01S5/1014 , G02B6/122 , G02B6/42 , H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/06216 , H01S5/06253 , H01S5/2045 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/343 , H01S5/34333 , H01S5/50 , H01S5/5081
摘要： 一种光半导体元件，包括：由第一化合物半导体层21、第三化合物半导体层(有源层)23和第二化合物半导体层22构成的层叠结构体20。依次布置波导宽度为W1的基模波导区域40、宽度大于W1的自由传播区域50以及光射出区域60，所述光射出区域60具有朝着光射出端面25的方向而宽度增大的锥形(喇叭形)形状。
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公开(公告)号：CN103515839A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310244679.4
申请日：2013-06-19
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G02B5/32 , B82Y20/00 , H01S5/005 , H01S5/0057 , H01S5/0601 , H01S5/06253 , H01S5/0657 , H01S5/14 , H01S5/2009 , H01S5/3216 , H01S5/34333
摘要： 本发明公开了色散补偿光学设备以及半导体激光设备组件。该色散补偿光学设备包括：第一透射型体积全息图衍射光栅以及第二透射型体积全息图衍射光栅。所述第一和第二透射型体积全息图衍射光栅彼此相对设置。在每个第一和第二透射型体积全息图衍射光栅内，激光的入射角和一级衍射光的出射角的和为90°。
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公开(公告)号：CN101950922A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010223995.X
申请日：2010-07-02
申请人： 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
CPC分类号： H01S5/06216 , B82Y20/00 , H01S5/0602 , H01S5/06253 , H01S5/2009 , H01S5/34333
摘要： 本发明提供了一种超短脉冲和超高功率激光二极管元件，其能够以简单成分和简单结构输出具有更高峰值功率的脉冲激光。所述激光二极管元件包括：层叠结构，其包括包含n型杂质的第一化合物半导体层、具有量子阱结构的活性层以及包含p型杂质的第二化合物半导体层；第一电极，其电连接于所述第一化合物半导体层；以及第二电极，其电连接于所述第二化合物半导体层，其中，所述第二化合物半导体层设有厚度为1.5×10-8m以上的电子势垒层，且由具有阈值电流值的10倍以上大小的值的脉冲电流进行驱动。通过将激光二极管元件与可商业获得的电驱动电子元件组合，可以容易地得到具有瓦级以上峰值光强度的激光二极管装置(激光源)。
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