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公开(公告)号：CN1233855A
公开(公告)日：1999-11-03
申请号：CN99100398.5
申请日：1999-01-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种红外探测器包括有硅基衬底、充有特殊气体的密闭腔、覆盖于密闭腔上的透红外窗口薄膜及形变薄膜、及测量元件等。它利用特殊气体对某一波段红外线的较强吸收性,当该气体吸收该波段红外辐射后受热膨胀产生的压力作用于覆盖膜上时,覆盖膜产生形变导致与之相特殊气体对某一波段红外线的较强吸收性,当该气体吸收该波段红外辐射后受热膨胀产生的压力作用于覆盖膜上时,覆盖膜产生形变导致与之相关的参量变化,通过测量该参量的变化来探测红外辐射。本发明能有效地在室温下检测某一波段的红外辐射,并具有成本低、体积小、灵敏度高等特点,广泛用于预警、空间技术、医学等领域。
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公开(公告)号：CN1103498C
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN99100398.5
申请日：1999-01-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种红外探测器包括有硅基衬底、充有特殊气体的密闭腔、覆盖于密闭腔上的透红外窗口薄膜及形变薄膜、及测量元件等。它利用特殊气体对某一波段红外线的较强吸收性，当该气体吸收该波段红外辐射后受热膨胀产生的压力作用于覆盖膜上时，覆盖膜产生形变导致与之相关的参量变化，通过测量该参量的变化来探测红外辐射。本发明能有效地在室温下检测某一波段的红外辐射，并具有成本低、体积小、灵敏度高等特点，广泛用于预警、空间技术、医学等领域。
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公开(公告)号：CN1238563A
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：CN99109641.X
申请日：1999-07-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737
Abstract: 一种量子阱基区异质结双极型晶体管，属于高速微电子技术领域，其特征是，沿基区纵向生长一个或多个非掺杂量子阱层，使基区内的多数载流子主要处在量子阱中作横向输运，从而大大提高多数载流子的横向迁移率，并同时形成对少数载流子的纵向漂移场，加速少数载流子的纵向渡越，在不提高基区宽度和掺杂总量的基础上显著减小基区电阻rb，从而得到具有高电流增益、高fT、高fmax和低噪声系数NF的异质结双极型晶体管。
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公开(公告)号：CN1226759A
公开(公告)日：1999-08-25
申请号：CN99100395.0
申请日：1999-01-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高效大功率大光腔半导体激光器,属于半导体光电子技术领域,其特征是,采用了由多个重复排列的单元发光区及位于每相邻两单元发光区之间的P+－N+隧道二极管所构成的多级耦合整体大光腔式发光区结构,通过各单元发光区间的隧道二极管为前级复合掉的电子和空穴提供再生通道,从而多倍地提高器件的量子效率和输出功率。本发明可提供高效大功率、具有窄发散角的半导体激光,广泛用于光通讯、光泵浦、光读写、激光医疗、激光雷达等领域。
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公开(公告)号：CN1259762C
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200310110351.X
申请日：2003-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种空气柱型垂直腔面发射激光器的结构及其制备方法，属半导体光电子领域。结构包括从上往下排列的p型欧姆接触层(1)，上分布布拉格反射镜(2)，AlxGa1-xAs(x≥0.9)湿氮氧化层(4)，有源区单元(6)，下分布布拉格反射镜(7)，缓冲层(8)，衬底(9)和n型电极(10)，特征在于：上分布布拉格反射镜(2)和AlxGa1-xAs(x≥0.9)湿氮氧化层(4)之间有腐蚀停层(3)及AlxGa1-xAs(x≥0.9)湿氮氧化层(4)和有源区单元(6)中的p型限制层(11)之间设置有相位补偿层(5)制备方法特征在于：采用选择性腐蚀方法湿法腐蚀上分布布拉格反射镜(2)至腐蚀停层(3)，再分别采用选择性湿法腐蚀腐蚀停层(3)和AlxGa1-xAs(x≥0.9)湿氮氧化层(4)到相位补偿层(5)，其余采用常规技术。本结构可用传统的半导体化学湿法腐蚀工艺，降低成本，提高器件的性能，可靠性和生产效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1547297A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN200310121480.9
申请日：2003-12-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 一种内腔接触式垂直腔面发射激光器的结构及其制备方法，属半导体光电子领域。结构包括从上往下排列的上分布布拉格反射镜1，欧姆接触层4，AlxGa1－xAs(x≥0.9)湿氮氧化层5，有源区单元7，下分布布拉格反射镜8，缓冲层9，衬底10和n型电极11，特征在于：在上分布布拉格反射镜1和欧姆接触层4之间设置有腐蚀停层2及AlxGa1－xAs(x≥0.9)湿氮氧化层5和有源区单元7中的p型限制层12之间设置有相位补偿层6。制备方法特征在于：用选择性腐蚀方法腐蚀上分布布拉格反射镜1至腐蚀停层2，分别腐蚀腐蚀停层2、欧姆接触层4和AlxGa1－xAs(x≥0.9)湿氮氧化层5到相位补偿层6，其余采用常规技术。本结构可用传统的半导体化学湿法腐蚀工艺制备，降低成本，提高器件的性能，可靠性和生产效率。
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公开(公告)号：CN1588659A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410069243.7
申请日：2004-07-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L33/00
Abstract: n－pin结构的发光二极管，属于半导体光电子领域。针对现有技术中红色发光二极管制备方法生产成本高，且在进行二次外延时界面会引起问题，蓝色发光二极管方法制备的电流扩展层大大降低了器件的亮度，而且没有得到良好的电流扩展效应。本发明如所示，包括有纵向层叠的上欧姆接触电极(1)，p型上限制层(4)，红色或蓝色发光区(5)，n型下限制层(6)，衬底(7)和下欧姆接触电极(8)，特征在于，还包括上欧姆接触电极(1)和p型上限制层(4)之间的，纵向依次排列的n－电流扩展层(2)和隧道结(3)。本发明增强了扩展效应，提高了出光效率；减小电流扩展层的厚度，实现外延一次生长，降低生产成本；对GaN发光二极管简化了器件制备工艺。
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公开(公告)号：CN1564405A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410029946.7
申请日：2004-04-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 三轴自对准方法制备的垂直腔面发射激光器属半导体光电子技术领域。流程如图3－1～9所示，各步骤均用常规技术，包括以下步骤：光刻；采用光刻胶做掩膜，腐蚀上分布布拉格反射镜1到欧姆接触层3，并呈双沟状；淀积p型欧姆接触电极Ti/Pt/Au 2；剥离，只在欧姆接触层3上留有Ti/Pt/Au；套刻；光刻胶和p型欧姆接触电极Ti/Pt/Au2共同作为掩膜，分别向下腐蚀无掩膜保护的上分布布拉格反射镜1和欧姆接触层3、AlxGa1－xAs(x≥0.9)湿氮氧化层4；去掉光刻胶；湿氮氧化，控制氧化时间，形成氧化孔径；将样品减薄，抛光，制备n型欧姆接触电极11。本发明使得光刻精度低的光刻机，也能获得三轴对准的垂直腔面发射激光器器件，提高生产效率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN1556563A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN200310110351.X
申请日：2003-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种空气柱型垂直腔面发射激光器的结构及其制备方法，属于半导体光电子领域。结构包括从上往下排列的p型欧姆接触层1，上分布布拉格反射镜2，AlxGa1－xAs(x≥0.9)湿氮氧化层4，有源区单元6，下分布布拉格反射镜7，缓冲层8，衬底9和n型电极10，特征在于：上分布布拉格反射镜2和AlxGa1－xAs(x≥0.9)湿氮氧化层4之间有腐蚀停层3及AlxGa1－xAs(x≥0.9)湿氮氧化层4和有源区单元6中的p型限制层11之间设置有相位补偿层5。制备方法特征在于：采用选择性腐蚀方法湿法腐蚀上分布布拉格反射镜2至腐蚀停层3，再分别采用选择性湿法腐蚀腐蚀停层3和AlxGa1－xAs(x≥0.9)湿氮氧化层4到相位补偿层5，其余采用常规技术。本结构可用传统的半导体化学湿法腐蚀工艺，降低成本，提高器件的性能，可靠性和生产效率。
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公开(公告)号：CN1079586C
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN99100397.7
申请日：1999-01-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法，属于半导体光电子技术领域，其特征是发光二极管中的发光区由多个重复排列的单元大发光区构成，每一个单元大发光区包括前级发光区和后级发光区以及位于前后两级发光区之间的P+-N+隧道结。多级发光区通过各级间的隧道结为前级复合掉的电子和空穴提供再生通道，从而成倍地提高器件的量子效率和亮度。该发光二极管能提供高亮度半导体光源，用于光显示、交通信号灯、汽车头尾灯等领域。
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