公开(公告)号：CN101877381A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN201010169136.7

申请日：2010-04-28

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： 金鲜京

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/48 ,  F21S2/00 ,  F21Y101/02

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/465 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供一种发光器件(LED)和一种发光器件封装。所述发光器件(LED)包括发光结构和反射层。所述发光结构包括第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；并且反射层设置为邻接所述第二导电型半导体层。所述发光层包括多个量子阱，相邻量子阱之间的距离为λ/2n±Δ，其中λ代表发射光的波长，n代表在所述反射层和所述发光层之间设置的介质的平均折射率，并且Δ≤λ/8n。

公开(公告)号：CN1957481A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200580015803.3

申请日：2005-05-17

Applicant: 美商克立股份有限公司

Inventor： 中村修二 ,  S·迪巴尔司 ,  J·艾德蒙 ,  U·米史拉 ,  C·史华波达

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/465 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/105 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0016

Abstract: 根据本发明的一种用于制造具有高光提取的光子装置的方法，它包括：在一基片上生长一外延半导体结构及在该外延半导体结构上沉积一第一镜层，使该外延半导体结构夹在该第一镜层与该基片之间。将该外延半导体结构及其第一镜层与基片以倒装晶片方式装于一子基片上，使该外延半导体装置结构夹在该子基片与基片之间。接着通过向该基片引入一蚀刻环境而将该基片从该外延结构上移除。在该外延半导体结构上沉积一第二镜层，使该外延半导体结构夹在该第一与第二镜层之间。根据本发明的一种装置包括装于一子基片上的一共振腔发光二极管(RCLED)。

公开(公告)号：CN1805161A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200510023018.4

申请日：2005-11-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金润昶 ,  宋英宇 ,  曹尚焕 ,  安智薰 ,  李濬九 ,  李昭玲 ,  吴宗锡 ,  河载兴

IPC: H01L33/00 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01S5/00 ,  H01S5/10

CPC classification number: H01L51/5265 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3241 ,  H01L33/465

Abstract: 提供了一种发光装置，该发光装置具有简单的结构并且能够以简单的过程来制造，其具有增强的光耦合效率和亮度，并且能够减小光学谐振对发射光谱和视角带来的负面影响。该发光装置包括基底；形成在该基底上的发光二极管；和形成在该发光二极管外的光学谐振层，其诱导从发光二极管发出的光谐振。

公开(公告)号：CN102576792B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201080047464.8

申请日：2010-10-06

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 片山龙一

IPC: H01L33/48

CPC classification number: H01L33/465 ,  H01L33/405 ,  H01L33/58

Abstract: 公开了一种容易地制作并且在一致偏振态中以高效率和高亮度出射光的发光元件。设置有产生光的活性层的该发光元件具有：第一反射层，其利用其中以规则间隔设置反射部件的反射部反射利用活性层产生的光，并且从在反射部件之间的输出部输出反射光；偏振分束器层，其在从输出部输出的光中通过第一方向的偏振光，并且衍射与第一方向正交地交叉的第二方向的偏振光；波片层，其使得已经通过偏振分束器层的光和已经利用偏振分束器层衍射的光被输入到其中，并且使该输入光作为具有相同偏振态的光输出；和第二反射层，其反射已经利用第一反射层反射的光。

公开(公告)号：CN102792468B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201180012657.4

申请日：2011-03-10

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 片山龙一

IPC: H01L33/02 ,  B82B1/00 ,  H01L33/10

CPC classification number: H01L33/465 ,  H01L33/58

Abstract: 为实现了具有高效率、能增加亮度并能发出光分布特征具有良好的对称性的线性偏振光的发光元件，一种发光元件具有产生光的活性层并设有：偏振器层，其具有允许活性层内产生的光的第一方向偏振分量通过并反射其它偏振分量的第一区域、允许与第一方向垂直的第二方向偏振分量通过并反射其它偏振分量的第二区域；波长片层，其具有从第一区域发出的光所进入的第三区域和第五区域、从第二区域发出的光所进入的第四区域和第六区域，波长片层使进入第三至第六区域的光作为相同偏振状态的光射出；反射层，其反射被第一区域和第二区域反射的光。第三区域与第五区域、或第四区域与第六区域的光轴方向相互垂直。

公开(公告)号：CN104205375A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380018280.2

申请日：2013-03-30

Applicant: 皇家飞利浦有限公司

Inventor： K.瓦姆波拉 ,  H.H.蔡 ,  M.M.布特沃思

IPC: H01L33/50 ,  H01L25/075 ,  G02F1/1335

CPC classification number: H01L33/465 ,  G02F1/133603 ,  G02F2001/133614 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/504 ,  H01L33/507 ,  H01L33/58 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的实施例包括附接到衬底的半导体发光二极管。波长转换材料的第一区布置在衬底上。波长转换材料被配置成吸收半导体发光二极管发射的光并且以不同的波长发射光。在第一区中，波长转换材料涂敷衬底的整个表面。衬底被布置成接近光学腔的底表面。波长转换材料的第二区被布置成接近光学腔的顶表面。

公开(公告)号：CN102792468A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180012657.4

申请日：2011-03-10

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 片山龙一

IPC: H01L33/02 ,  B82B1/00 ,  H01L33/10

CPC classification number: H01L33/465 ,  H01L33/58

Abstract: 为实现了具有高效率、能增加亮度并能发出光分布特征具有良好的对称性的线性偏振光的发光元件，一种发光元件具有产生光的活性层并设有：偏振器层，其具有允许活性层内产生的光的第一方向偏振分量通过并反射其它偏振分量的第一区域、允许与第一方向垂直的第二方向偏振分量通过并反射其它偏振分量的第二区域；波长片层，其具有从第一区域发出的光所进入的第三区域和第五区域、从第二区域发出的光所进入的第四区域和第六区域，波长片层使进入第三至第六区域的光作为相同偏振状态的光射出；反射层，其反射被第一区域和第二区域反射的光。第三区域与第五区域、或第四区域与第六区域的光轴方向相互垂直。

公开(公告)号：CN1901241B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN200610099465.2

申请日：2006-07-20

Applicant: 安华高科技ECBUIP(新加坡)私人有限公司

Inventor： 维金奈·M·罗宾斯 ,  史蒂文·D·莱斯特尔

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/465 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/18388 ,  H01S2304/04

Abstract: 一种发光器件通过在衬底上形成的缓冲层上形成发光结构而制造。发光结构接着与缓冲层和衬底分开。诸如镜子或透镜的导光元件接着使用粘合剂连于发光结构。

公开(公告)号：CN101416322B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200680048036.0

申请日：2006-12-07

Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司

Inventor： M·普格 ,  G·哈伯斯 ,  R·S·韦斯特

IPC: H01L33/00 ,  G02B6/42

CPC classification number: G02B6/0021 ,  G02B6/0073 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L33/465 ,  H01L33/505 ,  H01L33/60

Abstract: 本发明提供了发光器件和照明方法。发光器件包括一个或多个半导体层、耦合到半导体层的反射底面和顶面。这些半导体层包括生成初级光的有源区域。调节顶面、反射底面和有源区域的相对位置以便基本上通过发光器件的侧面透射初级光。

公开(公告)号：CN1666578A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN03815503.6

申请日：2003-05-08

Applicant: 泽奥勒克斯公司

Inventor： 约翰·N·马尼奥 ,  吉恩·C·科赫

IPC: H05B33/22

CPC classification number: H01L51/5265 ,  G09G3/2803 ,  G09G3/32 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3234 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3281 ,  H01L33/465 ,  H01L51/5215 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5262 ,  H01L51/5271 ,  H01L51/5275 ,  H01L51/5281 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5323 ,  H01S3/08059 ,  H01S3/1065 ,  H01S3/1686 ,  H01S5/183 ,  H01S5/36

Abstract: 公开了一种反馈增强型光发射器件。耦合到发射元件(806)的反馈元件(804、810)允许发射元件通过受激发射来发射平行光。提供该功能的反馈元件可以包括但不限于全息反射体，其具有至少部分周期性和连续变化的折射率。