半导体腐蚀方法及用该腐蚀方法制造半导体器件的方法

Invention Publication

CN1138747A 半导体腐蚀方法及用该腐蚀方法制造半导体器件的方法无效 - 撤回

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Patent Title: 半导体腐蚀方法及用该腐蚀方法制造半导体器件的方法
Patent Title (English): Method for etching semiconductor, method for fabricating semiconductor device, method for fabricating semiconductor laser, and semiconductor laser
Application No.: CN95116817.7

Application Date: 1995-09-01
Publication No.: CN1138747A

Publication Date: 1996-12-25
Inventor: 元田隆 , 加藤学 , 竹见政义
Applicant: 三菱电机株式会社
Applicant Address: 日本东京
Assignee: 三菱电机株式会社
Current Assignee: 三菱电机株式会社
Current Assignee Address: 日本东京
Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
Agent 王以平
Priority: 209980/94 1994.09.02 JP
Main IPC: H01L21/306
IPC: H01L21/306 ; H01L33/00 ; H01S3/18

Abstract:

提供了一种比湿法腐蚀可控性更高的半导体腐蚀方法，包括：用一种含有组成III-V族化合物半导体层中V族材料的腐蚀气体且将上述III-V族化合物半导体层保持在高于其晶体生长温度的温度下，对其进行腐蚀。由于不使用腐蚀液，该腐蚀方法可在晶体生长设备中使用。再者，由于用III-V族化合物半导体层的材料气体作腐蚀气体，故能防止在被腐蚀的表面上出现残留杂质，从而保持了被腐蚀表面的清洁。

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Chinese Patent Announcement Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）