公开(公告)号：CN103361635A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310100939.0

申请日：2013-03-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 司空坦 ,  李焘英 ,  金起成 ,  尹皙胡 ,  金荣善 ,  金晟泰

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/02104 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/46

Abstract: 本公开提供了化学气相沉积（CVD）装置和半导体制造装置。该化学气相沉积（CVD）装置包括腔室、在腔室中的基座以及加热单元。基座包括转子、耦接到转子的下部的旋转轴、耦接到旋转轴的驱动器件、以及限定在转子的上表面处的至少一个凹坑。驱动器件可旋转地驱动旋转轴。至少一个凹坑包括配置为在其上接收衬底的安装部分以及从至少一个凹坑的底表面突出的突出部分（例如，凸出部分），使得突出部分位于对应于旋转轴的区域处。加热单元围绕旋转轴并配置为加热衬底。

公开(公告)号：CN103426982A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310196886.7

申请日：2013-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴基镐 ,  金起成 ,  金喆敏 ,  尹皙胡 ,  李泰泫

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079

Abstract: 提供了一种制造半导体发光装置的方法。所述方法包括通过在半导体生长基板上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层来形成发光结构。在第二导电类型半导体层上设置支撑单元，以与发光结构结合。从发光结构分离半导体生长基板。湿法蚀刻半导体生长基板和残留的发光结构之间的界面，从而使残留在分离后的半导体生长基板上的发光结构从半导体生长基板分离。清洗半导体生长基板。

公开(公告)号：CN102832300B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201210203592.8

申请日：2012-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孟钟先 ,  朴基镐 ,  金范埈 ,  柳贤锡 ,  李正贤 ,  金柄均 ,  金起成 ,  尹皙胡

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L33/0079

Abstract: 提供了一种制造半导体发光装置的方法，所述方法包括：在半导体生长基底上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层，以形成发光部件；在所述第二导电类型半导体层上形成支撑部件，以结合到所述发光部件；将所述半导体生长基底与所述发光部件分离；以及将蚀刻气体施加到所述半导体生长基底，以从所述半导体生长基底的表面去除所述第一导电类型半导体层的残留物。

公开(公告)号：CN103078035A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201210412020.0

申请日：2012-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宗炫 ,  李正贤 ,  金起成 ,  尹皙胡 ,  金荣善

IPC: H01L33/42 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/407 ,  C23C16/45578 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置及其制造方法，该半导体发光装置具有第III族元素被掺杂为沿厚度方向具有多个周期的波形的氧化锌基透明导电薄膜。

公开(公告)号：CN103066176A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210400802.2

申请日：2012-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金范埈 ,  金晟泰 ,  金荣善 ,  尹皙胡 ,  金起成 ,  李浩喆

IPC: H01L33/14

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 提供了一种氮化物半导体发光装置，所述氮化物半导体发光装置包括n型氮化物半导体层、设置在n型氮化物半导体层上的活性层和设置在活性层上的p型氮化物半导体层。一个或多个电流扩散层设置在n型氮化物半导体层的表面上。电流扩散层包括带隙能比形成n型氮化物半导体层的材料的带隙能大的材料，以在与形成n型氮化物半导体层的材料的界面处形成二维电子气层。

公开(公告)号：CN102832300A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210203592.8

申请日：2012-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孟钟先 ,  朴基镐 ,  金范埈 ,  柳贤锡 ,  李正贤 ,  金柄均 ,  金起成 ,  尹皙胡

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L33/0079

Abstract: 提供了一种制造半导体发光装置的方法，所述方法包括：在半导体生长基底上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层，以形成发光部件；在所述第二导电类型半导体层上形成支撑部件，以结合到所述发光部件；将所述半导体生长基底与所述发光部件分离；以及将蚀刻气体施加到所述半导体生长基底，以从所述半导体生长基底的表面去除所述第一导电类型半导体层的残留物。